使用漏斗装置的单元干扰预防制造方法及图纸

本公开涉及使用漏斗装置的单元干扰预防。本发明专利技术的各种实施例包括设备及形成所述设备的方法。在一个实施例中，示范性设备包含多个存储器单元。所述存储器单元的至少一部分具有底部电极，其中每一底部电极与其余所述底部电极至少部分电隔离。至少一个电阻互连件电耦合两个或更多个所述底部电极。所述电阻互连件经布置以从所述两个或更多个底部电极排出至少一部分过量电荷。揭示额外设备及形成所述设备的方法。的方法。的方法。

【技术实现步骤摘要】
使用漏斗装置的单元干扰预防
[0001]分案申请的相关信息
[0002]本申请为专利技术名称为“使用漏斗装置的单元干扰预防”、申请号为201780073080.5、申请日为2017年10月31日的中国专利技术专利申请的分案申请。
[0003]优先权申请案
[0004]本申请案主张2016年11月1日申请的序列号为15/340,682的美国申请案的优先权的权益，所述申请案的全文通过引用的方式并入本文中。


[0005]本公开涉及使用漏斗装置的单元干扰预防。

技术介绍

[0006]计算机及其它电子系统(例如，数字电视、数字照相机及蜂窝式电话)通常具有一或多个存储器装置以存储信息。存储器装置的尺寸日益减小以实现更高密度的存储容量。即使实现了增加的密度，消费者通常还要求存储器装置在保持存储于存储器装置中的数据的高速存取及稳定性时使用更少电力。

技术实现思路

[0007]一方面，本公开提供了一种设备，其包括：多个电子装置，所述多个电子装置中的每个电子装置的至少一部分具有底部电极，所述底部电极与其它电子装置的所述底部电极至少部分地电隔离；以及电阻互连件，其电耦合到所述底部电极中的两个或更多个底部电极，所述电阻互连件经配置以从所述两个或更多个底部电极排出至少一部分过量电荷。
[0008]另一方面，本公开还提供了一种方法，其包括：形成多个电子装置，所述多个电子装置中的每一装置具有至少一个电极；以及形成漏斗装置以电耦合所述多个电子装置的所述电极的至少一部分，所述漏斗装置用于从所述电极的所述至少一部分排出至少一部分过量电荷。
[0009]另一方面，本公开还提供了一种设备，其包括：多个存储器单元，其以行和列设置，所述多个存储器单元中的每一存储器单元具有底部电极，所述底部电极与所述多个存储器单元中的其它存储器单元的所述底部电极至少部分电隔离；多个漏斗装置，其均包括电阻互连件，其中所述多个漏斗装置中的一个漏斗装置在所述多个存储器装置的相应行内耦合到所述底部电极中的每一者，每个漏斗装置经配置以从所述底部电极排出至少一部分过量电荷以防止存储器单元干扰，同时不使所述底部电极中的相应底部电极电气短路；以及接触线，其将所述多个漏斗装置中的每一者电耦合到放电结构。
[0010]另一方面，本公开还提供了一种设备，其包括：多个电子装置，其均具有电极节点和直接耦合到所述电极节点的电极，所述多个电子装置中的所述电极节点彼此至少部分地电隔离；以及漏斗装置，其包括直接耦合到所述多个底子装置的两个或更多个电极节点中的每个节点的互连线，并且经配置以从所述两个或更多个电极节点排出至少一部分过量电
荷。
[0011]另一方面，本公开还提供了一种方法，其包括：使用包括直接耦合到两个或更多个电极节点中的每一者的互连线的漏斗装置从多个电极节点中的所述两个或更多个电极节点排出至少一部分过量电荷，所述多个电极节点彼此至少部分地电隔离并且均耦合到多个电子设备中的一个电子设备的电极。
[0012]另一方面，本公开还提供了一种设备，其包括：多个电子装置，其均具有电极节点和直接耦合到所述电极节点的电极，所述多个电子装置的所述电极节点彼此至少部分地电隔离；用于从所述电极节点排出至少一部分过量电荷的装置；以及用于将所述电极节点电耦合到所述用于排出的装置的装置，其包括将多个电极节点中的两个或更多个电极节点直接耦合到所述用于排出的装置的装置。
[0013]另一方面，本公开还提供了一种系统，其包括：控制器；存储器装置，其耦合到所述控制器；以及移位寄存器，其耦合到所述控制器，其中所述控制器、所述存储器装置和所述移位寄存器中的至少一个包括：多个存储器单元，其均具有电极，所述电极与所述多个存储器单元中的其它存储器单元的所述电极部分地电隔离；以及漏斗装置，其电耦合到所述多个存储器单元的多个电极且经配置以从所述多个电极排出至少一部分过量电荷。
[0014]另一方面，本公开还提供了一种方法，其包括：防止包括控制器、存储器装置和移位寄存器的系统中的存储器单元干扰包括使用电耦合到多个电极的漏斗装置从所述控制器、所述存储器装置或所述移位寄存器中的多个存储器单元的所述多个电极排出至少一部分过量电荷，所述多个电极彼此至少部分地电隔离。
[0015]另一方面，本公开还提供了一种存储器装置，其包括：多个存储器单元，其以行和列设置，所述多个存储器单元均具有电极，所述电极与所述多个存储器单元中的其它存储器单元的所述电极至少部分电隔离；以及多个漏斗装置，其均在所述多个存储器单元的相应行内耦合到电极，且经配置以在所述多个存储器单元的所述行内从电耦合的电极排出至少一部分过量电荷。
附图说明
[0016]图1A是根据实施例的具有电耦合到底部电极的单个存取装置的存储器装置的电示意图；
[0017]图1B是根据实施例的具有两个存取装置的存储器装置的电示意图，其中第一存取装置电耦合到底部电极，且第二存取装置电耦合到顶部电极；
[0018]图2A是存储器阵列的一部分的横截面图的实施例，其展示底部节点漏斗装置的第一位置；
[0019]图2B及2C展示图2A的底部节点漏斗装置的替代布置的各种实施例的平面图；
[0020]图3A是存储器阵列的一部分的横截面图的实施例，其展示底部节点漏斗装置的替代位置；
[0021]图3B及3C展示图3A的底部节点漏斗装置的替代布置的各种实施例的平面图；
[0022]图4展示根据图2A或图3A的底部节点漏斗装置的存储器阵列的一部分的横截面图的实施例，其展示能够耦合到衬底以减少或消除底部电极上的过量电荷的底部节点漏斗装置；
[0023]图5A及5B展示根据图2A、3A及4中展示的实施例而并入有底部节点漏斗装置的存储器阵列的实施例的平面图；
[0024]图6是制造根据图2A、3A及4中展示的实施例的装置的方法的高阶流程图的实例；及
[0025]图7是系统实施例的框图，其包含存储器装置。
具体实施方式
[0026]以下描述包含体现专利技术主题的说明性设备(电路系统、装置、结构、系统及其类似者)及方法(例如，过程、序列、技术及科技)。在以下描述中，出于解释的目的，阐述许多特定细节以提供对主题的各种实施例的理解。然而，在阅读本专利技术之后，所属领域的一般技术人员将明白可在无这些具体细节的情况下实践主题的各种实施例。此外，未详细展示熟知设备及方法以免混淆各种实施例的描述。此外，如所属领域的一般技术人员所理解，本文中可采用的相对术语(例如，顶部、底部、上部、下部等)仅用来传达所揭示的一般概念且应不被视为绝对术语。举例来说，“底部”节点可依据所采用的实际制造序列而实际上形成于存储器单元上方。
[0027]许多(如果非大多数)初级存储器单元干扰机制归因于单元底部(CB)电极节点处的电势而建立。如下文所更详细论述，此干扰机制适用于铁电RAM(FERAM)。然而，其它类型的电子装置也可受益于所揭示的主题。
[0028]在实施例中，存储器阵列中的存储器单元中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：多个电子装置，所述多个电子装置中的每个电子装置的至少一部分具有底部电极，所述底部电极与其它电子装置的所述底部电极至少部分地电隔离；以及电阻互连件，其电耦合到所述底部电极中的两个或更多个底部电极，所述电阻互连件经配置以从所述两个或更多个底部电极排出至少一部分过量电荷。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个电子装置中的至少一些包括铁电材料。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个电子装置包括存储器阵列。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述电阻互连件包括单个互连线。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述电阻互连件包括多个互连线。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述电阻互连件包括单层材料。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述电阻互连件包括多层材料，通过相应电介质层而使所述多层中的每一层彼此分离。8.一种方法，其包括：形成多个电子装置，所述多个电子装置中的每一装置具有至少一个电极；以及形成漏斗装置以电耦合所述多个电子装置的所述电极的至少一部分，所述漏斗装置用于从所述电极的所述至少一部分排出至少一部分过量电荷。9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括在所述漏斗装置与衬底之间形成接触线，所述多个电子装置形成于所述衬底上，其中所述接触线以第一端耦合到所述漏斗装置并以第二端耦合到所述衬底。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述接触线包括至少一个导电材料，所述至少一个导电材料选自包括金属、过渡金属、含有金属的组分、导电掺杂半导体材料以及金属或过渡金属的氮氧化物的导电材料。11.一种设备，其包括：多个存储器单元，其以行和列设置，所述多个存储器单元中的每一存储器单元具有底部电极，所述底部电极与所述多个存储器单元中的其它存储器单元的所述底部电极至少部分电隔离；多个漏斗装置，其均包括电阻互连件，其中所述多个漏斗装置中的一个漏斗装置在所述多个存储器装置的相应行内耦合到所述底部电极中的每一者，每个漏斗装置经配置以从所述底部电极排出至少一部分过量电荷以防止存储器单元干扰，同时不使所述底部电极中的相应底部电极电气短路；以及接触线，其将所述多个漏斗装置中的每一者电耦合到放电结构。12.根据权利要求11所述的设备，其中所述多个漏斗装置的的每一者包括选自包括非晶硅、氧化铌和氮化硅的材料中的至少一种材料。13.根据权利要求11所述的设备，其中所述多个存储器单元中的每一者通过所述漏斗装置中的至少一个在给定行内并跨邻近行彼此耦合。14.一种设备，其包括：多个电子装置，其均具有电极节点和直接耦合到所述电极节点的电极，所述多个电子装置中的所述电极节点彼此至少部分地电隔离；以及漏斗装置，其包括直接耦合到所述多个底子装置的两个或更多个电极节点中的每个节
点的互连线，并且经配置以从所述两个或更多个电极节点排出至少一部分过量电荷。15.根据权利要求14所述的设备，其中所述多个电子装置包括存储器阵列。16.根据权利要求14所述的设备，其进一步包括衬底，其中所述多个电子装置形成在所述衬底上，且其中所述互连线电耦合到所述衬底。17.根据权利要求14所述的设备，其中所述漏斗装置包括电阻互连件，所述电阻互连件包括所述互连线。18.根据权利要求17所述的设备，其中所述电阻互连件包括所述互连线和一个或多个额外互连线，所述一个或多个额外互连线均直接耦合到所述多个电子装置的未直接耦合到所述互连线的两个或更多个剩余电极节点中的每个节点。19.一种方法，其包括：使用包括直接耦合到两个或更多个电极节点中的每一者的互连线的漏斗装置从多个电极节点中的所述两个或更多个电极节点排出至少一部分过量电荷，所述多个电极节点彼此至少部分地电隔离并且均耦合到多个电子设备中的一个电子设备的电极。20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括将至少一部分过量电荷排出到其上形成有所述多个电子装置的衬底。21.根据权利要求19所述的方法，其中使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：