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本实用新型提供了一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件。所述器件包括半导体基片、位于所述半导体基片下的漏极金属层和位于所述半导体基片上的源极金属层。所述半导体基片具有下表面和上表面。所述半导体基片经由所述下表面与所述漏极金属层短接。所述半导体...
该专利属于蔚来动力科技（合肥）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过蔚来动力科技（合肥）有限公司授权不得商用。

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