同向双输出的半导体激光器芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种同向双输出的半导体激光器芯片，包括一U型激光波导；所述U型激光波导的输出端是两个平行光波导；所述两个平行光波导在另一端即非出光端通过第三光波导连接；所述U形激光波导由同一个电极驱动；所述两个平行光波导的输出端镀有减反膜；所述U型激光波导至少包含从上到下的P型半导体材料、有源层、N型半导体材料；所述U形激光波导生长于半导体衬底之上。本发明专利技术通过引入U形或V形光波导实现了单一激光器芯片具有同向的双输出端口，一颗激光器可以同时提供两个光源给外部光元件，为需要多光源的光学引擎提供了一个简单和低成本的技术方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体激光器芯片，具体涉及一种同向双输出的半导体激光器芯片。

技术介绍

1、半导体激光器芯片在通信以及工业加工领域有着广泛的应用。在光通信领域，伴随着对带宽需求的巨大增长，开发更高速率的传输技术已成为必然，其中一个重要的方向是基于硅基材料及工艺的硅光子集成。但是，由于硅材料本身不是一种良好的发光材料，需要基于三五族半导体的高功率激光器芯片与基于硅基的调制器和其他芯片的集成，因此高功率半导体激光器芯片是400g/800g乃至未来更高速率硅光芯片技术成功的核心元件。

2、目前，大规模用于数据中心的dr(datacenter reach)系列的400g/800gdr4/dr8硅光模块一般需要两到四颗高功率半导体激光器芯片。如图1所示，现有的400g/800g硅光引擎包含第一激光器芯片1、第二激光器芯片2和硅光芯片3；第一激光器芯片1和第二激光器芯片2与硅光芯片3一起置于一个基板4上；硅光芯片3由四个硅光调制器5a、5b、6a、6b，以及连接第一激光器芯片1和第二激光器芯片2与硅光调制器5a、5b、6a、6b的第一硅光分光器7和第二硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于：包括一U型激光波导；

2.根据权利要求1所述的同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于，所述U型激光波导为脊型波导结构；或者，所述U型激光波导为掩埋型波导结构。

3.根据权利要求1所述的同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于，所述U型激光波导部分或全部有光栅结构。

4.根据权利要求1所述的同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于，所述有源层为量子阱结构。

5.根据权利要求1所述的同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于，所述第三光波导为弯曲光波导；所述两个平行光波导与弯曲光波导组成所述U型...

【技术特征摘要】

1.一种同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于：包括一u型激光波导；

2.根据权利要求1所述的同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于，所述u型激光波导为脊型波导结构；或者，所述u型激光波导为掩埋型波导结构。

3.根据权利要求1所述的同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于，所述u型激光波导部分或全部有光栅结构。

4.根据权利要求1所述的同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于，所述有源层为量子阱结构。

5.根据权利要求1所述的同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于，所述第三光波导为弯曲光波导；所述两个平行光波导与弯曲光波导组成所述u型激光波导。

6.根据权利要求5所述的同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于，所述弯曲光波导与所述平行光波导结构相同。

7.根据权利要求5所述的同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于，所述弯曲光波导为深脊形波导结构。

8.根据权利要求1所述的同向双输出的半导体激光器芯片，其特征在于，所述第三光波导为垂直光波导；所述两个平行光波导分别通过反射镜与垂直光波导相连；所述反射镜的法线方向与所述平行光波导的夹角大于全反射的临界角；两个所述反射镜的夹角为90度...

【专利技术属性】
技术研发人员：王中和，
申请(专利权)人：欧润光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：