垂直腔面发射激光器的形成方法技术

一种垂直腔面发射激光器的形成方法，包括：提供衬底，包括第一区和第二区，包括：基底；位于基底上的第一反射镜结构；位于第一反射镜结构上的有源层；位于有源层上的第二反射镜结构；在第二区内形成第一凹槽，贯穿所述第二反射镜结构及有源层，并嵌入第一反射镜结构；在第一凹槽内、第一区表面和第二区表面形成初始保护层，填充满第一凹槽；在初始保护层上形成暴露出第一凹槽内的初始保护层表面以及部分第一区上的初始保护层表面的掩膜结构，包括阻挡层和位于阻挡层上的光刻胶层；以掩膜结构为掩膜刻蚀初始保护层，直至暴露出衬底表面，在第一区表面和第二区表面形成暴露出第一凹槽和部分第一区表面的保护层；去除掩膜结构。器件性能得到提升。件性能得到提升。件性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】
垂直腔面发射激光器的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器的形成方法。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器(Vertical
‑
Cavity Surface
‑
Emitting Laser，简称VCSEL)是一种垂直于衬底面射出激光的半导体激光器，当前以砷化镓半导体为基础材料的垂直腔面发射激光器居多，发射波长主要为近红外波段。
[0003]垂直腔面发射激光器的结构一般由上、下布拉格反射镜(DBR)和中间有源区三部分组成，布拉格反射镜一般由折射率不同且厚度为光波长的四分之一的两种材料交替生长而成，为了减小光学损耗，N型布拉格反射镜的反射率接近100％，可作为谐振腔的全反射镜，而P型布拉格反射镜反射率相对较低，可作为谐振腔的出射镜。其中P型布拉格反射镜中有一层或多层高铝组分AlGaAs层作为氧化限制层。
[0004]然而，现有的垂直腔面发射激光器的形成过程还有待改善。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种垂直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述衬底包括：基底；位于所述基底上的第一反射镜结构；位于所述第一反射镜结构上的有源层；位于所述有源层上的第二反射镜结构，所述第二反射镜结构的导电类型与所述第一反射镜结构的导电类型相反；在所述衬底第二区内形成第一凹槽，所述第一凹槽贯穿所述第二反射镜结构及所述有源层，并嵌入所述第一反射镜结构内；在所述第一凹槽内、所述第一区表面和所述第二区表面形成初始保护层，所述初始保护层填充满所述第一凹槽；在所述初始保护层上形成掩膜结构，所述掩膜结构包括阻挡层和位于所述阻挡层上的光刻胶层，所述掩膜结构暴露出所述第一凹槽内的所述初始保护层表面以及部分所述第一区上的所述初始保护层表面；以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述初始保护层，直至暴露出衬底表面，在所述第一区表面和所述第二区表面形成保护层，所述保护层暴露出所述第一凹槽和部分所述第一区表面；形成保护层之后，去除所述掩膜结构。2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的形成方法，其特征在于，在所述第一凹槽内、所述第一区表面和所述第二区表面形成初始保护层之前，还包括：在所述第一凹槽侧壁表面和底部表面、所述第一区表面和所述第二区表面形成钝化层，所述钝化层的材料与所述保护层的材料不同；所述保护层暴露出所述第一凹槽内的钝化层和所述第一区表面的部分钝化层表面。3.如权利要求2所述的垂直腔面发射激光器的形成方法，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅。4.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的形成方法，其特征在于，所述初始保护层的材料包括有机材料，所述有机材料包括聚酰亚胺。5.如权利要求4所述的垂直腔面发射激光器的形成方法，其特征在于，形成所述初始保护层的工艺包括旋涂工艺或喷涂工艺。6.如权利要求2所述的垂直腔面发射激光器的形成方法，其特征在于，刻蚀所述初始保护层的工艺对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，黄吉，苏育生，时文，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：