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本发明公开了一种GaAs pHEMT芯片结温测试装置和测试方法，测试装置包括：芯片承载模块，用于固定待测试芯片并形成一定环境温度的密闭空间；加热装置，设置于芯片承载模块底部，用于对芯片承载模块进行加热，可控温度范围为25
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该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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