快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法技术

本发明专利技术提供了一种存储器参考电流的温度系数的调节方法，包括：将存储单元的所有cell按照读取电流大小分为第一组cell和第二组cell，其中，第一组cell的读取电流大于第二组cell的读取电流；将参考单元作为第三组cell；量测第二组cell温度系数；查找第三组cell中bit位为0的MOS管作为待调节MOS管；调节待调节MOS管的栅源电压和/或阈值电压，以使得第三组cell的电流的温度系数与第二组cell的平均电流的温度系数相同。本发明专利技术调节了参考单元的温度系数，使得尾部cell的电流温度系数与参考单元的电流温度系数相同，从而使得参考单元的电流和尾部cell的电流是随温度同步变化的。流和尾部cell的电流是随温度同步变化的。流和尾部cell的电流是随温度同步变化的。

【技术实现步骤摘要】
快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法


[0001]本专利技术涉及存储器
，尤其是涉及一种快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法。

技术介绍

[0002]快闪存储器中，参考单元是具有和存储单元相同结构和工艺的闪存单元，位于快闪存储器中单独的一行(或一列)，为存储单元的读取操作提供参考电流。现有技术的参考单元采用与存储阵列相同的编程方式并被编程为“10”，参考单元整体上具有较大的电流和电流温度系数。参考单元由多个cell组成，每个cell的电流温度系数可能不同，参考单元对外的电流是所有cell电流的平均值组成，因此，参考单元的电流温度系数也是所有cell电流的平均值和温度之间相关性。当温度1摄氏度时，电流的相对变化为电流温度系数。如果温度上升1摄氏度，电流增大，则是正温度系数，如果温度上升，电流降低，则是负温度系数。如果上升1摄氏度，电流增加较大，则认为温度系数较大。
[0003]然而，存储单元的所有cell中有一小部分是尾部cell，尾部cell和参考单元相比具有较小的电流。在温度变化时，尾部cell和参考单元相比具有极小(甚至反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，其特征在于，包括：将存储单元的所有cell按照读取电流大小分为第一组cell和第二组cell，其中，所述第一组cell的读取电流大于所述第二组cell的读取电流，将参考单元作为第三组cell；量测所述第二组cell的温度系数；查找所述第三组cell中bit位为0的MOS管作为待调节MOS管；调节所述待调节MOS管的栅源电压和/或阈值电压，以使得所述第三组cell的电流的温度系数与所述第二组cell的平均电流的温度系数相同。2.如权利要求1所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，其特征在于，所述快闪存储器包括存储单元和参考单元。3.如权利要求1所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，其特征在于，将所述存储单元中，电流大于设定值的cell分为第一组cell，其余为第二组cell。4.如权利要求1所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，其特征在于，所述第三组cell包括bit位为0的MOS管和bit位为1的MOS管。5.如权利要求4所述的快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，其特征在于，所述第三组ce...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟岩，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：