非易失性存储器及其编程方法、擦除方法以及电子装置制造方法及图纸

本申请公开了一种非易失性存储器及其编程方法、擦除方法以及电子装置，其通过在存储页设置指示信息存储区以新增指示信息，用以指示该存储页的数据存储区是否包括处于编程状态的存储单元，并且根据处于编程状态的存储单元的数量确定擦除操作参数，以进一步灵活调整擦除脉冲电压，从而能够减少擦除时间，提高闪存的使用寿命和降低功耗。存的使用寿命和降低功耗。存的使用寿命和降低功耗。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器及其编程方法、擦除方法以及电子装置


[0001]本申请涉及
，具体涉及一种非易失性存储器及其编程方法、擦除方法以及电子装置。

技术介绍

[0002]目前，NAND Flash(快闪存储器)的擦除操作主要利用FN隧穿效应(Fowler
‑
Nordheim tunneling,FN tunneling)执行擦除操作，以改变存储单元的状态(例如存储单元的状态是从“0”状态变为“1”状态)。
[0003]NAND Flash的擦除操作是以块(block)为单位，块可以包含多个字线(Word Line,简称WL)，每一个字线对应多个存储单元，多个存储单元可以包括处于未编程状态(擦除状态)的存储单元和处于编程状态的存储单元。现有的擦除操作中，在衬底上施加擦除电压，擦除电压产生的电场使浮栅中的电子通过FN隧穿效应进入衬底。擦除电压并没有考虑到处于未编程状态的存储单元和处于编程状态的存储单元的数量和分布，影响擦除操作的效率。
[0004]因此，需要对现有技术问题提出解决方法。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种非易失性存储器及其编程方法、擦除方法、电子装置，其通过在存储页设置指示信息存储区以新增指示信息，用以指示该存储页的数据存储区中处于编程状态的存储单元的数量是否超过预设数值，并且根据处于编程状态的存储单元的数量超过预设数值的存储页的数量确定擦除操作参数，以进一步灵活调整擦除脉冲电压，从而能够达到减少擦除时间的目的。
[0006]根据本申请的一方面，本申请提供了一种非易失性存储器的编程方法，所述编程方法包括：根据待写入目标页的数据存储区的数据确定所述目标页的指示信息，其中，当所述待写入目标页的数据存储区的数据中取值为“0”的位的数量小于或等于预设数量时，确定所述目标页的指示信息的有效位为“1”；当所述待写入目标页的数据存储区的数据中取值为“0”的位的数量大于所述预设数量时，确定所述目标页的指示信息的有效位为“0”，其中所述指示信息包括有效位；以及将所述数据写入所述目标页的数据存储区，并且将所述指示信息写入所述目标页的指示信息存储区。
[0007]可选地，所述指示信息还包括非有效位，该非有效位取值为“1”。
[0008]根据本申请的另一方面，本申请提供了一种非易失性存储器的擦除方法，所述擦除方法包括：接收对多个存储块中的目标块的擦除指令，所述目标块包括多个存储页，每个所述存储页包括数据存储区和指示信息存储区，其中所述指示信息存储区用于存储指示信息，所述指示信息用于表示每一所述存储页的数据存储区是否包括处于编程状态的存储单元；对所述多个存储页的指示信息存储区执行读取操作；根据所述读取操作的读取结果确定擦除操作参数；以及根据所确定的擦除操作参数执行擦除操作。
[0009]可选地，所述多个存储页分为多个组，同一个组中的存储页的指示信息的有效位在所述指示信息中的位置不同，所述对所述多个存储页的指示信息存储区执行读取操作包括：逐组进行读取操作，在所述读取操作中，在选中组的字线上同时施加读取电压，在非选中组的字线上施加导通电压。
[0010]可选地，所述指示信息的有效位的数量等于所述组中的存储页的数量。
[0011]可选地，所述根据所述读取操作的读取结果确定擦除操作参数包括：根据所述读取操作的读取结果确定所述目标块的多个存储页中编程页的数量，以及根据所述编程页的数量确定所述擦除操作参数，其中，所述编程页为处于编程状态的存储单元的数量大于预设数量的存储页。
[0012]可选地，所述多个存储页分为多个组，同一个组中的存储页的指示信息的有效位在所述指示信息中的位置相同，不同组的存储页的指示信息的有效位在所述指示信息中的位置不同，所述对所述多个存储页的指示信息存储区执行读取操作包括：在所述多个存储页的字线上同时施加读取电压。
[0013]可选地，所述指示信息的有效位的数量等于所述组的数量。
[0014]可选地，所述根据所述读取操作的读取结果确定擦除操作参数包括：根据所述读取操作的读取结果中取值为“0”的位的数量确定所述擦除操作参数。
[0015]可选地，对所述多个存储页的指示信息存储区执行读取操作包括：在所述多个存储页中的两个或多个存储页的字线上同时施加读取电压，其中，所述两个或多个存储页的指示信息的有效位在指示信息中的位置不同。
[0016]可选地，所述擦除操作参数包括初始擦除脉冲电压的大小和/或擦除脉冲电压的递增步长。
[0017]根据本申请的又一方面，本申请提供了一种非易失性存储器，其包括：多个存储块，每一所述存储块包括多个存储页，每一所述存储页包括数据存储区和指示信息存储区，其中所述指示信息存储区用于存储指示信息，所述指示信息用于表示每一所述存储页的数据存储区是否包括处于编程状态的存储单元；控制器，用于执行：接收对所述多个存储块中的目标块的擦除指令；对所述目标块的所述指示信息存储区执行读取操作；根据所述读取操作的读取结果确定擦除操作参数；以及根据所确定的擦除操作参数执行擦除操作。
[0018]可选地，所述指示信息包括有效位，所述有效位在所述存储页为编程页时的取值和所述存储页为非编程页时的取值不同，所述编程页为处于编程状态的存储单元的数量大于预设数量的存储页，所述非编程页为处于编程状态的存储单元的数量小于或等于所述预设数量的存储页。
[0019]可选地，所述多个存储页分为多个组，同一个组中的存储页的指示信息的有效位在所述指示信息中的位置不同，所述对所述多个存储页的指示信息存储区执行读取操作包括：逐组进行读取操作，在所述读取操作中，在选中组的字线上同时施加读取电压，在非选中组的字线上施加导通电压。
[0020]可选地，所述指示信息的有效位的数量等于所述组中的存储页的数量。
[0021]可选地，所述根据所述读取操作的读取结果确定擦除操作参数包括：根据所述读取操作的读取结果确定所述目标块的多个存储页中编程页的数量，以及根据所述编程页的数量确定所述擦除操作参数，其中，所述编程页为处于编程状态的存储单元的数量大于预
设数量的存储页。
[0022]可选地，所述多个存储页分为多个组，同一个组中的存储页的指示信息的有效位在所述指示信息中的位置相同，不同组的存储页的指示信息的有效位在所述指示信息中的位置不同，所述对所述多个存储页的指示信息存储区执行读取操作包括：在所述多个存储页的字线上同时施加读取电压。
[0023]可选地，所述指示信息的有效位的数量等于所述组的数量。
[0024]可选地，所述根据所述读取操作的读取结果确定擦除操作参数包括：根据所述读取操作的读取结果中取值为“0”的位的数量确定所述擦除操作参数。
[0025]可选地，对所述多个存储页的指示信息存储区执行读取操作包括：在所述多个存储页中的两个或多个存储页的字线上同时施加读取电压，其中，所述两个或多个存储页的指示信息的有效位在指示信息中的位置不同。
[0026]可选地，当所述存储页本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的编程方法，其特征在于，所述编程方法包括：根据待写入目标页的数据存储区的数据确定所述目标页的指示信息，所述指示信息包括有效位，其中，当所述待写入目标页的数据存储区的数据中取值为“0”的位的数量小于或等于预设数量时，确定所述目标页的指示信息的有效位为“1”；当所述待写入目标页的数据存储区的数据中取值为“0”的位的数量大于所述预设数量时，确定所述目标页的指示信息的有效位为“0”；以及将所述数据写入所述目标页的数据存储区，并且将所述指示信息写入所述目标页的指示信息存储区。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程方法，其特征在于，所述指示信息还包括非有效位，所述非有效位取值为“1”。3.一种非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述擦除方法包括：接收对多个存储块中的目标块的擦除指令，所述目标块包括多个存储页，每个所述存储页包括数据存储区和指示信息存储区，其中所述指示信息存储区用于存储指示信息，所述指示信息用于表示每一所述存储页的数据存储区中处于编程状态的存储单元的数量是否大于预设数量；对所述多个存储页的指示信息存储区执行读取操作；根据所述读取操作的读取结果确定擦除操作参数；以及根据所确定的擦除操作参数执行擦除操作。4.根据权利要求3所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述多个存储页分为多个组，同一个组中的存储页的指示信息的有效位在所述指示信息中的位置不同，所述对所述多个存储页的指示信息存储区执行读取操作包括：逐组进行读取操作，在所述读取操作中，在选中组的字线上同时施加读取电压，在非选中组的字线上施加导通电压。5.根据权利要求4所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述指示信息的有效位的数量等于所述组中的存储页的数量。6.根据权利要求4所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述根据所述读取操作的读取结果确定擦除操作参数包括：根据所述读取操作的读取结果确定所述目标块的多个存储页中编程页的数量，以及根据所述编程页的数量确定所述擦除操作参数，其中，所述编程页为所述数据存储区中处于编程状态的存储单元的数量大于所述预设数量的存储页。7.根据权利要求3所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述多个存储页分为多个组，同一个组中的存储页的指示信息的有效位在所述指示信息中的位置相同，不同组的存储页的指示信息的有效位在所述指示信息中的位置不同，所述对所述多个存储页的指示信息存储区执行读取操作包括：在所述多个存储页的字线上同时施加读取电压。8.根据权利要求7所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述指示信息的有效位的数量等于所述组的数量。9.根据权利要求7所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述根据所述读取操作的读取结果确定擦除操作参数包括：根据所述读取操作的读取结果中取值为“0”的位的数量确定所述擦除操作参数。10.根据权利要求3所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，对所述多个存储
页的指示信息存储区执行读取操作包括：在所述多个存储页中的两个或多个存储页的字线上同时施加读取电压，其中，所述两个或多个存储页的指示信息的有效位在指示信息中的位置不同。11.根据权利要求3所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述擦除操作参数包括初始擦除脉冲电压的大小和/或擦除脉冲电压的递增步长。12.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：多个存储块，每一所述存储块包括多个存储页，每一所述存储页包括数据存储区和指示信息存储区，其中所述指示信息存储区用于存储指示信息，所述指示信息用于表示每一所述存储页的数据存储区中处于编程状态的存储单元的数量是否大于预设数量；控制器，用于执行：接收对所述多个存储块中的目标块的擦除指令；对所述目标块的所述多个存储页的指示信息存储区执行读取操作；根据所述读取操作的读取结果确定擦除操作参数；以及根据所确定的擦除操作参数执行擦除操作。13.根据权利要求12所述的非易失性存储器，其特征在于，所述指示信息包括有效...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卫，
申请(专利权)人：兆易创新科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：