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本发明公开一种环形栅SiC MOSFET功率器件及制作方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属层、SiC衬底、漂移层、在漂移层上开设的两个环形阱区，两个源区分别设置于环形阱区内部；内阱区内部的为MOSFET功率器件的第一源区，外阱区内部的为M...
该专利属于苏州锴威特半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州锴威特半导体股份有限公司授权不得商用。

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