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本发明公开一种高浪涌低电容NPNTVS器件结构，属于ESD防护领域，通过调整不同区域的版图，实现高浪涌和低电容参数的兼容。所述高浪涌低电容NPNTVS器件结构包括P型衬底、表面的N型注入结构N1、背面的N型注入结构N2；其中，所述表面的N型...
该专利属于无锡中微晶园电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡中微晶园电子有限公司授权不得商用。

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