一种垂直腔面发射激光器制造技术

本申请涉及半导体激光器技术领域，公开了一种垂直腔面发射激光器，其包括：本体；光学整形件，用于对所述本体发射的光线准直、光线的发射角缩小或者扩大，所述光学整形件位于所述本体发射的光线的光路上，且所述光学整形件与所述本体一体成型。本申请通过光学元件与本体的一体化成型，将光学元件对光线的准直、光线的发射角缩小或者扩大的功能整合至本体中，以使本体能够自行对其发射出的光线进行准直、发射角的缩小或者扩大的作用。本申请一方面缩小了激光器的整体尺寸，另一方面还降低了生产成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直腔面发射激光器


[0001]本技术一般涉及半导体激光器
，具体涉及一种垂直腔面发射激光器。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器，简称VCSEL，是一种新兴的半导体激光光源。相比于传统的边发射半导体激光器，VCSEL具有阈值低、对称的圆形光斑、单纵模、易于二维阵列、热稳定性好等优点。这使得VCSEL在医疗、显示技术、空间通信、光互连等领域有着重要的应用。
[0003]一般来说，VCSEL发射的光需要进行整形后才能够投射到空间中，主要的整形有准直、扩束等。
[0004]在相关技术中，在VCSEL前加入透镜、DOE(衍射光学器件)、扩散片等光学器件实现光束整形。对于垂直腔面发射激光器的研究，仍需深入。

技术实现思路

[0005]本技术提供一种垂直腔面发射激光器，其包括：
[0006]本体；
[0007]光学整形件，用于对所述本体发射的光线准直、光线的发射角缩小或者扩大，所述光学整形件位于所述本体发射的光线的光路上，且所述光学整形件与所述本体一体成型。
[0008]作为可实现的最优本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：本体；光学整形件，用于对所述本体发射的光线准直、光线的发射角缩小或者扩大，所述光学整形件位于所述本体发射的光线的光路上，且所述光学整形件与所述本体一体成型。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光学整形件包括光学整形层，所述光学整形层连接至所述本体。3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述本体包括氧化层，所述氧化层上开设有若干个未氧化区，所述光学整形层覆盖所述氧化层上至少部分的未氧化区。4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光学整形层覆盖所述氧化层上全部的未氧化区。5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光学整形层包括至少两部分，一所述部分用于对所述本体发射的光线准直，另一所述部分用于对所述本体发射的...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔尧，王嘉星，
申请(专利权)人：深圳博升光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：