一种多晶硅生产废水高效除硅的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种多晶硅生产废水高效除硅的方法和装置，涉及废水除硅技术领域，包括第一pH调节池、第一混凝反应池、第一沉淀池、第二pH调节池、第二混凝反应池、第二沉淀池、第一pH在线监测设备、NaOH加药装置、PAC加药装置、第二pH在线监测设备、MgO加药装置和FeSO4加药装置；第一pH调节池、第一混凝反应池、第一沉淀池、第二pH调节池、第二混凝反应池和第二沉淀池之间依次连通。本发明专利技术先在偏酸性条件下使用聚合氯化铝(PAC)混凝沉淀去除多晶硅生产废水中的大分子胶体硅，再在碱性条件下用MgO和FeSO4混凝沉淀去除单硅酸，经处理后多晶硅废水中SiO2浓度从200mg/L可降低到10mg/L以下。浓度从200mg/L可降低到10mg/L以下。浓度从200mg/L可降低到10mg/L以下。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅生产废水高效除硅的方法和装置


[0001]本专利技术涉及废水除硅
，更具体地说，它涉及一种多晶硅生产废水高效除硅的方法和装置。

技术介绍

[0002]多晶硅生产企业大多数采用改良西门子法生产多晶硅，该法生产中会产生大量的氯硅烷残液。氯硅烷残液有强烈的腐蚀性，且极易水解生成大量HCl气体。目前大多数企业采用水解法处理氯硅烷残液，由此产生的废水中含有SiO2和盐酸等污染物。随着对环保要求越来越严格，工业废水排放标准逐渐提高，中水回用或零排放将成为今后发展的趋势。膜技术是中水回用和零排放工艺中的核心之一，但有机膜进水要求严格，一旦某个指标超标就会造成膜污染。其中溶解性硅是造成膜污堵的主要影响因素之一，过饱和的溶解性硅能自动聚合形成不溶性的胶体硅或胶状硅，引起膜的污染。
[0003]反渗透进水中SiO2浓度根据浓水侧最大溶解度和浓缩倍数决定，一般为20mg/L。多晶硅废水中SiO2含量约为200mg/L，因此进反渗透膜处理前必须先进行除硅预处理。废水除硅的方法主要有化学混凝法、离子交换法、电凝聚法、吸附法等。国内外研究与应用最广本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅生产废水高效除硅的装置，其特征在于，包括第一pH调节池(1)、第一混凝反应池(2)、第一沉淀池(3)、第二pH调节池(4)、第二混凝反应池(5)、第二沉淀池(6)、第一pH在线监测设备(7)、NaOH加药装置(8)、PAC加药装置(9)、第二pH在线监测设备(10)、MgO加药装置(11)和FeSO4加药装置(12)；第一pH调节池(1)、第一混凝反应池(2)、第一沉淀池(3)、第二pH调节池(4)、第二混凝反应池(5)和第二沉淀池(6)之间依次连通；所述NaOH加药装置(8)与第一pH调节池(1)和第二pH在线监测设备(10)相连通，且NaOH加药装置(8)通过第一pH在线监测设备(7)和第二pH在线监测设备(10)分别对第一pH调节池(1)和第二pH调节池(4)的pH值进行监测；所述PAC加药装置(9)与第一混凝反应池(2)相连通；所述MgO加药装置(11)和FeSO4加药装置(12)与第二混凝反应池(5)相连通。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产废水高效除硅的装置，其特征在于，所述第一pH调节池(1)中设置有第一潜水搅拌器，所述第一潜水搅拌器的转速为600
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900rmp；多晶硅废水在第一pH调节池(1)内部的停留时间为10
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30min。3.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产废水高效除硅的装置，其特征在于，所述第一混凝反应池(2)中设置第一桨式搅拌器，所述第一桨式搅拌器的转速为60
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100rpm。4.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产废水高效除硅的装置，其特征在于，所述第二pH调节池(4)中设置有第二潜水搅拌器，所述第二潜水搅拌器的转速为600
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900rpm；多晶硅废水在第二pH调节池(4)内部的停留时间为10
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30min。5.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产废水高效除...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈琳，李焱，付明鹏，
申请(专利权)人：伊沃环境科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：