【技术实现步骤摘要】
一种具有低矫顽力和低磁导率的铁基纳米晶磁芯及制备方法
[0001]本专利技术涉及非晶纳米晶磁芯制备
,尤其涉及一种具有低矫顽力和低磁导率的铁基纳米晶磁芯及制备方法。
技术介绍
[0002]恒磁导率磁芯在稳定传输的低功率小型器件中具有广泛的应用前景,如高精度电流互感器,线性扼流圈等。
[0003]铁氧体粉末软磁材料在宽的频率范围内具有极其稳定的低且恒定的磁导率,即使在MHz范围磁导率的衰减依然很低;但铁氧体弱的磁交换耦合作用导致了其仅具有低的饱和磁感应强度(B
s
)、高的矫顽力(H
c
)和差的温度稳定性,这限制了其应用范围。
[0004]中国专利CN104376950A公开了一种铁基恒导磁纳米晶磁芯及其制备方法,合金分子式为Fe
a
Cu
b
Nb
c
Si
d
B
e
M
f
X
g
,其中M是元素V、Ti、Mn、Cr、Mo中的至少一种,X是元素C、Ge、P ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有低矫顽力和低磁导率的铁基纳米晶磁芯的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将所述铁基纳米晶磁芯的原料进行感应熔炼,得到母合金锭;将所述母合金锭加热至熔融,将所得合金液喷射至金属辊表面进行急冷,得到非晶薄带;沿所述非晶薄带的条带方向同时施加张应力和磁场进行张应力
‑
磁场复合退火,得到具有低矫顽力和低磁导率的铁基纳米晶磁芯;所述张应力
‑
磁场复合退火的温度为T
x1
±
8℃,T
x1
为非晶薄带的第一个晶化温度;所述张应力
‑
磁场复合退火的张应力为20~50MPa;所述铁基纳米晶磁芯的分子式为Fe
a
Si
b
B
c
Cu
d
Nb
e
,其中,a、b、c、d和e为原子百分比,7≤b≤18;5≤c≤13;0.5≤d≤1.5;0.5≤e≤4;其余为a。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述张应力
‑
磁场复合退火的时间为10~300s。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述张应力
‑
磁场复合退火的张应力为25~45MPa。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述张...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱政权,孙保安,苏枫超,李伟峰,刘果明,周靖,李雪松,
申请(专利权)人:东莞市昱懋纳米科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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