阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板及显示器技术

本发明专利技术公开一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板及显示器。阵列基板包括衬底、像素电极、公共电极及至少两个薄膜晶体管；衬底包括显示区和围设于显示区外的非显示区；至少两个薄膜晶体管分别设于显示区和非显示区；薄膜晶体管包括层叠设置的栅极、位于栅极下方的半导体层、位于栅极与半导体层之间的第一绝缘层、连接于半导体层的源极和漏极；栅极在衬底上的投影、源极在衬底上的投影及漏极在衬底上的投影不重合；像素电极与显示区的薄膜晶体管的源极或漏极电连接；公共电极的第一导体部与像素电极在垂直衬底的方向上相对设置，并与半导体层同层设置，第一导体部由半导体通过导体化形成。本发明专利技术显示面板能同时实现高刷新率、宽视角的效果。宽视角的效果。宽视角的效果。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板及显示器


[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法、应用该阵列基板的显示面板及应用该显示面板的显示器。

技术介绍

[0002]随着显示面板技术的发展，用户对于显示面板的需求逐渐提高。
[0003]DEMUX(demultiplexer，多路分配器)切换电路的应用可以使得驱动芯片的输出通道个数减少，从而减少了成本，但DEMUX切换电路需要用到寄生电容极小的薄膜晶体管结构，对于薄膜晶体管常见的结构中的顶部栅极薄膜晶体管可以实现极小的寄生电容，从而实现高分辨率和高刷新率的效果。FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关技术)显示面板具有较高的穿透率和宽视角特点，FFS显示面板中的像素电机和公共电极均需设于阵列基板的不同层。传统的显示面板仅具有DEMUX切换电路或者具有FFS显示面板结构，不共同具备二者的优势。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提出一种阵列基板，旨在提供一种同时具备DEMUX切换电路和FFS显示面板的共同优势的显示面板。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提出的阵列基板，包括衬底和薄膜晶体管；所述衬底包括显示区和围设于所述显示区外的非显示区；所述薄膜晶体管设有至少两个，且至少两个所述薄膜晶体管分别设于所述显示区和所述非显示区；所述薄膜晶体管包括层叠设置的栅极、第一绝缘层、半导体层、源极及漏极，所述栅极与所述半导体层之间设有所述第一绝缘层，所述源极和所述漏极均连接于所述半导体层；所述栅极设于所述半导体层上方，且所述栅极在所述衬底上的投影、所述源极在所述衬底上的投影及所述漏极在所述衬底上的投影不重合；所述阵列基板还包括像素电极和公共电极，所述像素电极与位于所述显示区的所述薄膜晶体管的所述源极或所述漏极电连接；所述公共电极包括所述第一导体部，所述第一导体部与所述像素电极在垂直所述衬底的方向上相对设置，并与所述半导体层同层设置，所述第一导体部由所述半导体通过导体化形成。
[0006]在一实施例中，所述阵列基板还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设于所述栅极背离所述衬底的一侧，所述像素电极设于第二绝缘层背离所述衬底的一侧。
[0007]在一实施例中，所述公共电极还包括第二导体部，所述第二导体部设于所述第一导体部背离所述衬底的一侧。
[0008]在一实施例中，所述第二导体部与所述栅极同层设置。
[0009]在一实施例中，所述源极和所述漏极均与所述栅极同层设置，并分别设于所述栅极的两侧；所述第一绝缘层具有第一过孔和第二过孔，所述源极和所述漏极分别通过第一过孔和所述第二过孔与所述半导体层连接。
[0010]在一实施例中，所述半导体层对应所述第一过孔的部分形成第一连接部，所述半
导体层对应所述第二过孔的部分形成第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部均通过导体化形成导体。
[0011]本专利技术还提出一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法基于上述的阵列基板，所述阵列基板的制作方法包括：
[0012]衬底包括显示区和非显示区，所述显示区包括开口区和像素开关区，在衬底的一侧镀半导体层，并对所述半导体层进行图案化处理；
[0013]在所述半导体层背离所述衬底的一侧镀第一绝缘层，并对所述第一绝缘层图案化处理，并使得所述第一绝缘层中对应所述开口区的部分被蚀刻，以使得所述半导体层显露出对应所述开口区的相对部；且还使得所述第一绝缘层中对应所述像素开关区和所述非显示区的部分均被蚀刻出两个连通孔，以使得所述半导体层对应两个所述连通孔的部分均被显露，以形成第一连接部和第二连接部；
[0014]对显露出的所述相对部进行导体化处理以形成公共电极；对显露出的所述第一连接部和所述第二连接部进行导体化处理；
[0015]在所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧镀金属层，并对所述金属层进行图案化处理，以使得所述金属层包括相互隔离的源极、漏极及栅极，其中，所述源极和所述漏极分别与所述第一连接部和所述第二连接部接触，所述栅极与所述半导体层未被导体化的部分相对应设置；
[0016]设置像素电极，且使得所述像素电极和所述公共电极位于不同层并绝缘设置。
[0017]在一实施例中，所述设置像素电极，且使得像素电极和公共电极位于不同层并绝缘设置的步骤包括：
[0018]在所述金属层背离所述衬底的一侧镀第二绝缘层，并对所述第二绝缘层图案化，以形成能够显露所述源极或所述漏极的过孔；
[0019]在所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧镀像素电极，所述像素电极通过所述过孔沉积至所述源极或所述漏极上。
[0020]本专利技术还提出一种显示面板，包括对置基板、液晶及上述的阵列基板，所述阵列基板与所述对置基板相对设置，且所述对置基板朝向所述像素电极，所述液晶设于所述阵列基板与所述对置基板之间。
[0021]本专利技术还提出一种显示器，包括背光模组和上述的显示面板，所述背光模组设于所述阵列基板的入光侧。
[0022]本专利技术技术方案通过将栅极设于半导体层的上方，则使得本专利技术中的薄膜晶体管形成顶栅极结构，从而减小了薄膜晶体管的尺寸，提高了开口率；另一方面通过将栅极在衬底上的投影、源极在衬底上的投影及漏极在衬底上的投影均不重合，则使得本专利技术中的薄膜晶体管的寄生电容极小或者可以忽略不计，从而可以满足DEMUX切换电路的需求，实现高分辨率、高刷新率的效果。另外，本专利技术中的阵列基板还包括设于衬底的像素电极和公共电极，像素电极与薄膜晶体管的漏极或源极连接，并与公共电极的第一导体部在垂直衬底方向上相对设置，则使得本专利技术中的阵列基板上同时设有像素电极和公共电极，且像素电极和公共电极不同层，从而可以满足FFS显示面板的需求，实现宽视角和高穿透率的效果。进一步地，第一导体部由半导体通过导体化形成，则使得公共电极的第一导体部在未被导体化之前，其可以与位于栅极下方的半导体层通过一道工序同时设置出来，即可以通过在衬
底上镀半导体层，使得半导体层至少部分位于像素电极下方，进而将位于像素电极下方的部分进行导体化即可，从而可以避免单独设置一层独立于半导体层以外的另一导电层作为公共电极，进一步减少了制程工序，节约了成本。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0024]图1为本专利技术实施例一阵列基板一实施例的结构示意图；
[0025]图2为本专利技术实施例二阵列基板的制作方法的流程结构示意图；
[0026]图3为本专利技术实施例二阵列基板的制作方法的流程示意图；
[0027]图4为本专利技术实施例二阵列基板的制作方法的步骤50的细化流程示意图；
[0028]图5为本专利技术实施例三显示面板的一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底和薄膜晶体管；所述衬底包括显示区和围设于所述显示区外的非显示区；所述薄膜晶体管设有至少两个，且至少两个所述薄膜晶体管分别设于所述显示区和所述非显示区；所述薄膜晶体管包括层叠设置的栅极、第一绝缘层、半导体层、源极及漏极，所述栅极与所述半导体层之间设有所述第一绝缘层，所述源极和所述漏极均连接于所述半导体层；其特征在于，所述栅极设于所述半导体层上方，且所述栅极在所述衬底上的投影、所述源极在所述衬底上的投影及所述漏极在所述衬底上的投影不重合；所述阵列基板还包括：像素电极，所述像素电极与位于所述显示区的所述薄膜晶体管的所述源极或所述漏极电连接；和公共电极，所述公共电极包括所述第一导体部，所述第一导体部与所述像素电极在垂直所述衬底的方向上相对设置，并与所述半导体层同层设置，所述第一导体部由半导体通过导体化形成。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设于所述栅极背离所述衬底的一侧，所述像素电极设于第二绝缘层背离所述衬底的一侧。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极还包括第二导体部，所述第二导体部设于所述第一导体部背离所述衬底的一侧。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导体部与所述栅极同层设置。5.如权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极均与所述栅极同层设置，并分别设于所述栅极的两侧；所述第一绝缘层具有第一过孔和第二过孔，所述源极和所述漏极分别通过第一过孔和所述第二过孔与所述半导体层连接。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层对应所述第一过孔的部分形成第一连接部，所述半导体层对应所述第二过孔的部分形成第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部均通过导体化形成导体。7.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法基于如权利要求1至6中任意...

【专利技术属性】
技术研发人员：张合静，刘振，张捷，李荣荣，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：