一种存储器件及其制造方法、电子设备技术

本申请实施例公开了一种存储器件及其制造方法、电子设备，存储器件包括衬底、衬底上的存储层、贯穿存储层的隔离沟槽、隔离沟槽中填充的绝缘材料、纵向贯穿绝缘材料的导体塞，存储层可以包括交替层叠的多层铁电层和多层导体层，在隔离沟槽的侧壁上，铁电层具有凸出导体层的凸出部分，导体塞与铁电层的凸出部分接触，而与导体层通过绝缘材料隔离开，这样铁电层、与铁电层接触的导体层、与铁电层接触的导体塞可以构成一个存储单元，互不接触的导体层和导体塞可以作为两个电极，也就是说，本申请实施例中通过铁电层和导体层的堆叠实现铁电存储器的三维化，提高器件的存储密度，同时降低刻蚀难度，提高刻蚀精度以及可靠性，提高器件性能。件性能。件性能。件性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：李小波，秦健鹰，杨喜超，胡小剑，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：