半导体调制激光放大器芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体调制激光放大器芯片，包括一单模半导体激光器、一电吸收调制器以及一半导体光放大器，所述激光器与所述调制器之间形成第一电隔离区；所述调制器与所述光放大器之间形成第二电隔离区；所述激光器的电极通过第一金线与外界的直流电源相连；所述调制器的电极通过第二金线与外界的交流电源相连；所述光放大器的电极与所述激光器的电极连接；所述激光器、调制器、光放大器和第一电隔离区、第二电隔离区位于同一半导体衬底上。本发明专利技术可以在长距离高速率光信号传输的过程中，保证低啁啾的同时提高激光器的输出功率，并可使用背光对输出光功率进行监控。本发明专利技术还公开了一种半导体调制激光放大器芯片的制备方法。了一种半导体调制激光放大器芯片的制备方法。了一种半导体调制激光放大器芯片的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体调制激光放大器芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种通信领域的芯片，具体涉及一种半导体调制激光放大器芯片。本专利技术还涉及一种半导体调制激光放大器芯片的制备方法。

技术介绍

[0002]作为光通信信号源的高速半导体激光器是光通信的核心芯片。目前实现光信号的高速调制有两种：一种是直接调制，将高速电信号直接驱动半导体激光器实现调制光信号的输出；另一种是外调制，也就是将半导体激光器连续输出的光波通过外加的调制器实现高速调制的光信号输出。相较于直接调制激光器，外调制需要一个连续的激光器和另外一个调制器实现对光信号的高速调制。显然外调制的构成更复杂，成本远高于直接调制。但直接调制受限于激光器本身的啁啾效应和光纤的色散，一般只能用于短距离的高速光信号的传输。对于C波段10Gbit/s速率的高速光信号，一2般的传输距离受限在10km左右。而外调制信号的啁啾远低于直接调制，可以实现长距离的信号传输。因此，对于长距离的信号传输，首选外调制。
[0003]实现外调制的途径主要有两种：一是利用分立的连续激光器和调制器，激光器输出的连续光通过光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，包括：一单模半导体激光器(1)，一电吸收调制器(2)，第一电隔离区(4)，位于所述激光器(1)与所述调制器(2)之间；第一电极(6)，连接所述激光器(1)；第一电极(6)通过第一金线(6w)与外界的直流电源(DC)相连；第二电极(7)，连接所述调制器(2)；第二电极(7)通过第二金线(7w)与外界的交流电源(AC)相连；以及一半导体光放大器(3)，第二电隔离区(5)，位于所述调制器(2)与所述光放大器(3)之间；第三电极(8)，连接所述光放大器(3)；所述第三电极(8)与所述第一电极(6)连接；所述激光器(1)、调制器(2)、光放大器(3)和第一电隔离区(4)、第二电隔离区(5)位于同一半导体衬底上。2.根据权利要求1所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述激光器(1)和所述光放大器(3)并联通过同一直流电流源驱动；和/或，所述激光器(1)和所述光放大器(3)的串联电阻与所述激光器(1)和所述光放大器(3)的工作电流成反比。3.根据权利要求1所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述激光器(1)的波导宽度与所述光放大器(3)的波导宽度不同。4.根据权利要求1所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述光放大器(3)的波导为锥形结构；和/或，沿着光传播方向，所述光放大器(3)的波导逐步增大。5.根据权利要求1所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述光放大器(3)的波导为直波导；或者，所述光放大器(3)的波导为弯曲波导，以使光放大器(3)的出光面与芯片的腔面形成一个倾斜角；或者，所述光放大器(3)的波导为弯曲波导，所述光放大器(3)的波导与所述光放大器(3)的出光端面的法线之间的夹角在3到10度之间。6.根据权利要求1所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述第一电极(6)与所述第三电极(8)之间设置有一电阻(9)。7.根据权利要求6所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述光放大器(3)串联所述电阻(9)；所述电阻(9)的一端与光放大器(3)的第三电极(8)连接，所述电阻(9)的另一端与所述第一电极(6)连接；和/或，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王中和，方祖捷，
申请(专利权)人：欧润光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：