半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够可靠性高地降低开关损耗的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：绝缘电路基板(1)；功率半导体元件，其搭载在绝缘电路基板(1)上；平板状的第一端子(81)，其与功率半导体元件电连接，所述第一端子(81)具有第一主表面；第二端子(82)，其与功率半导体元件电连接，所述第二端子(82)具有与第一端子(81)的第一主表面相向的第二主表面；绝缘片(83)，其配置在第一主表面与第二主表面之间；以及导电膜(84、85)，其配置在绝缘片(83)的第一主表面侧和第二主表面侧中的至少一方。一主表面侧和第二主表面侧中的至少一方。一主表面侧和第二主表面侧中的至少一方。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种搭载有功率半导体元件的半导体装置(功率半导体模块)及其制造方法，特别是涉及一种功率半导体模块的与外部电极供给设备或直流电力布线等连接的端子的布线构造。

技术介绍

[0002]近年，由于世界性的脱碳的动向，电动汽车、电力铁路车辆等电动车辆受到关注。电动车辆要求利用逆变器、转换器等电力转换装置进行的高效的马达控制，该电力转换装置一般使用功率半导体模块。功率半导体模块将直流电力转换为交流电力或者进行与其相反的转换。在功率半导体模块搭载有绝缘栅型双极晶体管(IGBT)、金属氧化膜半导体场效应晶体管(MOSFET)以及二极管等多个功率半导体元件，通过对这些功率半导体元件进行接通、断开的开关来进行电力转换。
[0003]功率半导体元件在开关时会伴随损耗，因此尽可能高速地进行开关，由此能够降低开关损耗，但有时因高速开关而产生过电压。如果产生过电压，则不仅损耗变大，还有可能使功率半导体模块损坏。为了在高速开关中抑制过电压，已知降低布线的寄生电感的所谓低电感化是有效的。在将IGBT、MOSFET等开关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：绝缘电路基板；功率半导体元件，其搭载在所述绝缘电路基板上；平板状的第一端子，其与所述功率半导体元件电连接，所述第一端子具有第一主表面；第二端子，其与所述功率半导体元件电连接，所述第二端子具有与所述第一端子的所述第一主表面相向的第二主表面；绝缘片，其配置在所述第一主表面与所述第二主表面之间；以及导电膜，其配置在所述绝缘片的所述第一主表面侧和所述第二主表面侧中的至少一方。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电膜由耐蚀性比所述第一端子及所述第二端子的耐蚀性高的材料构成。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述导电膜的外缘与所述绝缘片的外缘一致，或者，所述导电膜的外缘配置在比所述绝缘片的外缘靠内侧的位置。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述导电膜配置在所述绝缘片与所述第一主表面之间，所述导电膜的外缘与所述第一主表面的同...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷口克己，池田良成，加藤辽一，村田悠马，中込旭人，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：