环形栅SiCMOSFET功率器件及制作方法技术

本发明专利技术公开一种环形栅SiC MOSFET功率器件及制作方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属层、SiC衬底、漂移层、在漂移层上开设的两个环形阱区，两个源区分别设置于环形阱区内部；内阱区内部的为MOSFET功率器件的第一源区，外阱区内部的为MOSFET功率器件的第二源区；第一源区和第二源区上方设置有源极金属区；栅极设置于内阱区和外阱区上方的源极金属区之间；内阱区与第一源区形成第一PN结，外阱区与第二源区形成第二PN结。该器件形成的导电沟道为围绕栅极的结构，所以纵向电流分布为环形，避免了电流集中，降低了器件内部的电流密度，改善内部的电流分布情况，降低器件内部电流集中，降低器件导通电阻。降低器件导通电阻。降低器件导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
环形栅SiC MOSFET功率器件及制作方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种环形栅SiC MOSFET功率器件及制作方法。

技术介绍

[0002]碳化硅SiC材料因其优越的物理特性，广泛受到人们的关注和研究。其高温大功率电子器件具备输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、耐高温高压等优点，在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛应用。
[0003]然而在相关技术中，普通SiC器件的栅极漏极和源极都是集中在内部，存在着器件内部电流集中，部分区域电流密度高，部分区域无电流的情况，对器件性能存在一些影响。此外，因为传统MOS管器件的导电沟道都处于中心区域，所以还存在器件电流分布在内部，不容易散热的情况。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种环形栅SiC MOSFET功率器件及制作方法，解决半导体器件电流密度分布不均匀和散热困难的问题。
[0005]一方面，本申请提供一种环形栅SiC MOSFET功率器件，包括漏极金属层、位于所述漏极金属层上方的碳化硅SiC衬底、位于所述S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种环形栅SiC MOSFET功率器件，其特征在于，包括漏极金属层(1)、位于所述漏极金属层(1)上方的碳化硅SiC衬底(2)、位于所述SiC衬底(2)上方的漂移层(3)、在所述漂移层(3)上开设的两个环形阱区(4)，两个源区(5)分别设置于所述环形阱区(4)内部；其中，内阱区(41)内部的为MOSFET功率器件的第一源区(51)，外阱区(42)内部的为MOSFET功率器件的第二源区(52)；所述第一源区(51)和所述第二源区(52)上方设置有源极金属区(7)；栅极(8)设置于所述内阱区(41)和所述外阱区(42)上方的所述源极金属区(7)之间，形成环形结构；所述内阱区(41)与所述第一源区(51)形成第一PN结(91)，所述外阱区(42)与所述第二源区(52)形成第二PN结(92)。2.根据权利要求1所述的环形栅SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述内阱区(41)与所述外阱区(42)为同心圆结构，纵向深度相同；所述内阱区(41)在MOSFET功率器件中心形成圆形结构，构成MOSFET功率器件的第一源极；所述外阱区(42)将所述内阱区(41)包围在内部，形成环形结构，构成MOSFET功率器件的第二源极。3.根据权利要求2所述的环形栅SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述第一源极上方设置有圆形的第一源极金属区(71)，所述第二源极上方设置有环形的第二源极金属区(72)。4.根据权利要求3所述的环形栅SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述第一源极和所述第二源极之间的所述漂移层(3)形成环形导电沟道(31)。5.根据权利要求4所述的环形栅SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述环形导电沟道(31)上方设置有栅极绝缘区(6)，形成环形结构，且所述栅极绝缘区(6)内外分边别横向延伸到两个环形阱区上方，与MOSFET功率器件的两个源区接触。6.根据权利要求5所述的环形栅SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述栅极(8)位于所述栅极绝缘区(6)上方，形成环形平面栅结构。7.根据权利要求1
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6任一所述的环形栅SiC MOSFET功率器件，其特征在于，两个环形阱区(4)为P型区。8.一种环形栅SiC MOSFET功率器件制作方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗寅，谭在超，丁国华，
申请(专利权)人：苏州锴威特半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：