一种高浪涌低电容NPNTVS器件结构制造技术

本发明专利技术公开一种高浪涌低电容NPNTVS器件结构，属于ESD防护领域，通过调整不同区域的版图，实现高浪涌和低电容参数的兼容。所述高浪涌低电容NPNTVS器件结构包括P型衬底、表面的N型注入结构N1、背面的N型注入结构N2；其中，所述表面的N型注入结构N1的尺寸D1用于实现高浪涌能力；所述背面的N型注入结构N2的尺寸D2用于实现低电容能力；所述表面的N型注入结构N1与阳极连接，所述背面的N型注入结构N2与阴极连接，所述P型衬底浮空，不与电极连接。本发明专利技术通过调整关键的版图尺寸可以有效调整浪涌和电容两个参数，实现高浪涌、低电容兼容的特性。低电容兼容的特性。低电容兼容的特性。

【技术实现步骤摘要】
一种高浪涌低电容NPN TVS器件结构


[0001]本专利技术涉及ESD防护
，特别涉及一种高浪涌低电容NPN TVS器件结构。

技术介绍

[0002]TVS是一种用于电压瞬变、浪涌电流及ESD防护的半导体器件，具有响应速度快、浪涌能力强、面积小等特点，被广泛应用在各类电子产品中，以提高产品的安全性和可靠性。
[0003]NPN结构的TVS器件，因为在浪涌电流的作用下具备snapback特性，抗浪涌能力较强，是TVS常用的器件结构；然而，在实际设计及应用过程中，高浪涌和低电容参数较难同时兼容。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种高浪涌低电容NPN TVS器件结构，以解决现有技术中高浪涌和低电容无法同时兼顾的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种高浪涌低电容NPN TVS器件结构，通过调整不同区域的版图，实现高浪涌和低电容参数的兼容；
[0006]所述高浪涌低电容NPN TVS器件结构包括P型衬底、表面的N型注入结构N1、背面的N型注入结构N2；其中，
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高浪涌低电容NPN TVS器件结构，其特征在于，通过调整不同区域的版图，实现高浪涌和低电容参数的兼容；所述高浪涌低电容NPN TVS器件结构包括P型衬底、表面的N型注入结构N1、背面的N型注入结构N2；其中，所述表面的N型注入结构N1的尺寸D1用于实现高浪涌能力；所述背面的N型注入结构N2的尺寸D2用于实现低电容能力；所述表面的N型注入结构N1与阳极连接，所述背面的N型注入结构N2与阴极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄龙，王涛，彭时秋，吴建伟，张世权，
申请(专利权)人：无锡中微晶园电子有限公司，
类型：发明
国别省市：