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一种半导体结构及半导体结构的形成方法,结构包括:提供基底,所述基底包括相对的第一面和第二面;在基底内形成初始第一凹槽,所述初始第一凹槽自基底第一面向第二面延伸,所述初始第一凹槽在平行于基底表面的第一方向具有第一尺寸;在基底内形成第二凹槽和第...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及半导体结构的形成方法,结构包括:提供基底,所述基底包括相对的第一面和第二面;在基底内形成初始第一凹槽,所述初始第一凹槽自基底第一面向第二面延伸,所述初始第一凹槽在平行于基底表面的第一方向具有第一尺寸;在基底内形成第二凹槽和第...