用于存储器装置的多阶段擦除操作制造方法及图纸

存储器装置中的控制逻辑对存储器阵列发起擦除操作，且在擦除操作期间使擦除电压信号施加到所述存储器阵列的数据块中的存储器单元串的源极端子。在所述擦除操作的第一阶段期间，所述控制逻辑进一步使第一电压信号施加到所述数据块的第一字线且使第二电压信号施加到所述数据块的第二字线，其中所述第一字线耦合到所述存储器单元串的所述源极端子中的栅极诱发漏极泄漏(GIDL)产生器装置且所述第二字线耦合到所述存储器单元串的所述源极端子中的邻近选择栅极(SGS)装置，并且其中所述第一电压信号和所述第二电压信号两者相对于所述擦除电压信号具有共同的第一电压偏移。在所述擦除操作的第二阶段期间，所述控制逻辑进一步确定所述擦除操作的所述第一阶段的结束，且使所述第一电压信号相对于所述擦除电压信号减小到第二电压偏移且使所述第二电压信号相对于所述擦除电压信号减小到第三电压偏移，其中所述第二偏移大于所述第三偏移。中所述第二偏移大于所述第三偏移。中所述第二偏移大于所述第三偏移。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于存储器装置的多阶段擦除操作


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及用于存储器子系统中的存储器装置的多阶段擦除操作。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。
附图说明
[0003]根据下文给出的实施方式且根据本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。
[0004]图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的示例计算系统。
[0005]图2是根据本公开的一些实施例的示出存储器子系统中的存储器装置的数据块中的存储器单元串的示意图。
[0006]图3是根据本公开的一些实施例的示出存储器装置中的多阶段擦除操作中的电压信号的图式。
[0007]图4是根据本公开的一些实施例的示出存储器装置中的多阶段擦除操作中的电压信号的图式。
[0008]图5是根据本公开的一些实施例的在存储器装置中实施多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列；以及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下各项的操作：对所述存储器阵列发起擦除操作；在所述擦除操作期间使擦除电压信号施加到所述存储器阵列的数据块中的存储器单元串的源极端子；在所述擦除操作的第一阶段期间，使第一电压信号施加到所述数据块的第一字线且使第二电压信号施加到所述数据块的第二字线，其中所述第一字线耦合到所述存储器单元串中的第一装置且所述第二字线耦合到所述存储器单元串中的第二装置，并且其中所述第一电压信号和所述第二电压信号两者相对于所述擦除电压信号具有共同的第一电压偏移；确定所述擦除操作的所述第一阶段的结束；以及在所述擦除操作的第二阶段期间，使所述第一电压信号相对于所述擦除电压信号减小到第二电压偏移且使所述第二电压信号相对于所述擦除电压信号减小到第三电压偏移，其中所述第二偏移大于所述第三偏移。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一装置包括栅极诱发漏极泄漏(GIDL)产生器装置。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二装置包括选择栅极装置。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中确定所述擦除操作的所述第一阶段的所述结束包括确定所述擦除电压信号已达到预定电压电平。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中确定所述擦除操作的所述第一阶段的所述结束包括确定自所述擦除电压信号施加到所述存储器单元串的所述源极端子以来已经过预定时间段。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在所述擦除操作的所述第二阶段的开始处，使所述第一电压信号相对于所述擦除电压信号减小到所述第二电压偏移，且使所述第二电压信号相对于所述擦除电压信号减小到所述第三电压偏移。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在所述擦除操作的所述第二阶段开始之后发生的第一延迟周期之后，使所述第一电压信号相对于所述擦除电压信号减小到所述第二电压偏移，并且其中在所述擦除操作的所述第二阶段的所述开始处，使所述第二电压信号相对于所述擦除电压信号减小到所述第三电压偏移。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑执行包括以下各项的进一步操作：确定所述擦除操作的所述第二阶段的结束；以及在所述擦除操作的第三阶段期间，使所述擦除电压信号、所述第一电压信号和所述第二电压信号保持处于相应的恒定电压电平。9.一种方法，其包括：对存储器阵列发起擦除操作；在所述擦除操作期间使擦除电压信号施加到所述存储器阵列的数据块中的存储器单元串的源极端子；在所述擦除操作的第一阶段期间，使第一电压信号施加到所述数据块的第一字线且使
第二电压信号施加到所述数据块的第二字线，其中所述第一字线耦合到所述存储器单元串中的第一装置且所述第二字线耦合到所述存储器单元串中的第二装置，并且其中所述第一电压信号和所述第二电压信号两者相对于所述擦除电压信号具有共同的第一电压偏移；确定所述擦除操作的所述第一阶段的结束；以及在所述擦除操作的第二阶段期间，使所述第一电压信号相对于所述擦除电压信号减小到第二电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：