【技术实现步骤摘要】
单晶炉副室清洁装置及方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种单晶炉副室清洁装置及方法。
技术介绍
[0002]晶棒的生长环境需要洁净的无尘环境,但是在晶棒的生长过程中会产生一定的氧化物粉尘,这些氧化物粉尘会附着在单晶炉的主、副炉室的腔壁上。在晶棒结束生长后,就要对附着在腔壁的氧化物粉尘进行清洁,防止影响下次的晶体生长环境。具体而言,若氧化物粉尘掉落到液面上,粉尘会随着晶体的生长进入晶体内部,会改变晶格的排列,导致晶棒断线。这样会导致不必要的晶棒产品损失,例如断线吊料、损失产品产出率等。若是再次回熔生长晶体,则会增加晶体生长过程使用的电力和材料成本消耗。此外,粉尘进入晶体后还会导致一些细微的晶体缺陷产生,导致产品报废。
[0003]对于炮筒式拉晶炉来说,其副室高度一般都在2~4米之间,内径在300~500mm左右,操作人员很难观察到腔内粉尘具体状况。通常,副室清洁作业主要是由操作人员手持较长的长杆,长杆头部包裹无尘布,将长杆头部在副室内腔做圆周运动同时逐步下降来刮擦内腔壁,以尽量擦拭腔室所有区域 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉副室清洁装置,其特征在于,包括:基座;可轴向伸缩的伸缩杆,所述伸缩杆包括轴向相对的顶端和底端,所述底端固定在所述基座上;用于驱动所述伸缩杆轴向伸缩的伸缩驱动部件,所述伸缩驱动部件连接至所述伸缩杆的底端;用于驱动所述伸缩杆旋转的旋转驱动组件,所述基座连接至所述旋转驱动组件上;清洁平台组件,所述清洁平台组件包括平台圆盘和多个顶块单元,所述平台圆盘同轴连接至所述伸缩杆的顶端,多个所述顶块单元周向分布在所述平台圆盘上,每个所述顶块单元沿所述平台圆盘的径向可伸缩,所述顶块单元上设有擦拭部件;控制器,与所述伸缩驱动部件、所述旋转驱动组件和所述顶块单元连接,用于控制所述伸缩驱动部件、所述旋转驱动组件和所述顶块单元的工作状态。2.根据权利要求1所述的单晶炉副室清洁装置,其特征在于,所述顶块单元包括:顶块头,所述擦拭部件设置在所述顶块头上;沿所述平台圆盘径向可伸缩的气缸推杆,所述顶块头连接至所述气缸推杆的一端;能够通过压缩空气驱动所述气缸推杆伸缩的气缸,所述气缸连接至所述气缸推杆的另一端;及收缩弹簧,所述收缩弹簧抵顶于所述顶块头与所述气缸之间。3.根据权利要求2所述的单晶炉副室清洁装置,其特征在于,所述清洁平台组件还包括用于向所述气缸供给压缩空气的供气组件,所述供气组件包括:螺旋气管,所述螺旋气管连通至所述气缸且沿所述平台圆盘周向设置在所述平台圆台的外侧;导气管,所述导气管的第一端与所述螺旋气管连通,所述导气管的第二端沿所述伸缩杆轴向延伸至所述基座;压缩空气机;气路旋转接头,所述导气管的第二端与所述压缩空气机之间通过所述气路旋转接头连接。4.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王阳,
申请(专利权)人:西安奕斯伟硅片技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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