【技术实现步骤摘要】
一种GaAs pHEMT芯片结温测试装置和测试方法
[0001]本专利技术涉及芯片测试领域，一种GaAs pHEMT芯片结温测试装置和测试方法。
技术介绍
[0002]相较于常见的硅半导体，砷化镓半导体具有高频、抗辐射、耐高电压等特性，因此广泛应用在主流的商用无线通讯、光通讯以及先进的国防、航空及卫星用途上。以手机与无线网路为例，系统中的无线射频模组必定含有的关键零组件即是功率放大器、射频开关器及低噪声放大器等，目前射频功率放大器极大部分是以砷化镓半导体制作，其余零组件中也有相当大一部分是由砷化镓半导体制作的。在上述组件中，pHEMT作为核心器件一直是限制芯片可靠性的短板因素，因此能准确测得其结温用于预测寿命在可靠性评价工作中就显得极为重要。
[0003]目前，应用于pHEMT芯片结温的测试技术主要有拉曼法。拉曼法因其高空间分辨率特性，极其适合对pHEMT芯片结温的高精度测试，但该技术却难以满足pHEMT芯片高结温的测量，在可靠性评价工作中，pHEMT芯片需要工作在150℃以上的环境中，正常工作时结温甚至可以达到38...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种GaAs pHEMT芯片结温测试装置，其特征在于：包括：芯片承载模块，用于固定待测试芯片并形成一定环境温度的密闭空间；加热装置，设置于芯片承载模块底部，用于对芯片承载模块进行加热，可控温度范围为25
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200℃；直流电源，设置于芯片承载模块外部，用于向待测试芯片提供测试电源，使待测试芯片在一定功率条件下工作；电流表，设置于直流电源与待测试芯片之间的回路上，用于检测电流值；红外热成像探头，设置于芯片承载模块上方，用于对待测试芯片表面温度进行扫描并检测。2.根据权利要求1所述的一种GaAs pHEMT芯片结温测试装置，其特征在于：所述直流电源包括第一直流电源和第二直流电源，所述第一直流电源的正极与待测试芯片的栅极连接，第一直流电源的负极与待测试芯片的源极连接并接地；所述第二直流电源的正级通过电流表与待测试芯片的漏极连接，第二直流电源的负极与与待测试芯片的源极连接并接地。3.根据权利要求1所述的一种GaAs pHEMT芯片结温测试装置，其特征在于：所述芯片承载模块的外壳采用热导率大于200W/mK的金属材料。4.根据权利要求1所述的一种GaAs pHEMT芯片结温测试装置，其特征在于：所述芯片承载模块的外表面涂覆有耐高温绝缘材料。5.根据权利要求1所述的一种GaAs pHEMT芯片结温测试装置，其特征在于：所述芯片承载模块的侧壁设置有管脚接口，用于实现与直流电源和待测试芯片的连接。6.根据权利要求1所述的一种GaAs pHEMT芯片结温测试装置，其特征在于：所述芯片承载模块的顶部设置有铰接盖板，所述铰接盖板的中部为透明部。7.根据权利要求1或2所述的一种GaAs pHEMT芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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