一种晶圆的反应腔室及半导体工艺设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆的反应腔室及半导体工艺设备，该反应腔室包括：用于加热晶圆的加热器；承载盘，承载盘的底面形状与加热器的顶面相匹配以使二者充分贴合，承载盘的顶面设有与晶圆大小相当的圆形凹槽，圆形凹槽内设有相同的多个支撑柱以支撑晶圆；以及陶瓷环，陶瓷环套设于承载盘的顶部边缘，陶瓷环的侧面内侧形状与承载盘及加热器的侧壁相匹配以覆盖承载盘的侧壁及加热器侧壁的顶部，陶瓷环的侧面外侧与反应腔室的内壁之间留有预设尺寸的间隙。尺寸的间隙。尺寸的间隙。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的反应腔室及半导体工艺设备


[0001]本技术涉及一种晶圆的反应腔室及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]现有的半导体薄膜沉积反应若需保证反应正常进行，一般需要求反应腔室内在接近真空或惰性气氛下，达到300℃左右或者更高的反应温度。而对于一些特殊的薄膜沉积半导体设备，对温度极其敏感，晶圆表面的温度分布是否均匀直接决定了薄膜沉积最终的质量效果。晶圆边缘位置的温度和中心位置的温度相差越小，沉积薄膜的均匀性就越高。而现有技术中反应腔室的结构往往无法确保加热过程中晶圆表面温度的均匀分布。
[0003]此外，现有的薄膜沉积设备在薄膜沉积的反应过程中，反应物会沉积在加热器表面，使得加热器需频繁更换，而更换加热器的成本较高，拆卸调节复杂，给设备维护带来不便。

技术实现思路

[0004]为了克服上述缺陷，本技术提供了一种晶圆的反应腔室，包括：用于加热晶圆的加热器；承载盘，该承载盘的底面形状与该加热器的顶面相匹配以使二者充分贴合，该承载盘的顶面设有与晶圆大小相当的圆形凹槽，该圆形凹槽内设有相同的多个支撑柱以支撑晶圆；以及陶瓷环，该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的反应腔室，其特征在于，包括：用于加热晶圆的加热器；承载盘，所述承载盘的底面形状与所述加热器的顶面相匹配以使二者充分贴合，所述承载盘的顶面设有与晶圆大小相当的圆形凹槽，所述圆形凹槽内设有相同的多个支撑柱以支撑晶圆；以及陶瓷环，所述陶瓷环套设于所述承载盘的顶部边缘，所述陶瓷环的侧面内侧形状与所述承载盘及所述加热器的侧壁相匹配以覆盖所述承载盘的侧壁及所述加热器侧壁的顶部，所述陶瓷环的侧面外侧与所述反应腔室的内壁之间留有预设尺寸的间隙。2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述承载盘的底面大小不小于所述加热器的底面大小以完全覆盖所述加热器。3.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述承载盘的底面大小与所述加热器的底面大小相同。4.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：野沢俊久，张启辉，吴凤丽，杨华龙，赵坤，刘振，高鹏飞，朱晓亮，张翔宇，杨天奇，卜夺夺，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：