陶瓷电子器件制造技术

本申请提供一种陶瓷电子器件，该陶瓷电子器件包括层叠主体，其中多个电介质层中的每一层和多个内部电极层中的每一层交替地层叠。在覆盖层和侧边缘的至少一部分中，Ag、As、Au、Bi、Co、Cr、Cu、Fe、Ge、In、Ir、Mo、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Se、Sn、Te、W或Zn中的至少一种的特定金属的浓度在外侧比靠层叠主体的一侧低。浓度在外侧比靠层叠主体的一侧低。浓度在外侧比靠层叠主体的一侧低。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷电子器件


[0001]本专利技术某一方面涉及陶瓷电子器件。

技术介绍

[0002]随着电子设备的小型化，陶瓷电子器件例如安装在电子设备上的层叠陶瓷电容器需要进一步小型化。为了增加作为基本特性的电容性，减薄对电容没有贡献的覆盖层(cover layer)和侧边缘(side margin)(以下简称为外周层(outer peripheral layer))是有效的。另一方面，外周层还具有将电容部与外部环境隔离的功能。例如，如果大气中的水气与电容部直接接触，电容器的绝缘性能就会恶化，从而导致故障。为了有效防止水从外部环境渗入薄的外周层，有必要保持外周层处于没有裂缝或孔隙的致密状态，并消除水分路径。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的一个方面，提供一种陶瓷电子器件，其包括：层叠主体，其中多个电介质层中的每一层和多个内部电极层中的每一层交替层叠，电介质层的主要成分是具有钙钛矿结构的陶瓷，内部电极层包括作为主要成分的Ni，层叠主体具有长方体形状，多个内部电极层交替露出于彼此相对的两个端面中的一个；和覆盖层，该覆盖层设置于层叠主体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷电子器件，包括：层叠主体，其中多个电介质层中的每一层和多个内部电极层中的每一层交替层叠，所述电介质层的主要成分是具有钙钛矿结构的陶瓷，所述内部电极层包括作为主要成分的Ni，所述层叠主体具有长方体形状，所述多个内部电极层交替露出于彼此相对的两个端面中的一个；和覆盖层，所述覆盖层设置于所述层叠主体层叠方向上的上表面或下表面中的至少一个，所述覆盖层的主要成分是具有钙钛矿结构的陶瓷，其中所述层叠主体具有覆盖边缘部的侧边缘，所述多个内部电极层朝向所述两个端面以外的两个侧面延伸到所述边缘部，所述侧边缘的主要成分为陶瓷，并且其中在所述覆盖层和所述侧边缘的至少一部分中，Ag、As、Au、Bi、Co、Cr、Cu、Fe、Ge、In、Ir、Mo、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Se、Sn、Te、W或Zn中的至少一种的特定金属的浓度在外侧比靠所述层叠主体的一侧低。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中所述特定金属的浓度从靠所述层叠主体的一侧到外侧逐渐降低。3.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中当所述特定金属为Au、Bi、Ir、Os、Pd、Pt、Rh或Ru中的至少一种时，设所述部分中主要成分的B位元素的量为100at％时，所述部分中所述特定金属的浓度为0.00001at％以上且0.1at％以下。4.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中当所述特定金属为Au、Bi、Ir、Os、Pd、Pt、Rh或Ru中的至少一种时，在所述部分中的同一样品点处，所述特定金属的摩尔浓度/Ni的摩尔浓度的比率为0.0001以上且1以下。5.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中当所述特定金属为Cr、Ag或Cu中的至少一种时，设所述部分中主要成分的B位元素的量为100at％时，所述部分中所述特定金属的浓度为0.0001at％以上且1at％以下。6.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中当所述特定金属为Cr、Ag或Cu中的至少一种时，在所述部分中的同一样品点处，所述特定金属的摩尔浓度/Ni的摩尔浓度的比率为0.0005以上且5以下。7.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中当所述特定金属为Fe、Ge、Sn或Co中的至少一种时，设所述部分中主要成分的B位元素的量为100at％时，所述部分中所述特定金属的浓度为0.001at％以上且20at％以下。8.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中当所述特定金属为...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田秀俊，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：