一种防止光刻胶层发生脱落的方法及半导体结构技术

本发明专利技术公开一种防止光刻胶层发生脱落的方法及半导体结构，防止光刻胶层发生脱落的方法通过提供衬底，在衬底表面形成栅极氧化层，对栅极氧化层的上表面进行掺氮处理，并经过固化处理，以形成粘附层，粘附层具有较强的粘附性，在粘附层的表面涂覆光刻胶，从而实现将光刻胶粘附固定于栅极氧化层，避免湿法刻蚀过程中易导致光刻胶的剥离，导致最终刻蚀的图案与设定不符，同时会摧毁其它图案的问题。同时会摧毁其它图案的问题。同时会摧毁其它图案的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种防止光刻胶层发生脱落的方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种防止光刻胶层发生脱落的方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]半导体制造过程中双栅工艺可满足对两种开启电压设计的需求。一般较高的开启电压对应厚栅氧，另外一种就是膜栅氧可通过较低的开启电压实现MOS管的导通。生产制造过程中双栅工艺一般是先长厚栅氧，然后通过光刻工艺将其中一部分栅氧化层暴露出来，剩余部分则被光刻胶覆盖住。通过湿法刻蚀工艺将暴露出来的厚栅氧化层反应掉至暴露出衬底，但由于氧化物具有高度亲水表面，表现为很差的光刻胶粘附性，因此在湿法刻蚀过程中易导致光刻胶的剥离，导致最终刻蚀的图案与设定不符，同时会摧毁其它图案。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种防止光刻胶层发生脱落的方法，旨在解决现有技术中，在湿法刻蚀过程中易导致光刻胶的剥离的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出一种防止光刻胶层发生脱落的方法，包括以下步骤：
[0005]提供衬底；
[0006]在所述衬底表面形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面形成栅极氧化层；对所述栅极氧化层的上表面进行掺氮处理，并经过固化处理，以形成粘附层；在所述粘附层的表面涂覆光刻胶。2.如权利要求1所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，所述栅极氧化层的材料包括氧化硅；和/或，所述衬底的材质包括硅。3.如权利要求1所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，所述粘附层包括SION膜层。4.如权利要求1或3所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，构成所述粘附层的材料中包括
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NH2。5.如权利要求1所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，在进行掺氮处理时，掺入的氮原子数为栅极氧化层的原子数的5％～20％。6.如权利要求1所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，所述对所述栅极氧化层进行掺氮处理，并经过固化处理，以形成粘附层的步骤中：所述固化处理包括退...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡慕，蔡国辉，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：