【技术实现步骤摘要】
一种晶圆激光刻蚀烟雾净化装置
[0001]本技术涉及晶圆加工
，具体为一种晶圆激光刻蚀烟雾净化装置。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
[0003]目前在晶圆加工时，利用激光对晶圆进行刻蚀时，会产生烟雾，需要对烟雾进行净化处理，降低对环境的污染，传统的晶圆激光刻蚀烟雾净化装置在烟雾净化时仅采用一层净化，净化效果低，同时在净化后，为了防止影响净化效果，需要对净化箱进行及时清理。因此设计了一种晶圆激光刻蚀烟雾净化装置。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种晶圆激光刻蚀烟雾净化装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种晶圆激光刻蚀烟雾净化装置，包括底座和水箱，所述底座的上表面固定安装有吸风机，所述吸风机的输入端连通设置有进烟管，所述进烟管的另一端设置有吸烟罩，所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆激光刻蚀烟雾净化装置，包括底座(1)和水箱(2)，其特征在于：所述底座(1)的上表面固定安装有吸风机(3)，所述吸风机(3)的输入端连通设置有进烟管(4)，所述进烟管(4)的另一端设置有吸烟罩(5)，所述吸风机(3)的输出端连通设置有排烟管(6)，所述排烟管(6)的另一端设置在所述水箱(2)内，所述水箱(2)的底部连通设置有出水管(7)，所述出水管(7)上安装有出水阀门(8)，所述水箱(2)的顶部通过连接机构(9)设置有净化箱(10)，所述水箱(2)的顶部连通设置有第一连接管(11)，所述净化箱(10)的底部连通设置有第二连接管(12)，所述第一连接管(11)和所述第二连接管(12)通过锁紧组件(13)固定连接，所述净化箱(10)的内部设置有过滤网(14)，所述过滤网(14)的上方设置有活性炭吸附板(15)，所述净化箱(10)的顶部连通设置有出气管(16)。2.根据权利要求1所述的一种晶圆激光刻蚀烟雾净化装置，其特征在于：所述底座(1)的上表面焊接有支撑板(17)，所述进烟管(4)贯穿所述支撑板(17)且与所述支撑板(17)固定连接。3.根据权利要求1所述的一种晶圆激光刻蚀烟雾净化装置，其特征在于：所述水箱(2)的底部设置有倾斜板(18)，所述倾斜板(18)的底部设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡建军，
申请(专利权)人：苏州英尔捷半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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