陶瓷电子组件制造技术

本公开提供一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括主体和外电极，所述主体包括介电层和内电极，所述外电极设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层的至少一个区域包括锡(Sn)和含镝(Dy)的镧系稀土元素(RE)。在所述介电层的所述至少一个区域中，锡(Sn)与镝(Dy)的摩尔比为0.15至0.30。的摩尔比为0.15至0.30。的摩尔比为0.15至0.30。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷电子组件
[0001]本申请要求于2021年10月21日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0141261号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。


[0002]本公开涉及一种陶瓷电子组件，例如一种多层陶瓷电容器(MLCC)。

技术介绍

[0003]多层陶瓷电容器(一种多层电子组件)安装在各种电子产品(诸如显示装置(包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等)、计算机、智能电话、移动电话等)的印刷电路板上以用于充电或放电。
[0004]随着最近的趋势，这种多层陶瓷电容器已被小型化和高度集成。为了进行小型化和高度集成，同时满足下一代产品的超高介电特性，已经需要减薄介电层。因此，将能够实现高k介电特性的组合物材料应用于介电层变得重要。

技术实现思路

[0005]本公开的一方面在于提供一种具有改善的可靠性的陶瓷电子组件。
[0006]本公开提出了各种解决方案。所提出的解决方案之一是应用包括在单个介电层中的锡(Sn)与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷电子组件，包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中：所述介电层的至少一个区域包括锡和含镝的镧系稀土元素；并且在所述介电层的所述至少一个区域中，锡与镝的摩尔比为0.15至0.30。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中：在所述介电层的所述至少一个区域中，锡与镧系稀土元素的摩尔比为0.15至0.25。3.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中：所述介电层还包括作为主成分的钛酸钡基材料。4.根据权利要求3所述的陶瓷电子组件，其中：在所述介电层的所述至少一个区域中，相对于100摩尔钛酸钡基材料，锡的含量为0.05摩尔至0.16摩尔，并且相对于100摩尔钛酸钡基材料，镝的含量为0.20摩尔至0.80摩尔。5.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中：所述镧系稀土元素还包括铽、钐和钆中的至少一种。6.根据权利要求5所述的陶瓷电子组件，其中：所述介电层的所述至少一个区域包括受主元素，所述受主元素包括锰、铝、钒和镁中的至少一种。7.根据权利要求6所述的陶瓷电子组件，其中：所述介电层的所述至少一个区域包括施主元素，所述施主元素包括所述镧系稀土元素，所述施主元素还包括铌和钇中的至少一种。8.根据权利要求7所述的陶瓷电子组件，其中：在所述介电层的所述至少一个区域中，所述施主元素与所述受主元素的摩尔比为0.01至0.67。9.根据权利要求1至8中任一项所述的陶瓷电子组件，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：田喜善，朴喜鲜，金兑炯，徐祯勖，李孝柱，安，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：