异质结电池非晶硅薄膜的镀膜载板制造技术

技术编号:37357494 阅读:14 留言:0更新日期:2023-04-27 07:07
本实用新型专利技术涉及一种异质结电池非晶硅薄膜的镀膜载板,属于电池生产技术领域。包括承载层、加热层和放片层,承载层、加热层和放片层从下至上依次连接,所述加热层上开设有加热丝放置槽,加热丝放置槽中安装有加热丝,加热丝两端分别连接直流电源的正极接线端和负极接线端,放片层上均匀开设有若干个用于放置制绒后硅片的硅片放置槽。通过设置从下至上依次连接的承载层、加热层和放片层,并在加热层上开设的加热丝放置槽中安装加热丝,提供了一种异质结电池非晶硅薄膜沉积的自热式载板,该载板具有加热功能使载板在生产过程中能够保持所需要的温度,不但不影响生产节奏,节省硅烷和氢气等气体,还会提高异质结电池的生产良率和效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
异质结电池非晶硅薄膜的镀膜载板


[0001]本技术涉及电池生产
,尤其涉及一种异质结电池非晶硅薄膜的镀膜载板。

技术介绍

[0002]异质结电池具有转换效率高、开路电压高、温度系数低、低温工艺制备及抗衰减等优势在行业内备受关注。该电池主要有以下优点:工艺步骤少、制作温度低;无光致衰减(LID)、无电致衰减(PID)效应;高效率和低温度系数、双面发电、高发电量。此外,异质结电池在保证效率转换的同时,可以将硅片的厚度降低至100um,减少了硅材料的用量,降低了生产成本。CVD沉积非晶硅薄膜是异质结电池的核心工序。本征非晶硅层主要是钝化晶体硅表面缺陷,减少表面缺陷态,从而降低载流子复合;掺杂非晶硅层主要是与晶硅形成PIN结和场效应钝化层。
[0003]沉积非晶硅薄膜过程中,载板作为辅助,起到托起基片运行的作用。CVD沉积薄膜对于载板的温度要求极其高,如果载板的温度过低,制备出CVD后的多为暗片、黑边等PL不良;制备出的少子寿命也不符合要求,严重影响异质结电池生产的效率和良率。在常规的非晶硅沉积的载板中,一般没有加热功能。在生产前,需要将载板进行一定时间的热处理才能够正常使用;在生产中,因为腔体报警、设备维修、停机等异常时,载板温度恢复至常温,一般需要镀板30min左右将载板的温度提高以恢复正常生产,这种情况不仅严重影响了生产的节奏,在渡板过程中还消耗大量的硅烷、氢气等气体,还会影响异质结电池的效率和良率。
[0004]因此,提供一种能够不影响生产节奏、提高量产的生产良率和效率的非晶硅镀膜载板,是本领域技术人员亟需解决的难题。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题,本技术提供一种异质结电池非晶硅薄膜的镀膜载板。本技术的技术方案如下:
[0006]一种异质结电池非晶硅薄膜的镀膜载板,其包括承载层、加热层和放片层,承载层、加热层和放片层从下至上依次连接,所述加热层上开设有加热丝放置槽,加热丝放置槽中安装有加热丝,加热丝两端分别连接直流电源的正极接线端和负极接线端,放片层上均匀开设有若干个用于放置制绒后硅片的硅片放置槽。
[0007]可选地,所述加热丝的截面形状为矩形或者圆形,其边长或者直径不低于3mm;加热丝放置槽的截面形状为矩形或半圆形,尺寸比加热丝的截面尺寸大1

2mm。
[0008]可选地,所述硅片放置槽的边长比硅片的边长宽1

3mm。
[0009]可选地,所述放片层的材质为碳纤维、石墨、玻璃或金属。
[0010]可选地,所述加热层的材质为铁或镍。
[0011]可选地,所述承载层的材质为碳纤维、石墨、玻璃或金属。
[0012]上述所有可选地技术方案均可任意组合,本技术不对一一组合后的结构进行详细说明。
[0013]借由上述方案,本技术的有益效果如下:
[0014]通过设置从下至上依次连接的承载层、加热层和放片层,并在加热层上开设的加热丝放置槽中安装加热丝,提供了一种异质结电池非晶硅薄膜沉积的自热式载板,该载板具有加热功能使载板在生产过程中能够保持所需要的温度,不但不影响生产节奏,节省硅烷和氢气等气体,还会提高异质结电池的生产良率和效率。
[0015]上述说明仅是本技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本技术的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
[0016]图1是本技术的主视图。
[0017]图2是图1的俯视图。
[0018]图3是本技术中加热层的主视图。
具体实施方式
[0019]下面结合附图和实施例,对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术,但不用来限制本技术的范围。
[0020]如图1至图3所示,本技术提供的异质结电池非晶硅薄膜的镀膜载板,其包括承载层1、加热层2和放片层3,承载层1、加热层2和放片层3从下至上依次连接,所述加热层2上开设有加热丝放置槽,加热丝放置槽8中安装(可以为活动放置)有加热丝4,加热丝4两端分别连接直流电源的正极接线端5和负极接线端6,放片层3上均匀开设有若干个用于放置制绒后硅片的硅片放置槽7。
[0021]其中,加热丝4主要用于进行加热,使加热后的镀膜载板满足异质结电池非晶硅薄膜的沉积温度要求。考虑到载板温度的均匀性以及加热效果,该加热丝4在加热层2均匀分布,并保证放片层3上能够均匀受热。加热丝4的功率控制在200

1000W之间,可加热温度控制在30

300℃之间,考虑非晶硅薄膜的沉积效果,加热丝4加热后使得载板的温度不超过200℃。具体地,在控制加热丝4的功率和温度时,可以采用将加热丝4连接可控硅温度控制器来实现。可控硅温度控制器可以安装在加热层2侧面。
[0022]正极接线端5和负极接线端6用于在连接直流电源后给加热丝4供电,直流电源可以是直流电池,也可以是由交流转换得到的直流电源。
[0023]可选地,所述加热丝4的截面形状为矩形或者圆形,其边长或者直径不低于3mm。加热丝放置槽8的截面形状为矩形或半圆形,尺寸比加热丝4的截面尺寸大1

2mm,确保加热丝4置于加热丝放置槽8后不容易脱出来。
[0024]可选地,所述硅片放置槽7的边长比硅片的边长宽1

3mm。硅片的大小可以为156mm*156mm,166mm*166mm,182mm*182mm和210mm*210mm中的一种。当然,硅片也可以是矩形硅片,图2以硅片为正方形硅片为例进行了举例说明。
[0025]可选地,所述放片层3的材质为碳纤维、石墨、玻璃或金属。考虑到放片层3的导热
性能,优选石墨材质。
[0026]可选地,所述加热层2的材质为铁或镍。
[0027]可选地,所述承载层1的材质为碳纤维、石墨、玻璃或金属。考虑到承载层1在搬运过程中的损伤和耐磨,优选碳纤维材质或者金属材质。
[0028]本技术适用于沉积异质结电池非晶硅薄膜的设备上,可以是等离子化学气相沉积(PECVD)设备,也可以是热丝化学气相沉积(HWCVD)设备。沉积的片源为制绒后的硅片,该硅片可以是N型硅片,也可以是P型硅片。考虑到电池的电性能,优选N型硅片,制绒的绒面大小控制在2

6um。
[0029]为了说明使用本技术后制备的异质结电池的性能,下面提供如下两个对比例和实施例。
[0030]对比例1:
[0031]采用常规的没有加热功能的载板制备异质结电池时,进行如下工艺:
[0032]A、对厚度为150um,边长为166mm*166mm的N型单晶硅片进行制绒处理,形成金字塔绒面、去除杂质离子并且对表面进行清洁。
[0033]B、通过等离子化学气相沉积制备正面与背面的本征非晶硅薄膜层和掺杂非晶硅薄膜层。沉积非晶硅薄膜层本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池非晶硅薄膜的镀膜载板,其特征在于,包括承载层(1)、加热层(2)和放片层(3),承载层(1)、加热层(2)和放片层(3)从下至上依次连接,所述加热层(2)上开设有加热丝放置槽,加热丝放置槽(8)中安装有加热丝(4),加热丝(4)两端分别连接直流电源的正极接线端(5)和负极接线端(6),放片层(3)上均匀开设有若干个用于放置制绒后硅片的硅片放置槽(7)。2.根据权利要求1所述的异质结电池非晶硅薄膜的镀膜载板,其特征在于,所述加热丝(4)的截面形状为矩形或者圆形,其边长或者直径不低于3mm;加热丝放置槽(8)的截面形状为矩形或半圆形,尺寸比...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘国鑫鲍少娟杨立友王继磊黄金杨文亮师海峰孔青青和青青
申请(专利权)人:晋能清洁能源科技股份公司
类型:新型
国别省市:

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