晶圆回收方法技术

一种晶圆回收方法，所述方法包括：提供待回收晶圆，所述待回收晶圆的表面具有若干个颗粒物；对所述待回收晶圆进行干法清洗，以使若干个所述颗粒物的至少一部分脱离所述待回收晶圆的表面；对所述待回收晶圆进行湿法清洗，以使所述待回收晶圆的表面残留的颗粒物数量在预设数量区间内。上述方案可以有效去除待回收晶圆表面的颗粒物，使得待回收晶圆表面的颗粒物数量明显减少，达到再次使用的要求，从而降低制造成本。降低制造成本。降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆回收方法


[0001]本专利技术涉及半导体技术领技，尤其涉及一种晶圆回收方法。

技术介绍

[0002]在集成电路制造过程中，通常会选取光片晶圆用于生产测试或设备监控，所述光片晶圆通常情况下是只有硅衬底，表面无其他膜层、颗粒物的晶圆。所述光片晶圆在用于测试后，通常会因为存在缺陷而直接进行报废处理。
[0003]例如，为监控药液槽体或设备腔室的洁净度，通常采用光片晶圆进入设备药液槽体或者腔室进行传送测试，传送测试前需要对光片晶圆进行颗粒量测，传送结束下机后再量测该光片晶圆的颗粒值，然后将传送测试前后两次颗粒值相减计算颗粒增量。增量的大小可以充分证明设备药液槽体或腔室是否洁净度。在这种应用场景中，如果设备腔室洁净度差，用于进行传送测试的光片晶圆在传送结束后表面具有的颗粒数量可能会超过合格阈值，因此会被直接做报废处理。
[0004]此外，在气相沉积工艺中，为监控设备腔室沉积膜厚的效果，往往将光片晶圆放入设备腔室先进行暖机作业，暖机作业后还需要使用该光片晶圆预先进行沉积作业(例如，氮化硅沉积作业)，在进行沉积后需要测量膜厚、颗粒、应力本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆回收方法，其特征在于，包括：提供待回收晶圆，所述待回收晶圆的表面具有若干个颗粒物；对所述待回收晶圆进行干法清洗，以使若干个所述颗粒物的至少一部分脱离所述待回收晶圆的表面；对所述待回收晶圆进行湿法清洗，以使所述待回收晶圆的表面残留的颗粒物数量在预设数量区间内。2.根据权利要求1所述的晶圆回收方法，其特征在于，若干个所述颗粒物的数量大于100个，所述预设数量区间为0个至10个。3.根据权利要求1所述的晶圆回收方法，其特征在于，还包括：所述待回收晶圆的表面还具有膜层；在对所述待回收晶圆进行干法清洗之前，对所述待回收晶圆进行各向同性刻蚀处理，以剥离所述膜层；剥离所述膜层后，对所述待回收晶圆进行预处理湿法清洗，以清洁所述待回收晶圆的表面。4.根据权利要求3所述的晶圆回收方法，其特征在于，所述膜层为氮化硅膜层，所述膜层的厚度小于等于5.根据权利要求3所述的晶圆回收方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀处理采用的刻蚀剂是氢氟酸和氟化铵的混合剂，氢氟酸和氟化铵的摩尔比在6:1至8:1之间。6.根据权利要求3所述的晶圆回收方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀处理的刻蚀温度选自21℃至27℃。7.根据权利要求3所述的晶圆回收方法，其特征在于，所述膜层越厚，所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长越长。8.根据权利要求7所述的晶圆回收方法，其特征在于，满足以下任一项：所述膜层的厚度小于等于所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长小于等于300秒；所述膜层的厚度大于且小于等于所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长大于300秒，且小于等于...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏恩波，赵厚票，张鹏，吴坤，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：