屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件。所述器件包括半导体基片、位于所述半导体基片下的漏极金属层和位于所述半导体基片上的源极金属层。所述半导体基片具有下表面和上表面。所述半导体基片经由所述下表面与所述漏极金属层短接。所述半导体基片在所述上表面处形成有平行延伸的至少一组沟槽，其中的每个沟槽内填充有多晶硅，所述多晶硅与相应的沟槽壁之间形成有氧化层。所述至少一组沟槽包括栅极沟槽和位于所述栅极沟槽两侧的屏蔽栅沟槽。所述屏蔽栅沟槽内的多晶硅与所述源极金属层短接，所述栅极沟槽内的多晶硅不与所述源极金属层短接。所述屏蔽栅沟槽的氧化层厚度大于所述栅极沟槽的氧化层厚度。大于所述栅极沟槽的氧化层厚度。大于所述栅极沟槽的氧化层厚度。

【技术实现步骤摘要】
屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件


[0001]本技术涉及沟槽型功率MOSFET器件领域，具体而言，涉及一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件。

技术介绍

[0002]现代电力电子装置正朝着高功率密度和高效率的方向发展。碳化硅（silicon carbide，SiC）功率器件因其卓越的高压、高频、高温和高功率密度等器件特性，近年来在高效电能转换领域得到了迅速发展。在该领域中，碳化硅功率MOSFET器件是目前发展最快的器件。就结构上来说，它具有平面型和沟槽型两种。沟槽型功率MOSFET器件具有集成度高、导通电阻低、开关速度快、开关损耗小等优点，几乎在低压和高压领域全面地替代了平面型功率MOSFET器件，成为了相关应用的主流。随着应用领域的广泛扩展及设备性能的不断提升，人们对沟槽型功率MOSFET器件的可靠性要求也越来越高。然而，沟槽型功率MOSFET器件由于存在沟槽刻蚀缺陷，导致沟槽的栅氧化层(尤其是沟槽底部处的栅氧化层)容易被击穿，这限制了其在高可靠性场景的应用。
[0003]传统的沟槽型功率MOSFET器件逐渐显露出可靠性不足的缺点。传统本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，包括半导体基片、位于所述半导体基片下的漏极金属层和位于所述半导体基片上的源极金属层，所述半导体基片具有下表面和上表面，所述半导体基片经由所述下表面与所述漏极金属层短接，所述半导体基片在所述上表面处形成有平行延伸的至少一组沟槽，其中的每个沟槽内填充有多晶硅，所述多晶硅与相应的沟槽壁之间形成有氧化层，其特征在于，所述至少一组沟槽包括栅极沟槽和位于所述栅极沟槽两侧的屏蔽栅沟槽，所述屏蔽栅沟槽内的多晶硅与所述源极金属层短接，所述栅极沟槽内的多晶硅不与所述源极金属层短接，所述屏蔽栅沟槽的氧化层厚度大于所述栅极沟槽的氧化层厚度。2.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，所述半导体基片的上表面的一部分经由离子注入来形成体结，使得所述屏蔽栅沟槽的底壁和侧壁均与所述体结直接连通。3.根据权利要求2所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，所述体结与所述源极金属层短接。4.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，所述屏蔽栅沟槽的宽度大于所述栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯行飞，高云斌，李道会，
申请(专利权)人：蔚来动力科技合肥有限公司，
类型：新型
国别省市：