一种集成式LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种集成式LED芯片及其制备方法。本发明专利技术提供的集成式LED芯片，包括依次层叠设置的镶嵌有LED发光单元的支撑衬底、带有贯穿通孔的阻隔层和焊线电极；所述LED发光单元与焊线电极通过穿过所述贯穿通孔的金属连接线连接；所述贯穿通孔位于所述LED发光单元的电极处；所述LED发光单元的个数＞1。本发明专利技术将LED芯片集成在一起之后，芯片面积增加，可以放得下测试电极，因此很好的解决了现有MicroLED没有办法实现单颗芯片测试和返修的问题。片测试和返修的问题。片测试和返修的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种集成式LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及LED芯片
，尤其涉及一种集成式LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件，其发光原理为电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，因此发光二极管被称为冷光源，其具有低功耗、尺寸小、亮度高、易与集成电路匹配和可靠性高等优点，作为光源被广泛应用。并且，随着LED技术的成熟，直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或微型发光二极管(MicroLED)显示器的技术也逐渐被广泛应用。
[0003]MicroLED是指尺寸<50μm的LED芯片，被认为是最有可能取代OLED，成为下一代LED显示技术，由于其尺寸小，其间距可以作为P
0.5
以下，广泛应用于具有要求高亮度、超高解析度和高色彩饱和度的设备与场所。当前，通常通过转移的方式把红、绿、蓝单色MicroLED转移到布有线路基板上，外加驱动电流实现MicroLE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成式LED芯片，其特征在于，包括依次层叠设置的镶嵌有LED发光单元的支撑衬底、带有贯穿通孔的阻隔层和焊线电极；所述LED发光单元与焊线电极通过穿过所述贯穿通孔的金属连接线连接；所述贯穿通孔位于所述LED发光单元的电极处；所述LED发光单元的个数＞1。2.如权利要求1所述的集成式LED芯片，其特征在于，所述LED发光单元的上表面和阻隔层的下表面之间还包括扩展电极；所述焊线电极贯穿所述阻隔层的贯穿通孔与所述扩展电极互连。3.如权利要求1或2所述的集成式LED芯片，其特征在于，所述支撑衬底为≥1层的绝缘透明材料层。4.如权利要求1所述的集成式LED芯片，其特征在于，所述LED发光单元包括3个子发光单元；所述3个子发光单元分别为红光子发光单元、绿光子发光单元和蓝光子发光单元；且所述红光子发光单元、绿光子发光单元和蓝光子发光单元的正负极位于水平方向上的同一侧。5.如权利要求4所述的集成式LED芯片，其特征在于，所述焊线电极包括4个焊线电极；所述3个子发光单元的正极通过金属连接线相互互连，同时与1个所述焊线电极互连，所述3个子发光单元的负极通过金属连接线分别与另外3个所述焊线电极连接；或所述3个子发光单元的负极通过金属连接线相互互连，同时与1个所述焊线电极互连，所述3个子发光单元的正极通过金属连接线分别与另外3个所述焊线电极连接。6.如权利要求2所述的集成式LED芯片，其特征在于，所述扩展电极包括第一金属连接线和连接电极；所述连接电极与LED发光单元的电极通过所述第一金属连接线...

【专利技术属性】
技术研发人员：王斌飞，刘林启，
申请(专利权)人：刘林启，
类型：发明
国别省市：