本技术公开了一种同向双输出的半导体激光器芯片，包括一U型激光波导；所述U型激光波导的输出端是两个平行光波导；所述两个平行光波导在另一端即非出光端通过第三光波导连接；所述U形激光波导由同一个电极驱动；所述两个平行光波导的输出端镀有减反膜；...

本技术公开了一种集成马赫‑曾德尔干涉型调制器的外调制激光器芯片，包括一激光器、一光学合束器和两根相位调制光波导，激光器带有两根波导以实现同向双输出；所述激光器通过直流供电；所述激光器为连续激光器；光学合束器具有双输入端口；相位调制光波导...

本发明公开了一种集成马赫‑曾德尔干涉型调制器的外调制激光器芯片，包括一激光器、一光学合束器和两根相位调制光波导，激光器带有两根波导以实现同向双输出；所述激光器通过直流供电；所述激光器为连续激光器；光学合束器具有双输入端口；相位调制光波导...

本发明公开了一种同向双输出的半导体激光器芯片，包括一U型激光波导；所述U型激光波导的输出端是两个平行光波导；所述两个平行光波导在另一端即非出光端通过第三光波导连接；所述U形激光波导由同一个电极驱动；所述两个平行光波导的输出端镀有减反膜；...

本技术公开了一种用于长距离光纤传输的高速直接调制激光器芯片，包括由左向右依次排列的一半导体激光器、一电隔离区、一啁啾补偿二极管，第一电极连接所述激光器，所述激光器通过所述第一电极通过直接调制产生高速调制光信号；第二电极连接所述啁啾补偿二...

本发明公开了一种用于长距离光纤传输的高速直接调制激光器芯片，包括由左向右依次排列的一半导体激光器、一电隔离区、一啁啾补偿二极管，第一电极连接所述激光器，所述激光器通过所述第一电极通过直接调制产生高速调制光信号；第二电极连接所述啁啾补偿二...

本实用新型公开了一种半导体调制激光放大器芯片，包括一单模半导体激光器、一电吸收调制器以及一半导体光放大器，所述激光器与所述调制器之间形成第一电隔离区；所述调制器与所述光放大器之间形成第二电隔离区；所述激光器的电极通过第一金线与外界的直流...

本发明公开了一种半导体调制激光放大器芯片，包括一单模半导体激光器、一电吸收调制器以及一半导体光放大器，所述激光器与所述调制器之间形成第一电隔离区；所述调制器与所述光放大器之间形成第二电隔离区；所述激光器的电极通过第一金线与外界的直流电源...

本实用新型公开了一种脊型波导高功率半导体激光器芯片，包括由下向上依次排列的一N型衬底、一N型半导体层、一有源发光层、一P型半导体层、一刻蚀阻挡层、一脊型波导层；所述有源发光层至少包括两组量子阱；所述两组量子阱包括靠近所述刻蚀阻挡层的第一...

本实用新型公开了一种用于高速率光信号产生的调制器芯片组件，包括一调制器芯片、至少一根高速信号传输线、至少一根地线、一电容、一电阻以及至少两段金线；其中，所述第一金线的长度为L1，0.05毫米＜L1≤1毫米；或者，所述第一金线的长度L1≤...

本发明公开了一种脊型波导高功率半导体激光器芯片，包括由下向上依次排列的一N型衬底、一N型半导体层、一有源发光层、一P型半导体层、一刻蚀阻挡层、一脊型波导层；所述有源发光层至少包括两组量子阱；所述两组量子阱包括靠近所述刻蚀阻挡层的第一组量...

本发明公开了一种用于高速率光信号产生的调制器芯片组件，包括一调制器芯片、至少一根高速信号传输线、至少一根地线、一电容、一电阻以及至少两段金线；其中，所述第一金线的长度为L1，0.05毫米＜L1≤1毫米；或者，所述第一金线的长度L1≤0....

本实用新型公开了一种用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，包括：一激光器芯片；至少两根引线，用于连接外部驱动电信号；一电容；所述电容的背面与所述激光器芯片共地；所述电容的正面连接其中一所述引线；一电阻；所述电阻位于所述激光器芯片与所...

本实用新型公开了一种用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，包括：一探测器芯片；一TIA；至少两根引线，连接所述TIA的输出端，用于实现与外部电路的连接；一电容，位于所述探测器芯片与所述TIA之间；所述电容的一端与所述探测器芯片共地；所述...

本发明公开了一种用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，包括：一激光器芯片；至少两根引线，用于连接外部驱动电信号；一电容；所述电容的背面与所述激光器芯片共地；所述电容的正面连接其中一所述引线；一电阻；所述电阻位于所述激光器芯片与所述电...

本发明公开了一种用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，包括：一探测器芯片；一TIA；至少两根引线，连接所述TIA的输出端，用于实现与外部电路的连接；一电容，位于所述探测器芯片与所述TIA之间；所述电容的一端与所述探测器芯片共地；所述电容...