一种高集成度硅谐振压力传感器制造技术

本申请涉及一种高集成度硅谐振压力传感器，包括：管体、电路板和ASIC芯片，其中，所述管体内形成有安装空间，所述电路板和所述ASIC芯片设置于所述安装空间中，所述ASIC芯片与所述电路板电连接。本申请提供的一种高集成度硅谐振压力传感器通过ASIC电路实现硅谐振压力传感器的闭环控制功能，提高硅谐振压力传感器的可靠性与集成度，并降低成本，实现硅压阻压力传感器的替代。传感器的替代。传感器的替代。

【技术实现步骤摘要】
一种高集成度硅谐振压力传感器


[0001]本申请涉及MEMS压力传感器领域，尤其涉及一种高集成度硅谐振压力传感器。

技术介绍

[0002]按照工作原理划分，目前市面上的MEMS压力传感器主要包括硅谐振压力传感器和硅压阻压力传感器，其中，硅压阻压力传感器应用面更加广泛，一般使用专用调理电路实现压力信号至电信号的转变，其成本、体积和可靠性均可控；硅谐振压力传感器应用面较窄，需使用较多的分立元器件完成闭环控制电路搭建，进而实现压力信号至电信号的转变，导致其存在体积大、成本高、可靠性弱于硅压阻压力传感器的问题。
[0003]虽然硅谐振压力传感器综合精度明显优于硅压阻压力传感器，但因上述问题导致硅谐振压力传感器无法替代硅压阻压力传感器，因此需要改进。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种高集成度硅谐振压力传感器。
[0005]本申请提供了一种高集成度硅谐振压力传感器，包括：管体、电路板和ASIC芯片，其中，所述管体内形成有安装空间，所述电路板和所述ASIC芯片设置于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高集成度硅谐振压力传感器，其特征在于，包括：管体、电路板和ASIC芯片，其中，所述管体内形成有安装空间，所述电路板和所述ASIC芯片设置于所述安装空间中，所述ASIC芯片与所述电路板电连接。2.根据权利要求1所述的高集成度硅谐振压力传感器，其特征在于，所述管体包括：底座和管帽，其中，所述管帽盖设于所述底座上，二者之间形成所述安装空间。3.根据权利要求2所述的高集成度硅谐振压力传感器，其特征在于，所述底座底部设置有管脚，所述管脚与所述电路板电连接。4.根据权利要求2所述的高集成度硅谐振压力传感器，其特征在于，所述底座和所述管帽的连接处设置有压力接口，所述压力接口用于连接外界和所述安装空间。5.根据权利要求2所述的高集成度硅谐振压力传感器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亨，申建武，王学敏，关林林，王淞立，赵虎，
申请(专利权)人：西安思微传感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：