半导体结构及半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：提供基底，所述基底包括相对的第一面和第二面；在基底内形成初始第一凹槽，所述初始第一凹槽自基底第一面向第二面延伸，所述初始第一凹槽在平行于基底表面的第一方向具有第一尺寸；在基底内形成第二凹槽和第一凹槽，所述第二凹槽自基底第二面向第一面延伸，所述第二凹槽与所述第一凹槽相连通，所述第二凹槽在平行于基底表面的第一方向具有第二尺寸，所述第二尺寸大于第一尺寸，且所述第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度；在所述第一凹槽内和第二凹槽内形成导电结构；在基底第二面形成焊接层，所述焊接层位于所述导电结构上。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。述方法形成的半导体结构性能得到提升。述方法形成的半导体结构性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]如今的半导体工业界普遍认为，三维(Three
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Dimension，简称3D)集成技术，是可以使芯片继续沿着摩尔定律的蓝图向前发展的重要技术之一，这一技术可以缩短互连长度，从而提高电路速度、降低功耗，并增加系统存储带宽。其中，基于硅通孔(Through
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Silicon Via，简称TSV)技术的三维集成是重要组成部分，硅通孔(Through
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Silicon Via，简称TSV)技术可实现芯片与芯片间距离最短、间距最小的互连。
[0003]转接板通常是指芯片与封装基板之间的互连和引脚再分布的功能层。转接板通过硅通孔(Through
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Silicon Via，简称TSV)技术可以将密集的输入输出引线进行再分布，实现多芯片的高密度互连，成为纳米级集成电路与毫米级宏观世界之间电信号连接最有效的手段之一。r/>[0004]但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括相对的第一面和第二面；位于基底内的第一凹槽，所述第一凹槽自基底第一面向第二面延伸，所述第一凹槽在平行于基底表面的第一方向具有第一尺寸；位于基底内的第二凹槽，所述第二凹槽自基底第二面向第一面延伸，所述第二凹槽与所述第一凹槽相连通，所述第二凹槽在平行于基底表面的第一方向具有第二尺寸，所述第二尺寸大于第一尺寸，且所述第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度；位于所述第一凹槽内和第二凹槽内的导电结构；位于基底第二面的焊接层，所述焊接层位于所述导电结构上。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于基底第一面和导电结构表面的再布线层。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述再布线层包括介质层和位于介质层内的电互连线，所述电互连线与导电结构电连接。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构包括：位于第一凹槽侧壁和第二凹槽侧壁的阻挡层，以及位于阻挡层表面的导电层。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氮化钛、氮化钽、钽或钛；所述导电层的材料包括铜。6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第一凹槽侧壁和第二凹槽侧壁的绝缘层，所述阻挡层位于绝缘层表面。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一尺寸和第二尺寸的比例关系为1:2～1:40。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述焊接层的材料包括锡基合金材料，所述锡基合金材料包括锡金或铅锡。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：与所述再布线层电连接的芯片；与所述焊接层电连接的载板。10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽的深度为第一凹槽在垂直第一面朝向第二面方向上的尺寸，所述第二凹槽的深度为第二凹槽在垂直第二面朝向第一面方向上的尺寸。11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相对的第一面和第二面；在基底内形成初始第一凹槽，所述初始第一凹槽自基底第一面向第二面延伸，所述初始第一凹槽在平行于基底表面的第一方向具有第一尺寸；在基底内形成第二凹槽和第一凹槽，所述第二凹槽自基底第二面向第一面延伸，所述第二凹槽与所述第一凹槽相连通，所述第二凹槽在平行于基底表面的第一方向具有第二尺寸，所述第二尺寸大于第一尺寸；在所述第一凹槽内和第二凹槽内形成导电结构；在基底第二面形成焊接层，所述焊接层位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：