一种基于杂化材料进行信息存储的方法技术

本发明专利技术属于信息存储技术领域，具体涉及一种基于杂化材料进行信息存储的方法。本发明专利技术所述基于杂化材料进行信息存储的方法，包括对杂化材料施加外力进行驱动以使所述杂化材料呈现荧光态或无荧光态的步骤，从而实现双态或三态信息存储，仅通过向选定杂化材料进行外力驱动的方式，即可以利用杂化材料中不同组分之间的能级差，实现在外力驱动下的能带匹配方式的转换，使得所述杂化材料表现出组分荧光态或无荧光态，一个存储单元内具有两种或三种状态，可用于存储双态或三态数据。可用于存储双态或三态数据。可用于存储双态或三态数据。

【技术实现步骤摘要】
一种基于杂化材料进行信息存储的方法


[0001]本专利技术属于信息存储
，具体涉及一种基于杂化材料进行信息存储的方法。

技术介绍

[0002]随着人工智能、云计算、光芯片等信息技术的发展，对于海量数据的存储和处理能力要求不断增长，且由于电子器件的微型化和信息技术的爆炸式发展，对大容量信息存储器件的研究成为科学家们亟需解决的难题。非易失性存储器件拥有存储量大、读写速度快、寿命长等特点，有望代替动态随机存储器和闪存打破现有的计算机冯诺依曼体系，实现低能耗、高速的存算一体和神经网络计算存储架构。
[0003]然而，现有的信息存储方式在实际使用中存在一些难以克服的问题和缺点，例如，传统的光存储依靠激光烧蚀方式，会引起存储介质的机械损伤，信息可擦写次数有限，尤其是读取信息时对设备精密程度要求较高；其次，传统的相变存储器件依赖特定的相变存储材料，诸如GeSbTe和GeTe等，此类材料需要使用物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积和脉冲激光沉积等复杂的材料制备方法，导致材料的成本高昂；另外，现在常用的电子存储芯片需要进行复杂的光刻工艺，且信息易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于杂化材料进行信息存储的方法，其特征在于，包括对杂化材料施加外力进行驱动以使所述杂化材料呈现荧光态或无荧光态的步骤，从而实现信息存储；所述杂化材料为具有A
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B型组成的杂化材料，其中，A组分与B组分之间存在能级差。2.根据权利要求1所述基于杂化材料进行信息存储的方法，所述杂化材料中，A组分与B组分的导带与价带对应的能级差(ΔE)至少一个小于200meV。3.根据权利要求1或2所述基于杂化材料进行信息存储的方法，其特征在于，B组分的导带和价带在外力驱动下的移动速度均快于A组分。4.根据权利要求3所述基于杂化材料进行信息存储的方法，其特征在于，所述杂化材料中，A组分的导带能量低于B组分的导带能量，且A组分的价带能量高于B组分的价带能量。5.根据权利要求3所述基于杂化材料进行信息存储的方法，其特征在于，所述杂化材料中，A组分的导带和价带能量均低于B组分的导带和价带能量，或A组分的导带和价带能量均高于B组分的导带和价带能量。6.根据权利要求3所述基于杂化材料进行信息存储的方法，其特征在于，B组分的晶格软于A组分。7.根据权利要求1
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6任一项所述基于杂化材料进行信息存储的方法，其特征在于，所述外力包括压力和/或拉力。8.根据权利要求4所述基于杂化材料进行信息存储的方法，其特征在于，当不施加外力或向所述杂化材料施加第一外力值的外力时，杂化材料的能带匹配方式为I型；和/或，当向所述杂化材料施加第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭嵩蒿，吕旭杰，
申请(专利权)人：北京高压科学研究中心，
类型：发明
国别省市：