NAND闪存实现同或运算的控制方法技术

本发明专利技术提供了一种NAND闪存实现同或运算的控制方法，包括提供NAND闪存，所述NAND闪存包括至少一个存储块和若干读出放大器，所述存储块包括若干突触串、若干位线和若干字线，所述突触串包括若干串联的存储单元，所述突触串与所述位线一一对应连接，所述字线均连接所有所述突触串，所述读出放大器与所述位线一一对应连接，通过控制数据的存储方式以及字线的电压，实现了NAND闪存的同或运算。实现了NAND闪存的同或运算。实现了NAND闪存的同或运算。

【技术实现步骤摘要】
NAND闪存实现同或运算的控制方法


[0001]本专利技术涉及NAND闪存
，尤其涉及一种NAND闪存实现同或运算的控制方法。

技术介绍

[0002]图1为现有技术一种实现同或运算的NAND闪存的电路示意图，图1为现有技术中又一种实现同或运算的NAND闪存的电路示意图，参照图1和图2，一个读出放大器连接两条位线，与正常的NAND闪存不兼容，并且每个位线上单独开关控制，同样与正常NAND闪存结构不兼容，且会增加面积成本。
[0003]因此，有必要提供一种新型的NAND闪存实现同或运算的控制方法以解决现有技术中存在的上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种NAND闪存实现同或运算的控制方法，在与正常NAND闪存结构兼容的基础上，实现同或运算。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的所述NAND闪存实现同或运算的控制方法，包括以下步骤：
[0006]S0：提供NAND闪存，所述NAND闪存包括至少一个存储块和若干读出放大器，所述存储块包括若干突触串、若干位线和若干字线，所述突触本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存实现同或运算的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S0：提供NAND闪存，所述NAND闪存包括至少一个存储块和若干读出放大器，所述存储块包括若干突触串、若干位线和若干字线，所述突触串包括若干串联的存储单元，所述突触串与所述位线一一对应连接，所述字线均连接所有所述突触串，所述读出放大器与所述位线一一对应连接；S1：同一存储块中，选取任一所述突触串作为第一突触串，选取剩余所述突触串中的任一突触串作为第二突触串，选取所述第一突触串中的任一存储单元作为第一存储单元，选取所述第二突触串中的任一存储单元作为第二存储单元，向所述第一存储单元写入第一数据，向所述第二存储单元写入第二数据，所述第一存储单元连接的字线与所述第二存储单元连接的字线不同，且所述第一数据和所述第二数据互为反相数据；S2：向所述第一存储单元连接的字线施加第一电位电压，向所述第二存储单元连接的字线施加第二电位电压，且所述第一电位电压与所述第二电位电压不同；S3：通过相应读出放大器从所述第一突触串读取数据，并输出第一运算数据，通过相应读出放大器从所述第二突触串读取数据，并输出第二运算数据；S4：根据所述第一运算数据、所述第二运算数据中的至少一个得到结果数据。2.根据权利要求1所述的NAND闪存实现同或运算的控制方法，其特征在于，执行所述步骤S1之前还包括阈值电压设置步骤，所述第一数据和所述第二数据均为二进制数据，当所述第一数据为二进制数据1，所述第二数据为二进制数据0，所述阈值电压设置步骤包括：将所述第一存储单元的阈值电压设置为第一阈值电压，将所述第二存储单元的阈值电压设置为第二阈值电压，将剩余所述存储单元的阈值电压设置为第三阈值电压，其中，所述第三阈值电压小于所述第一阈值电压，所述第一阈值电压小于所述第二阈值电压；当所述第一数据为二进制数据0，所述第二数据为二进制数据1，所述阈值电压设置步骤包括：将所述第二存储单元阈值电压设置为第一阈值电压，将所述第一存储单元的阈值电压设置为第二阈值电压，将剩余所述存储单元的阈值电压设置为第三阈值电压，其中，所述第三阈值电压小于所述第一阈值电压，所述第一阈值电压小于所述第二阈值电压。3.根据权利要求2所述的NAND闪存实现同或运算的控制方法，其特征在于，所述第一电位电压大于所述第三阈值电压，且小于所述第一阈值电压，所述第二电位电压大于所述第一阈值电压，且小于所述第二阈值电压，或，所述第二电位电压大于所述第三阈值电压，且小于所述第一阈值电压，所述第一电位电压大于所述第一阈值电压，且小于所述第二阈值电压。4.根据权利要求2所述的NAND闪存实现同或运算的控制方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤强，
申请(专利权)人：至讯创新科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：