待测器件DUT异常识别方法、装置及设备制造方法及图纸

本公开提供了一种待测器件DUT异常识别方法、装置及设备，涉及芯片测试技术领域。该方法包括：获取多个被测芯片的原始测试数据，原始测试数据通过多个DUT对部分被测芯片执行不同测试项得到的测试数据；根据原始测试数据，得到目标测试项的平均失效率；根据原始测试数据，得到目标DUT执行目标测试项的DUT失效率；若DUT失效率与平均失效率满足预设条件，则判定目标DUT为异常DUT。本公开提供的待测器件DUT异常识别方法、装置及设备，通过测试项失效率直接、准确地反馈失效情况，无遗漏，消除产品本身带来的误判，识别精度高。识别精度高。识别精度高。

【技术实现步骤摘要】
待测器件DUT异常识别方法、装置及设备


[0001]本公开涉及芯片测试
，尤其涉及一种DUT异常识别方法、DUT异常识别装置及电子设备。

技术介绍

[0002]半导体的生产流程包括晶圆制造和半导体测试，半导体测试工艺属于半导体产业的关键领域，半导体测试包括晶圆测试(Circuit Probing，CP)和最终测试(Final Test，FT)，其中，FT测试是芯片测试的后端流程，是芯片出厂前的最后一道拦截，其测试对象是封装好的芯片Chip，用以检测封装厂的工艺水平，所用的测试机台昂贵，成本较高。
[0003]在FT测试时，以待测器件(Device Under Test，DUT)为单位进行，一个DUT不断加载不同的芯片进行测试。然而，由于DUT上的信号会受到烧录座Socket、测试板卡、测试机等影响，造成芯片测试失败，故需要及时发现异常DUT，并将异常DUT关掉、修理，避免对芯片造成误伤，降低产品良率。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种待测器件DUT异常识别方法，其特征在于，包括：获取多个被测芯片的原始测试数据，其中，所述原始测试数据包括多个DUT的测试数据，各个DUT的测试数据包括所述多个被测芯片中的部分被测芯片的测试数据，所述部分被测芯片的测试数据为所述各个DUT执行不同测试项测试得到的；根据所述原始测试数据，得到目标测试项的平均失效率；根据所述原始测试数据，得到目标DUT执行所述目标测试项的DUT失效率；若所述DUT失效率与所述平均失效率满足预设条件，则判定所述目标DUT为异常DUT。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述若所述DUT失效率与所述平均失效率满足预设条件，则判定所述目标DUT为异常DUT，包括：计算所述DUT失效率与所述平均失效率的差异量；若所述差异量大于或等于预设差异量阈值，则判定所述目标DUT为异常DUT。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：若所述差异量小于所述预设差异量阈值，则判定所述目标DUT为正常DUT。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述DUT失效率与所述平均失效率的差异量包括以下中的至少一项：所述DUT失效率与所述平均失效率的标准差；所述DUT失效率与所述平均失效率的差值；所述DUT失效率与所述平均失效率的比值。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述原始测试数据，得到目标测试项的平均失效率，包括：从所述原始测试数据中获取执行所述目标测试项的被测芯片的第一数量；从所述原始测试数据中获取执行所述目标测试项且测试结果为失效状态的被测芯片的第二数量；根据所述第一数量和所述第二数量，确定所述目标测试项的平均失效率。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述原始测试数据，得到目标DUT执行所述目标测试项的DUT失效率，包括：从所述原始测试数据中获取所述目标DUT执行所述目标测试项的被测芯片的第三数量；从所述原始测试数据中获取所述目标DUT执行所述目标测试项且测试结果为失效状态的被测芯片的第四数量；根据所述第三数量和所述第四数量...

【专利技术属性】
技术研发人员：张群洪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：