一种深沟道半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种深沟道半导体器件及其制作方法，包括衬底，位于衬底一侧的外延层，位于外延层中的多个沟槽，沟槽包括第一沟槽和多个第二沟槽，第一沟槽包括沿第一方向延伸，沿第二方向排列的第一沟槽分部以及沿第二方向延伸，沿第一方向排列的第二沟槽分部，第一方向和第二方向相交且均与衬底所在平面平行，第二沟槽位于第一沟槽的限定区域内，位于第一沟槽内的控制栅极以及位于第二沟槽内的辅助栅极，设置第一沟槽分部与第二沟槽分部相交，形成多个限定区域，进而通过将第二沟槽位于第一沟槽的限定区域内，可以在保证电耦平衡的同时将垂直于第一沟槽方向的应力分为沿第一方向的应力和沿第二方向的应力，使得受力均衡，改善晶圆的翘曲度问题。善晶圆的翘曲度问题。善晶圆的翘曲度问题。

【技术实现步骤摘要】
一种深沟道半导体器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种深沟道半导体器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]和传统金氧半场效晶体管相比，深沟道双栅极金氧半场效晶体管有更好的品质因数。由于采用电藕平衡设计，分裂栅型功率金氧半场效晶体管能够同时实现低导通电阻(Rdson)和低反向传输电容(crss)，从而降低系统的导通损耗和开关损耗，提高电子产品的使用效率。但是在耐压超过100V以后往往就需要更深的沟槽和更厚的沟槽内部SiO2层来达到理想的品质因数。但是由于SiO2和Si的热膨胀系数有着很大的差异，在制备过程中往往需要上千度的高温，在晶圆冷却下来后。晶圆往往会形成马鞍行的翘曲。随着晶圆的增大到200mm或者300mm直径，这个翘曲会越专利技术显。这种翘曲的存在导致的问题有：1)机械手臂搬送过程中产生滑片2)真空吸附工艺平台无法实现对晶圆的良好吸附导致光刻工艺中严重影响光刻精度和对准精度；3)晶圆减薄后翘曲更加严重造成测试和封装的困难。因此，如何改善晶圆的翘曲度，是深沟槽类产品批量生产过程中的主要瓶颈之一。深沟道分裂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深沟道半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的外延层；位于所述外延层中的多个沟槽；所述沟槽包括第一沟槽和多个第二沟槽；所述第一沟槽包括沿第一方向延伸，沿第二方向排列的第一沟槽分部以及沿所述第二方向延伸，沿所述第一方向排列的第二沟槽分部，所述第一方向和所述第二方向相交且均与所述衬底所在平面平行；所述第二沟槽位于所述第一沟槽的限定区域内，以保证电耦平衡的同时使得受力均衡；位于所述第一沟槽内的控制栅极以及位于所述第二沟槽内的辅助栅极。2.根据权利要求1所述的深沟道半导体器件，其特征在于，所述第一沟槽分部和所述第二沟槽分部相互相交形成网格状第一沟槽；所述第二沟槽位于所述网格状第一沟槽的网眼中。3.根据权利要求1所述的深沟道半导体器件，其特征在于，沿所述外延层的厚度方向，所述第一沟槽的深度为H1，所述第二沟槽的深度为H2，其中，H1＜H2。4.根据权利要求1所述的深沟道半导体器件，其特征在于，所述深沟道半导体器件还包括位于所述外延层远离所述衬底的一侧的阱区层以及位于所述阱区层远离所述衬底一侧的源区层；沿所述外延层的厚度方向，所述阱区层与所述沟槽错开设置，所述源区层与所述沟槽错开设置。5.根据权利要求4所述的深沟道半导体器件，其特征在于，所述深沟道半导体器件还包括栅极和源极；所述源极位于所述源区层远离所述阱区层的一侧；所述控制栅极与栅极连接，所述辅助栅极以及所述源区层通过金属导线与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗志云，潘梦渝，王飞，
申请(专利权)人：恒泰柯半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：