微半导体芯片转移基板和制造显示装置的方法制造方法及图纸

提供了一种微半导体芯片转移基板，该微半导体芯片转移基板包括基础基板、提供在基础基板上沿彼此平行的方向延伸并彼此间隔开的导轨、以及在导轨之间提供在基础基板中并配置为容纳微半导体芯片的多个凹槽。容纳微半导体芯片的多个凹槽。容纳微半导体芯片的多个凹槽。

【技术实现步骤摘要】
微半导体芯片转移基板和制造显示装置的方法


[0001]本公开的示例实施方式涉及微半导体芯片转移基板和制造显示装置的方法。

技术介绍

[0002]液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器广泛用作显示装置。近来，对于使用微型发光器件(微型LED)制造高分辨率显示装置的技术越来越感兴趣。
[0003]采用微型LED的显示装置通过使用许多技术制造，诸如将具有微型尺寸的微型LED转移到显示装置的所需像素位置的技术、修复微型LED的方法和实现所需颜色的方法。

技术实现思路

[0004]一个或更多个示例实施方式提供了用于更精确地转移微半导体芯片的转移结构。
[0005]一个或更多个示例实施方式提供了通过精确转移微半导体芯片制造显示装置的方法。
[0006]附加方面将部分在以下描述中阐述，部分将从描述中显而易见，或可通过示例实施方式的实践了解。
[0007]根据一示例实施方式的一方面，提供了一种微半导体芯片转移基板，包括：基础基板；导轨，提供在基础基板上，沿彼此平行的方向延伸并彼此间隔开；以及多个凹槽，在导轨之间提供在基础基板中并配置为容纳微半导体芯片。
[0008]基础基板可以包括多个像素，导轨在所述多个像素之间沿相同方向彼此平行延伸，其中所述多个像素当中的一个对应于所述多个凹槽当中的三个。
[0009]所述多个像素中的每个可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一导轨和最靠近该第一导轨的第一子像素之间的间隙以及第二导轨和最靠近该第二导轨的第三子像素之间的间隙可以大于微半导体芯片的最大宽度。
[0010]所述多个像素中的每个可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素和第二子像素之间的间隙以及第二子像素和第三子像素之间的间隙可以大于微半导体芯片的最大宽度。
[0011]基础基板可以包括多个像素，所述多个像素当中的两个或更多个像素可以沿与导轨延伸的方向垂直的方向提供在导轨之间。
[0012]基础基板可以包括基板和提供在基板上的转移模具，所述多个凹槽可以提供在转移模具中。
[0013]导轨可以配置为可附接到基础基板和从基础基板可拆卸。
[0014]基础基板可以包括多个像素，所述多个像素中的每个可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且第一子像素中包括的凹槽、第二子像素中包括的凹槽和第三子像素中包括的凹槽可以具有彼此不同的截面形状。
[0015]基础基板可以包括多个像素，导轨可以包括在所述多个像素之间突出的突起。
[0016]所述多个凹槽可以包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，第一凹槽、第二凹槽和第
三凹槽可以在与导轨延伸的方向垂直的方向上提供成一行、以锯齿形图案提供或在导轨之间在对角线方向上提供。
[0017]每个导轨的入口部分可以具有渐缩结构，该渐缩结构具有逐渐减小的宽度。
[0018]微半导体芯片转移基板还可以包括提供在导轨之间的子导轨，子导轨配置为将微半导体芯片朝向所述多个凹槽引导。
[0019]微半导体芯片转移基板还可以包括在导轨的表面和基础基板的表面上的精细凹凸图案。
[0020]微半导体芯片可以包括发光二极管(LED)、互补金属氧化物半导体(CMOS)、CMOS图像传感器(CIS)、垂直腔表面发射激光器(VCSEL)、光电二极管(PD)、存储器件或二维(2D)材料器件中的至少一种。
[0021]微半导体芯片可以转移在凹槽中。
[0022]根据一示例实施方式的另一方面，提供了一种制造显示装置的方法，该方法包括：准备包括多个凹槽的基础基板；在基础基板上形成导轨，导轨彼此间隔开且彼此平行；向基础基板中的多个凹槽供应液体；向基础基板供应微半导体芯片；以及通过用配置为吸收液体的液体吸收器在导轨之间扫描基础基板，将微半导体芯片第一转移到所述多个凹槽中；以及将微半导体芯片第二转移到包括驱动电路的驱动电路板。
[0023]液体的供应可以通过喷雾法、分配法、喷墨点法和/或配置为允许液体在基础基板上流动的方法执行。
[0024]液体的供应和微半导体芯片的供应可以同时执行。。
附图说明
[0025]通过以下结合附图的描述，示例实施方式的上述和/或其他方面、特征和优点将更加明显，其中：
[0026]图1为示出根据一示例实施方式的微半导体芯片转移基板的俯视图；
[0027]图2为沿图1中线A
‑
A截取的剖视图；
[0028]图3为示出图1所示微半导体芯片转移基板的基础基板的示例的图，其包括基板和转移模具；
[0029]图4和图5为示出根据一示例实施方式的制造显示装置的方法的视图；
[0030]图6为示出根据一示例实施方式的转移结构的图，其中微半导体芯片排列成行；
[0031]图7为示出根据一示例实施方式的转移结构的图，其中微半导体芯片以锯齿形排列；
[0032]图8为示出根据一示例实施方式的转移结构的图，其中微半导体芯片沿对角线方向排列；
[0033]图9为示出根据一示例实施方式的另一转移结构的图，其中微半导体芯片以锯齿形排列；
[0034]图10为示出根据一示例实施方式的具有渐缩形状的微半导体芯片转移基板的示例的图；
[0035]图11为示出根据一示例实施方式的包括形成在导轨上的突起的微半导体芯片转移基板的示例的图；
[0036]图12为示出根据一示例实施方式的包括精细凹凸图案的微半导体芯片转移基板的示例的图；
[0037]图13为示出根据一示例实施方式的包括子导轨的微半导体芯片转移基板的示例的图；
[0038]图14为示出根据一示例实施方式的包括子像素中具有不同形状的凹槽的微半导体芯片转移基板的示例的图；
[0039]图15为示出根据一示例实施方式的微半导体芯片转移基板的基础基板的示例的图，该基础基板包括驱动电路；
[0040]图16、图17和图18为示出根据一示例实施方式的将微半导体芯片从微半导体芯片转移基板重新转移到驱动电路板的示例的图；
[0041]图19、图20和图21为示出根据示例实施方式的包括颜色转换层的微半导体芯片转移基板的示例的图。
[0042]图22为示出根据一示例实施方式的电子设备的示意框图；
[0043]图23为示出根据一示例实施方式的其中显示装置应用于移动设备的示例的图；
[0044]图24为示出根据一示例实施方式的其中显示装置应用于车辆显示装置的示例的图；
[0045]图25为示出根据一示例实施方式的其中显示装置应用于增强现实眼镜的示例的图；
[0046]图26为示出根据一示例实施方式的其中显示装置应用于标牌的示例的图；以及
[0047]图27为示出根据一示例实施方式的其中显示装置应用于可穿戴显示器的示例的图。
具体实施方式
[0048]现在将对实施方式进行详细说明，其示例在附图中示出，其中相同的附图标记始本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微半导体芯片转移基板，包括：基础基板；导轨，提供在所述基础基板上，在彼此平行的方向上延伸并且彼此间隔开；以及多个凹槽，提供在所述导轨之间在所述基础基板中，并配置为容纳微半导体芯片。2.根据权利要求1所述的微半导体芯片转移基板，其中所述基础基板包括多个像素，并且所述导轨在所述多个像素之间沿相同方向彼此平行延伸，其中所述多个像素当中的一个对应于所述多个凹槽当中的三个。3.根据权利要求2所述的微半导体芯片转移基板，其中所述多个像素中的每个包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，以及其中第一导轨和最靠近所述第一导轨的第一子像素之间的间隙以及第二导轨和最靠近所述第二导轨的第三子像素之间的间隙大于所述微半导体芯片的最大宽度。4.根据权利要求2所述的微半导体芯片转移基板，其中所述多个像素中的每个包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，以及其中所述第一子像素和所述第二子像素之间的间隙以及所述第二子像素和所述第三子像素之间的间隙大于所述微半导体芯片的最大宽度。5.根据权利要求1所述的微半导体芯片转移基板，其中所述基础基板包括多个像素，并且所述多个像素当中的两个或更多个像素在与所述导轨延伸的方向垂直的方向上提供在所述导轨之间。6.根据权利要求1所述的微半导体芯片转移基板，其中所述基础基板包括基板和提供在所述基板上的转移模具，以及其中所述多个凹槽提供在所述转移模具中。7.根据权利要求1所述的微半导体芯片转移基板，其中所述导轨被配置为可附接到所述基础基板和从所述基础基板可拆卸。8.根据权利要求1所述的微半导体芯片转移基板，其中所述基础基板包括多个像素，其中所述多个像素中的每个包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，以及其中包括在所述第一子像素中的凹槽、包括在所述第二子像素中的凹槽和包括在所述第三子像素中的凹槽具有彼此不同的截面形状。9.根据权利要求1所述的微半导体芯片转移基板，其中所述基础基板包括多个像素，并且所述导轨包括在所述多个像素之间突出的突起。10.根据权利要求1所述的微半导体芯片转移基板，其中所述多个凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，以及其中所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄京旭，黄俊式，金东均，金东湖，金铉埈，朴俊勇，洪硕佑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：