加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供加工装置，其能够自动地进行使晶片与环状框架借助带而成为一体的作业。加工装置包含：对晶片进行支承的晶片台；对环状框架进行支承的框架台；具有将带压接于环状框架的第一压接辊的第一带压接单元；以及具有将有带环状框架的带压接于晶片的正面或背面的第二压接辊的第二带压接单元。在框架台和第一压接辊中的任意一方或双方中配设有第一加热单元，并且在晶片台和第二压接辊中的任意一方或双方中配设有第二加热单元。双方中配设有第二加热单元。双方中配设有第二加热单元。

【技术实现步骤摘要】
加工装置


[0001]本专利技术涉及自动地进行使晶片与环状框架借助带而成为一体的作业的加工装置。

技术介绍

[0002]晶片在正面上具有由交叉的多条分割预定线划分IC、LSI等多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，该晶片在背面被磨削而形成为期望的厚度之后，通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
[0003]晶片在通过切割装置、激光加工装置进行加工之前，定位于具有收纳晶片的开口部的环状框架的开口部，借助粘接带而支承于环状框架。
[0004]但是，当将粘接带粘贴于晶片的正面或背面时，担心粘接层的一部分残留于晶片而使器件的品质降低。因此，本申请人提出了一种晶片的加工方法，其中，借助不具有粘接层的热压接带(例如聚烯烃系、聚酯系等热塑性合成树脂带)而使晶片支承于环状框架，对晶片实施加工(例如参照专利文献1、2)。不过，存在如下的问题：借助热压接带而使晶片与环状框架一体化是手动作业，生产率差。
[0005]另外，本申请人提出了如下的技术：为了容易搬送磨削后的晶片，在与外周剩余区域对应的背面上残留环状的加强部，在实施了规定的加工之后，在晶片的背面上粘贴划片带，并且利用环状框架对晶片进行支承，从晶片去除环状的加强部(例如参照专利文献3)。
[0006]但是，存在如下的问题：难以进行将带粘贴于在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片的背面上而与环状框架成为一体的作业，并且难以将环状的加强部切断而从晶片去除，生产率差。
[0007]专利文献1：日本特开2019
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201016号公报
[0008]专利文献2：日本特开2019
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201049号公报
[0009]专利文献3：日本特开2010
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62375号公报

技术实现思路

[0010]由此，本专利技术的目的在于提供加工装置，即使对于在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片，该加工装置也能够自动地进行使晶片与环状框架借助带而成为一体的作业。
[0011]根据本专利技术，提供加工装置，其中，该加工装置具有：晶片盒台，其载置晶片盒，该晶片盒收纳有多个晶片；晶片搬出单元，其将该晶片从载置于该晶片盒台的晶片盒搬出；晶片台，其对通过该晶片搬出单元搬出的该晶片进行支承；框架收纳单元，其收纳多个环状框架，该环状框架形成有对该晶片进行收纳的开口部；框架搬出单元，其将该环状框架从该框架收纳单元搬出；框架台，其对通过该框架搬出单元搬出的环状框架进行支承；第一带压接单元，其配设于该框架台的上方，具有将带压接于环状框架的第一压接辊；有带框架搬送单元，其将压接有该带的环状框架搬送至该晶片台并将环状框架的开口部定位于该晶片台所
支承的该晶片的正面或背面而将有带环状框架载置于该晶片台上；第二带压接单元，其具有将该有带环状框架的该带压接于该晶片的正面或背面的第二压接辊；框架单元搬出单元，其将通过该第二带压接单元将该有带环状框架的该带与该晶片的正面或背面压接而得的框架单元从该晶片台搬出；以及框架盒台，其载置框架盒，该框架盒对该框架单元进行收纳，在该框架台和该第一压接辊中的任意一方或双方中配设有第一加热单元，并且在该晶片台和该第二压接辊中的任意一方或双方中配设有第二加热单元，该带能够选择性地使用在片上敷设有粘接层的粘接带或在片上不具有粘接层的热压接带中的任意带。
[0012]优选在该晶片的与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部，该加工装置还具有：加强部去除单元，其从利用该框架单元搬出单元搬出的框架单元的晶片将环状的加强部切断并去除；以及无环单元搬出单元，其将去除了环状的加强部的无环单元从该加强部去除单元搬出。
[0013]优选该第一带压接单元包含：卷带支承部，其对卷绕有使用前的带的卷带进行支承；带卷绕部，其将使用完的带进行卷绕；带拉出部，其从该卷带拉出带；所述第一压接辊，其将拉出的带压接于环状框架；以及切断部，其将向环状框架的外周探出的带沿着环状框架切断。
[0014]优选在该带是热压接带的情况下，使该第一加热单元进行动作而对该框架台和该第一压接辊中的任意一方或双方进行加热从而将热压接带热压接于环状框架上。
[0015]优选该第二带压接单元包含：上部腔室，其配设于该晶片台的上方；下部腔室，其对该晶片台进行收纳；升降机构，其使该上部腔室升降而生成该上部腔室与该下部腔室接触的封闭状态和该上部腔室与该下部腔室分离的开放状态；真空部，其在该封闭状态下使该上部腔室和该下部腔室成为真空；以及大气开放部，其使该上部腔室和该下部腔室向大气开放，在将该有带环状框架的该带定位于该晶片台所支承的该晶片的正面或背面的状态下，使该升降机构进行动作，一边维持该封闭状态一边使该上部腔室和该下部腔室成为真空，利用配设于该上部腔室的该第二压接辊将该有带环状框架的该带压接于该晶片的正面或背面。
[0016]优选在该带是热压接带的情况下，使该第二加热单元进行动作而对该晶片台和该第二压接辊中的任意一方或双方进行加热从而将热压接带热压接于晶片的正面或背面上。
[0017]优选在该第二带压接单元的该上部腔室中配置有照相机，在搬送有带环状框架之前对该晶片台所支承的晶片的露出面是正面还是背面进行检测。
[0018]优选在该晶片台所支承的晶片的露出面是正面的情况下，该照相机获取记载于晶片的正面的ID。
[0019]优选在将有带环状框架的带压接于该晶片台所支承的晶片之后，该照相机对带是否适当地压接于晶片进行检测。
[0020]根据本专利技术的加工装置，作为粘贴于环状框架的带，能够选择性地使用在片上敷设有粘接层的粘接带或在片上不具有粘接层的热压接带中的任意带，并且即使是在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片，也能够自动地进行借助带而使晶片与环状框架成为一体的作业。
附图说明
[0021]图1是本专利技术实施方式的加工装置的立体图。
[0022]图2的(a)是通过图1所示的加工装置实施加工的有加强部的晶片的立体图，图2的(b)是通过图1所示的加工装置实施加工的无加强部的晶片的立体图。
[0023]图3是图1所示的晶片盒台等的立体图。
[0024]图4是图1所示的手部的立体图。
[0025]图5是图1所示的框架收纳单元等的立体图。
[0026]图6是图1所示的框架台和第一带压接单元等的立体图。
[0027]图7是图1所示的第一带压接单元的示意图。
[0028]图8是示出将第一压接辊定位于压接位置而将带压接于环状框架的一端的状态的示意图。
[0029]图9是示出从图8所示的状态使第一压接辊移动的状态的示意图。
[0030]图10是示出从图9所示的状态使第一压接辊进一步移动的状态的示意图。
[0031]图11是图1所示的第二带压接单元的分解立体图。
[0032]图12的(a)是从下方观本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加工装置，其中，该加工装置具有：晶片盒台，其载置晶片盒，该晶片盒收纳有多个晶片；晶片搬出单元，其将该晶片从载置于该晶片盒台的该晶片盒搬出；晶片台，其对通过该晶片搬出单元搬出的该晶片进行支承；框架收纳单元，其收纳多个环状框架，该环状框架形成有对该晶片进行收纳的开口部；框架搬出单元，其将该环状框架从该框架收纳单元搬出；框架台，其对通过该框架搬出单元搬出的该环状框架进行支承；第一带压接单元，其配设于该框架台的上方，具有将带压接于该环状框架的第一压接辊；有带框架搬送单元，其将压接有该带的该环状框架搬送至该晶片台并将该环状框架的开口部定位于该晶片台所支承的该晶片的正面或背面而将有带环状框架载置于该晶片台上；第二带压接单元，其具有将该有带环状框架的该带压接于该晶片的正面或背面的第二压接辊；框架单元搬出单元，其将通过该第二带压接单元将该有带环状框架的该带与该晶片的正面或背面压接而得的框架单元从该晶片台搬出；以及框架盒台，其载置框架盒，该框架盒对该框架单元进行收纳，在该框架台和该第一压接辊中的任意一方或双方中配设有第一加热单元，并且在该晶片台和该第二压接辊中的任意一方或双方中配设有第二加热单元，该带能够选择性地使用在片上敷设有粘接层的粘接带或在片上不具有粘接层的热压接带中的任意带。2.根据权利要求1所述的加工装置，其中，在该晶片的与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部，该加工装置还具有：加强部去除单元，其从利用该框架单元搬出单元搬出的该框架单元的该晶片将该环状的加强部切断并去除；以及无环单元搬出单元，其将去除了该环状的加强部的无环单元从该加强部去除单元搬出。3.根据权利要求1或2所述的加工装置，其中，该第一带压接单元包含：卷带支承部，其对卷绕有使用前的该带的卷带进行支承；带卷绕部，其将使用完的该带进行卷绕；带拉出部，...

【专利技术属性】
技术研发人员：森俊，柿沼良典，柳琮铉，生岛充，齐藤诚，增田洋平，内保贵，斋藤良信，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：