一种高集成度硅谐振压力传感器制造技术

本申请涉及一种高集成度硅谐振压力传感器，包括：管体、电路板和ASIC芯片，其中，所述管体内形成有安装空间，所述电路板和所述ASIC芯片设置于所述安装空间中，所述ASIC芯片与所述电路板电连接。本申请提供的一种高集成度硅谐振压力传感器通过ASIC电路实现硅谐振压力传感器的闭环控制功能，提高硅谐振压力传感器的可靠性与集成度，并降低成本，实现硅压阻压力传感器的替代。传感器的替代。传感器的替代。

【技术实现步骤摘要】
一种高集成度硅谐振压力传感器


[0001]本申请涉及MEMS压力传感器领域，尤其涉及一种高集成度硅谐振压力传感器。

技术介绍

[0002]按照工作原理划分，目前市面上的MEMS压力传感器主要包括硅谐振压力传感器和硅压阻压力传感器，其中，硅压阻压力传感器应用面更加广泛，一般使用专用调理电路实现压力信号至电信号的转变，其成本、体积和可靠性均可控；硅谐振压力传感器应用面较窄，需使用较多的分立元器件完成闭环控制电路搭建，进而实现压力信号至电信号的转变，导致其存在体积大、成本高、可靠性弱于硅压阻压力传感器的问题。
[0003]虽然硅谐振压力传感器综合精度明显优于硅压阻压力传感器，但因上述问题导致硅谐振压力传感器无法替代硅压阻压力传感器，因此需要改进。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种高集成度硅谐振压力传感器。
[0005]本申请提供了一种高集成度硅谐振压力传感器，包括：管体、电路板和ASIC芯片，其中，所述管体内形成有安装空间，所述电路板和所述ASIC芯片设置于所述安装空间中，所述ASIC芯片与所述电路板电连接。
[0006]优选地，所述管体包括：底座和管帽，其中，所述管帽盖设于所述底座上，二者之间形成所述安装空间。
[0007]优选地，所述底座底部设置有管脚，所述管脚与所述电路板电连接。
[0008]优选地，所述底座和所述管帽的连接处设置有压力接口，所述压力接口用于连接外界和所述安装空间。
[0009]优选地，还包括：谐振芯片，所述谐振芯片设置于所述安装空间中，所述谐振芯片与所述电路板电连接。
[0010]优选地，所述电路板上设置有第一焊盘，所述ASIC芯片设置于所述第一焊盘上。
[0011]优选地，所述管脚向上延伸至所述第一焊盘处并与其连接。
[0012]优选地，所述电路板上设置有第二焊盘，所述谐振芯片设置于所述第二焊盘上。
[0013]优选地，所述管脚向上延伸至所述第二焊盘处并与其连接。
[0014]优选地，所述压力接口向外延伸形成压力管。
[0015]本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
[0016]本申请提供的一种高集成度硅谐振压力传感器通过ASIC电路实现硅谐振压力传感器的闭环控制功能，提高硅谐振压力传感器的可靠性与集成度，并降低成本，实现硅压阻压力传感器的替代。
附图说明
[0017]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本申请实施例提供的一种高集成度硅谐振压力传感器的结构示意图。
具体实施方式
[0020]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0021]图1为本申请实施例提供的一种高集成度硅谐振压力传感器的结构示意图。
[0022]本申请提供了一种高集成度硅谐振压力传感器，包括：管体1、电路板2和ASIC芯片3，其中，所述管体1内形成有安装空间，所述电路板2和所述ASIC芯片3设置于所述安装空间中，所述ASIC芯片3与所述电路板2电连接。
[0023]具体地，ASIC芯片3用于电路板2实现闭环控制功能，将谐振频率以方波形式传递出来。管体1为ASIC芯片3和电路板2提供安装环境。
[0024]在本申请实施例中，所述管体1包括：底座4和管帽5，其中，所述管帽5盖设于所述底座4上，二者之间形成所述安装空间。
[0025]具体地，底座4是传感器的固定结构，用于支撑和密封传感器内部各零组件；管帽5用于实现传感器结构密封，保证其内部压力和待测压力相同。
[0026]在本申请实施例中，所述底座4底部设置有管脚6，所述管脚6与所述电路板2电连接。
[0027]具体地，管脚6是传感器电气结构，不仅实现传感器内外部电信号的传递，还用于将传感器固定在外部电路板上。
[0028]在本申请实施例中，所述底座4和所述管帽5的连接处设置有压力接口7，所述压力接口7用于连接外界和所述安装空间。
[0029]具体地，压力接口7用于实现压力信号传递，将外部气压传递到传感器内部。
[0030]在本申请实施例中，还包括：谐振芯片8，所述谐振芯片8设置于所述安装空间中，所述谐振芯片8与所述电路板2电连接。
[0031]具体地，谐振芯片8为压力敏感结构，将待测压力变化转化为内部谐振自谐振频率变化。
[0032]在本申请实施例中，所述电路板2上设置有第一焊盘，所述ASIC芯片3设置于所述第一焊盘上。
[0033]具体地，电路板2上设置有第一焊盘，实现ASIC芯片电极3与管脚6之间的信号连接。
[0034]在本申请实施例中，所述管脚6向上延伸至所述第一焊盘处并与其连接。
[0035]在本申请实施例中，所述电路板2上设置有第二焊盘，所述谐振芯片8设置于所述第二焊盘上。
[0036]具体地，电路板2上设置有第二焊盘，实现谐振芯片8与管脚6之间的信号连接。
[0037]在本申请实施例中，所述管脚6向上延伸至所述第二焊盘处并与其连接。
[0038]在本申请实施例中，所述压力接口7向外延伸形成压力管。
[0039]本申请提供的一种高集成度硅谐振压力传感器通过ASIC电路实现硅谐振压力传感器的闭环控制功能，提高硅谐振压力传感器的可靠性与集成度，并降低成本，实现硅压阻压力传感器的替代。
[0040]需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0041]以上所述仅是本专利技术的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本专利技术。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高集成度硅谐振压力传感器，其特征在于，包括：管体、电路板和ASIC芯片，其中，所述管体内形成有安装空间，所述电路板和所述ASIC芯片设置于所述安装空间中，所述ASIC芯片与所述电路板电连接。2.根据权利要求1所述的高集成度硅谐振压力传感器，其特征在于，所述管体包括：底座和管帽，其中，所述管帽盖设于所述底座上，二者之间形成所述安装空间。3.根据权利要求2所述的高集成度硅谐振压力传感器，其特征在于，所述底座底部设置有管脚，所述管脚与所述电路板电连接。4.根据权利要求2所述的高集成度硅谐振压力传感器，其特征在于，所述底座和所述管帽的连接处设置有压力接口，所述压力接口用于连接外界和所述安装空间。5.根据权利要求2所述的高集成度硅谐振压力传感器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亨，申建武，王学敏，关林林，王淞立，赵虎，
申请(专利权)人：西安思微传感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：