一种新型的晶圆切割方式制造技术

技术编号:37406934 阅读:63 留言:0更新日期:2023-04-30 09:33
本发明专利技术涉及一种新型的晶圆切割方式,属于光分路器加工技术领域。本发明专利技术的晶圆切割方式加工过程简洁,切割,磨抛,颗粒化处理即可。加工成本降低,排除了加工步骤重复率,成本损耗减少。加工完毕的光分路器外形好,保证了分光比,并且在该流程中不会出现严重崩边情况。本发明专利技术在激光切割玻璃设备对晶圆进行切割时,设定了切割速度为120μm/s,切割功率为20.5~23.0W,只有保持此切割速度和切割功率,才能够保证晶圆在裂片环节保持切割后的晶圆条自然脱落,并且能够保证得到的晶圆条在研磨抛光环节保证单个光分路器不脱落以及在研磨抛光后的手动拆解阶段不崩边,使得拆解过程简单便捷。捷。捷。

【技术实现步骤摘要】
一种新型的晶圆切割方式


[0001]本专利技术涉及一种新型的晶圆切割方式,属于光分路器加工


技术介绍

[0002]目前,所使用的常规光分路器晶圆的加工方法,需要先将晶圆切割成晶圆条,随后磨抛完毕后再次进行晶圆条的切割,工序多并且效率低,同时由于刀片切割到底光分路器崩边的情况也并不少见。崩边不仅影响光分路器的整体美观,同时有可能影响光分路器的分光比。
[0003]有鉴于上述的缺陷,本专利技术以期创设一种新型的晶圆切割方式,使其更具有产业上的利用价值。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题,本专利技术的目的是提供一种新型的晶圆切割方式。使光分路器的加工流程时间大大缩短,提高效率的同时,保证了产品的结构完整性,不会出现崩边等现象,使得光分路器的分光比不会受此方式流程的影响。
[0005]本专利技术的一种新型的晶圆切割方式,所述待切割的晶圆包括三层,从上至下依次为盖片、胶层和基片,在晶圆加工过程中,按照以下步骤进行:(1)按照纵向切割线的标示,使用激光切割玻璃设备切割盖片及基片,保持胶层衔接不裂片;(2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型的晶圆切割方式,其特征在于:所述待切割的晶圆包括三层,从上至下依次为盖片、胶层和基片,在晶圆加工过程中,按照以下步骤进行:(1)按照纵向切割线的标示,使用激光切割玻璃设备切割盖片及基片,保持胶层衔接不裂片;(2)按照横向切割线的标示,使用激光切割玻璃设备切割并且裂片,裂片为熔断胶层使衔接处自动断裂分离;(3)晶圆切割完毕后得到晶圆条,对晶圆条进行磨抛工艺,磨抛出所需角度后,磨抛工艺完成;(4)对磨抛后的晶圆条进行颗粒化处理即可得到所需光分路器。2.根据权利要求1所述的一种新型的晶圆切割方式,其特征在于:所述步骤(1)中纵向切割线条数视单个光分路器宽度而定,条数为10~50条。3.根据权利要求1所述的一种新型的晶圆切割方式,其特征在于:所述步骤(2)中横向切割线...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵懋郑伟伟沈栩民王辉
申请(专利权)人:常州光芯集成光学有限公司
类型:发明
国别省市:

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