透明导电性膜的制造方法技术

本发明专利技术提供一种包含金属纳米线且电阻的均匀性优异的透明导电性膜。本发明专利技术的透明导电性膜具备基材和配置于该基材的至少单侧的透明导电层，该基材的透明导电层侧的面是经表面处理的面，且该透明导电层包含金属纳米线。在一个实施方式中，上述透明导电层直接配置于上述基材。述基材。述基材。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明导电性膜的制造方法


[0001]本专利技术涉及透明导电性膜的制造方法。

技术介绍

[0002]先前，在具有触控传感器的图像显示设备中，作为触控传感器的电极，大多使用在透明树脂膜上形成ITO(铟
‑
锡复合氧化物)等金属氧化物层所获得的透明导电性膜。然而，该具备金属氧化物层的透明导电性膜容易因弯曲而失去导电性，存在柔性显示器等需要具有弯曲性的用途中难以使用的问题。
[0003]作为高弯曲性的透明导电性膜，已知有具备包含金属纳米线的透明导电层的透明导电性膜。金属纳米线是直径为纳米尺寸的线状导电性物质。在由金属纳米线构成的透明导电层中，通过使金属纳米线为网眼状，能够利用少量的金属纳米线形成良好的导电路径，并且在网眼的间隙形成开口部而实现高透光率。
[0004]另一方面，在透明导电性膜中，要求电阻具有面内均匀性。在如上所述的包含金属纳米线的透明导电层中，金属纳米线分布不均所导致的电阻偏差成为问题。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特表2009
‑
505358号公报
[0008]专利文献1：日本专利第6199034号

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的课题
[0010]本专利技术是为解决上述问题而成者，其目的在于提供一种包含金属纳米线且电阻的均匀性优异的透明导电性膜。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]本专利技术的透明导电性膜具备基材和配置于该基材的至少单侧的透明导电层，该基材的透明导电层侧的面是经表面处理的面，且该透明导电层包含金属纳米线。
[0013]在一个实施方式中，上述透明导电层直接配置于上述基材。
[0014]在一个实施方式中，上述基材包含基材膜。
[0015]在一个实施方式中，上述基材为单层构成。
[0016]在一个实施方式中，上述基材具备配置于基材膜的至少单侧的硬涂层，且上述透明导电层配置于该基材的硬涂层侧。
[0017]在一个实施方式中，上述透明导电性膜的表面电阻值的方差为10[(Ω/
□
)2]以下。
[0018]在一个实施方式中，上述表面处理为等离子体处理或电晕处理。
[0019]在一个实施方式中，上述基材膜由聚酯系树脂或环烯烃系树脂构成。
[0020]在一个实施方式中，上述金属纳米线为银纳米线。
[0021]在一个实施方式中，上述基材的表面处理面与水的接触角为90
°
以下。
[0022]专利技术效果
[0023]根据本专利技术，能够提供一种包含金属纳米线且电阻的均匀性优异的透明导电性膜。
附图说明
[0024]图1是本专利技术的一个实施方式的透明导电性膜的概略剖视图。
[0025]图2是另一个实施方式的透明导电性膜的概略剖视图。
具体实施方式
[0026]A.透明导电性膜的概要
[0027]图1是本专利技术的一个实施方式的透明导电性膜的概略剖视图。本实施方式的透明导电性膜100具备基材10和配置于基材10的至少单侧的透明导电层20。图2是另一个实施方式的透明导电性膜的概略剖视图。在本实施方式的透明导电性膜200中，基材10'为2层构成，基材10'包含基材膜11和配置于基材膜11的至少单侧的硬涂层12。在该实施方式中，透明导电层20配置于基材10'的硬涂层12侧。
[0028]上述透明导电层20包含金属纳米线。
[0029]基材10的透明导电层20侧的面是经表面处理的面。在本专利技术中，透明导电层可通过涂布金属纳米线的分散液而形成，但因基材10经过表面处理，该分散液的涂布层中的金属纳米线的凝聚得到抑制，该分散液的涂布厚度变得均匀，从而能够获得电阻值(薄片电阻值)的面内均匀性优异的透明导电性膜。
[0030]优选上述透明导电层直接(即不介隔其它层)配置于基材。另外，上述透明导电性膜可于透明导电层的与基材相反的侧还具备任意合适的其它层，但未图示。例如可配置由任意合适的有机材料(例如固化型树脂、导电性树脂)、无机材料(例如二氧化硅、氧化铝等)构成的保护层。
[0031]在一个实施方式中，上述透明导电性膜可为长条状。
[0032]透明导电性膜的表面电阻值优选为0.1Ω/
□
～1000Ω/
□
，更优选为0.5Ω/
□
～300Ω/
□
，特别优选为1Ω/
□
～200Ω/
□
。表面电阻值可使用Napson株式会社制造的非接触表面电阻计(商品名「EC
‑
80」)，利用涡电流法而测得。上述表面电阻值可为随机抽选的5点的平均值。
[0033]上述透明导电性膜的表面电阻值的方差优选为10[(Ω/
□
)2]以下，更优选为8[(Ω/
□
)2]以下，进而优选为5[(Ω/
□
)2]以下。该方差值是根据随机抽选的5点的测定值来求出的。
[0034]上述透明导电性膜的雾度值优选为20％以下，更优选为10％以下，进而优选为0.1％～5％。
[0035]上述透明导电性膜的总光线透过率优选为30％以上，更优选为35％以上，特别优选为40％以上。
[0036]B.基材
[0037]如上所述，基材可为1层构成，也可为2层构成。另外，还可为3层以上的多层构成。1
层构成的基材可由基材膜构成。在一个实施方式中，多层构成的基材由基材膜和硬涂层构成。基材的厚度优选为20μm～220μm，更优选为30μm～120μm。基材的总光线透过率优选为30％以上，更优选为35％以上，进而优选为40％以上。
[0038]如上所述，对基材的至少单面(基材膜表面或硬涂层表面)进行了表面处理。作为表面处理，例如可列举出等离子体处理或电晕处理。
[0039]作为等离子体处理，具体而言，可列举出将氧、氮、氢、二氧化碳、四氯化碳、氟化合物、不活泼性气体或它们的混合气体用作反应气体的等离子体处理。关于等离子体处理的条件，可根据基材的种类等而设定为任意合适的条件。等离子发射量例如可设为1W～2000W，处理速度例如可设为3000mm/min～2000mm/min。
[0040]关于电晕处理的条件，可根据基材的种类等而设定为任意合适的条件。电晕处理中的照射能量例如为6kW
·
min/m2～150kW
·
min/m2。
[0041]上述基材的表面处理面与水的接触角优选为90
°
以下，更优选为50
°
～90
°
，进一步优选为60
°
～85
°
。若处于此种范围内，则本专利技术的上述效果变得显著。
[0042]作为构成上述基材膜的材料，可使用任意合适的材料。具体而言，例如优选使用高分子膜。构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种透明导电性膜，其具备基材和配置于该基材的至少单侧的透明导电层，该基材的透明导电层侧的面是经表面处理的面，该透明导电层包含金属纳米线。2.如权利要求1所述的透明导电性膜，其中，所述透明导电层直接配置于所述基材上。3.如权利要求1或2所述的透明导电性膜，其中，所述基材包含基材膜。4.如权利要求1至3中任一项所述的透明导电性膜，其中，所述基材为单层构成。5.如权利要求3所述的透明导电性膜，其中，所述基材还具备配置于基材膜的至少单侧的硬涂层，所述透明导电层配置于该基材的硬涂层侧。6.如权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：长原一平，长濑纯一，桥本尚树，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：