陶瓷电子组件制造技术

本公开提供一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括主体和外电极，所述主体包括介电层和内电极，所述外电极设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层的至少一个区域包括锡(Sn)和含镝(Dy)的镧系稀土元素(RE)。在所述介电层的所述至少一个区域中，锡(Sn)与镝(Dy)的摩尔比为0.15至0.30。的摩尔比为0.15至0.30。的摩尔比为0.15至0.30。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷电子组件
[0001]本申请要求于2021年10月21日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0141261号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。


[0002]本公开涉及一种陶瓷电子组件，例如一种多层陶瓷电容器(MLCC)。

技术介绍

[0003]多层陶瓷电容器(一种多层电子组件)安装在各种电子产品(诸如显示装置(包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等)、计算机、智能电话、移动电话等)的印刷电路板上以用于充电或放电。
[0004]随着最近的趋势，这种多层陶瓷电容器已被小型化和高度集成。为了进行小型化和高度集成，同时满足下一代产品的超高介电特性，已经需要减薄介电层。因此，将能够实现高k介电特性的组合物材料应用于介电层变得重要。

技术实现思路

[0005]本公开的一方面在于提供一种具有改善的可靠性的陶瓷电子组件。
[0006]本公开提出了各种解决方案。所提出的解决方案之一是应用包括在单个介电层中的锡(Sn)与镝(Dy)的最佳组成比。
[0007]根据本公开的一方面，一种陶瓷电子组件包括：主体和外电极，所述主体包括介电层和内电极，所述外电极设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层的至少一个区域包括锡(Sn)和含镝(Dy)的镧系稀土元素(RE)。在所述介电层的所述至少一个区域中，锡(Sn)与镝(Dy)的摩尔比为0.15至0.30。
[0008]在一些实施例中，在所述介电层的所述至少一个区域中，锡(Sn)与镧系稀土元素(RE)的摩尔比可以为0.15至0.25。
[0009]在一些实施例中，所述介电层还可包括作为主成分的钛酸钡基材料。
[0010]在一些实施例中，在所述介电层的所述至少一个区域中，相对于100摩尔钛酸钡基材料，锡(Sn)的含量可以为0.05摩尔至0.16摩尔，并且相对于100摩尔钛酸钡基材料，镝(Dy)的含量可以为0.20摩尔至0.80摩尔。
[0011]在一些实施例中，所述镧系稀土元素(RE)还可包括铽(Tb)、钐(Sm)和钆(Gd)中的至少一种。
[0012]在一些实施例中，所述介电层的所述至少一个区域可包括受主元素(AT)，所述受主元素(AT)包括锰(Mn)、铝(Al)、钒(V)和镁(Mg)中的至少一种。
[0013]在一些实施例中，所述介电层的所述至少一个区域还可包括施主元素(DN)，所述施主元素(DN)包括所述镧系稀土元素(RE)，所述施主元素(DN)还包括铌(Nb)和钇(Y)中的至少一种。
[0014]在一些实施例中，在所述介电层的所述至少一个区域中，所述施主元素(DN)与所
述受主元素(AT)的摩尔比可以为0.01到0.67。
[0015]在一些实施例中，所述主体可包括具有电容的有效部，所述有效部可包括多个内电极，在多个内电极中，相邻的内电极可被设置成彼此相对且所述介电层介于所述相邻的内电极之间。所述介电层的所述至少一个区域可设置在所述有效部中。
[0016]在一些实施例中，所述外电极可包括分别设置在所述主体的长度方向上的相对端表面上的第一外电极和第二外电极。所述内电极可包括多个第一内电极和多个第二内电极，所述多个第一内电极和所述多个第二内电极在所述主体的厚度方向上交替层叠并且分别连接到所述第一外电极和所述第二外电极。
[0017]在一些实施例中，所述介电层可具有0.4μm或更小的厚度。所述内电极可具有0.4μm或更小的厚度。
[0018]在一些实施例中，在所述介电层的所述至少一个区域中，相对于100摩尔钛酸钡基材料，锡(Sn)的含量可以为0.05摩尔至0.16摩尔。
[0019]在一些实施例中，在所述介电层的所述至少一个区域中，相对于100摩尔钛酸钡基材料，镝(Dy)的含量可以为0.20摩尔至0.80摩尔。
[0020]在一些实施例中，所述施主元素(DN)可由镧系稀土元素(RE)组成。
[0021]在一些实施例中，所述受主元素(AT)可包括锰(Mn)、铝(Al)和钒(V)。
[0022]在一些实施例中，所述受主元素(AT)可由锰(Mn)、铝(Al)和钒(V)以及镁(Mg)组成。
附图说明
[0023]通过结合附图及以下具体实施方式，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解。
[0024]图1是根据示例的陶瓷电子组件的示意性立体图。
[0025]图2是沿图1的线I
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I'截取的示意性截面图。
[0026]图3是沿图1的线II
‑
II
′
截取的示意性截面图。
[0027]图4是根据图1的示例的陶瓷电子组件的主体的示意性分解立体图。
具体实施方式
[0028]在下文中，将参照附图描述本公开中的示例性实施例。在附图中，为了清楚起见，组件的形状、尺寸等可被夸大或省略。
[0029]在附图中，第一方向可被定义为层叠方向或厚度方向，第二方向可被定义为长度方向，并且第三方向可被定义为宽度方向。
[0030]图1是根据示例的陶瓷电子组件的示意性立体图。
[0031]图2是沿图1的线I
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I'截取的示意性截面图。
[0032]图3是沿图1的线II
‑
II
′
截取的示意性截面图。
[0033]图4是根据图1的示例的陶瓷电子组件的主体的示意性分解立体图。
[0034]参照图1至图4，根据示例的陶瓷电子组件100可包括主体110以及外电极131和132，主体110包括介电层111以及内电极121和122，外电极131和132设置在主体110上并分别连接到内电极121和122。在这种情况下，介电层111的至少一个区域P可包括锡(Sn)和含
镝(Dy)的镧系稀土元素(RE)。在介电层的至少一个区域P中，锡(Sn)和镝(Dy)的摩尔比可以是约0.15至0.30。此外，锡(Sn)和镧系稀土元素(RE)的摩尔比可以是约0.15至0.25。
[0035]为了开发下一代超小型高电容产品，有必要在具有由溶解性添加剂ABO3表示的钙钛矿结构的钛酸钡基材料中引入和溶解适当水平的A位和/或B位取代元素作为介电层材料。特别地，为了实现高可靠性的特性，通过调节构成产品的相应部分之间的添加剂的组合和浓度，控制对相应部分之间的收缩行为和特性的实现的影响正在变得重要。
[0036]因此，在本公开中，应用高含量的施主作为掺杂剂以增加A位溶解效率的组合被用作确保薄膜高可靠性特性的示例。
[0037]例如，在稀土元素(被称为钛酸钡的A位取代元素的施主元素)的情况下，特别是镝(Dy)，镝(Dy)是代表性的两性元素，并且可具有改性为正二价和/或正三价的化合价以帮助改善氧空位从而实现可靠性改善的效果，由于镝(Dy)的低固溶效率，它可有利地用作边界元素。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷电子组件，包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中：所述介电层的至少一个区域包括锡和含镝的镧系稀土元素；并且在所述介电层的所述至少一个区域中，锡与镝的摩尔比为0.15至0.30。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中：在所述介电层的所述至少一个区域中，锡与镧系稀土元素的摩尔比为0.15至0.25。3.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中：所述介电层还包括作为主成分的钛酸钡基材料。4.根据权利要求3所述的陶瓷电子组件，其中：在所述介电层的所述至少一个区域中，相对于100摩尔钛酸钡基材料，锡的含量为0.05摩尔至0.16摩尔，并且相对于100摩尔钛酸钡基材料，镝的含量为0.20摩尔至0.80摩尔。5.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中：所述镧系稀土元素还包括铽、钐和钆中的至少一种。6.根据权利要求5所述的陶瓷电子组件，其中：所述介电层的所述至少一个区域包括受主元素，所述受主元素包括锰、铝、钒和镁中的至少一种。7.根据权利要求6所述的陶瓷电子组件，其中：所述介电层的所述至少一个区域包括施主元素，所述施主元素包括所述镧系稀土元素，所述施主元素还包括铌和钇中的至少一种。8.根据权利要求7所述的陶瓷电子组件，其中：在所述介电层的所述至少一个区域中，所述施主元素与所述受主元素的摩尔比为0.01至0.67。9.根据权利要求1至8中任一项所述的陶瓷电子组件，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：田喜善，朴喜鲜，金兑炯，徐祯勖，李孝柱，安，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：