本实用新型专利技术公开一种小型氢原子频标立式磁屏蔽装置包括屏蔽层、铝支架（９）、支撑杆（８）和绝缘减震胶垫（７）；其中屏蔽层由上盖（１）、下盖（３）和侧筒（２）构成，上盖（１）为圆盘，侧筒（２）为圆筒，上盖（１）与侧筒（２）的顶端焊接为一体，下盖（３）为边缘带有突台的圆盘，侧筒（２）的底端与下盖（３）扣接；多层屏蔽层以嵌套式结构组合在一起，由内向外各层屏蔽层的直径由小变大，高度由低到高。通过对磁屏蔽装置进行改进，磁屏蔽装置的重量减少到１２ｋｇ，结构得到了强化，稳定性和可靠性均得到了提高，工作环境有了大范围扩展。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及磁屏蔽装置,特别是小型氢原子频标立式磁屏蔽装置。技术背景以往的磁屏蔽装置结构为四层立式结构，整个装置重量达17kg,每层屏蔽 由独立的上盖、下盖和侧筒机械连接。各个上下盖之间有销支架，与侧简不接触。支架以及屏蔽之间绝缘处理。以往的装置重量大，不利于小型化的要求；装置内 没有减震措施，连接固定措施不够，结构稳定性差；且上盖、下盖和侧简完全独 立，重复安装的可靠性低。安装完成后仅能在实验室环境下固定使用。
技术实现思路
本技术目的在于提供一种小型氢原子频标立式磁屏蔽装置，解决重量 重、稳定性差、可靠性低的问题。小型氢原子频标立式磁屏蔽装置包括屏蔽层、钼支架，还包括支撑杆和绝缘 减震胶垫。其中屏蔽层由上盖、下盖和侧简构成，上盖为圆盘，侧筒为圆简，上 盖直径与侧筒直径对应，上盖与侧简的顶端焊接为一体，下盖为边缘带有突台的 圆盘，突台高度为10mm-15mm,下盖突台的内径与侧简的外径相对应，侧简的底 端与下盖突台端扣接。多层屏蔽层以嵌套式结构组合在一起，由内向外各层屏蔽 层的直径由小变大，高度由低到高。最外层屏蔽简上筒壁厚为0.8mm-1.2mm，直 径为255mm-265mm,高度为275mm-285mm,下盖的厚度为8. 0mm-12. Omm,外径为 265mm-285咖，内层壁厚为0. 3mm-0. 5mm。铝支架置于屏蔽的上盖之间和下盖之 间，绝缘减震胶垫置于铝支架和屏蔽的上盖、下盖之间。最外层下盖上有相应内 层底盖中心均分的三个螺紋孔。内层屏蔽的上盖、下盖通过支撑杆固定在最外层 下盖上。屏蔽层材料为坡莫合金。由于屏蔽层的阻碍作用，外部磁场的主要沿屏蔽层进行传播而不能穿过屏蔽 层，仅有少量磁场分量能穿过屏蔽层进入内部区域，经过多层屏蔽作用，最终在 屏蔽最内层内部形成均匀稳定微弱的剩余磁场，并且在长期连续的工作过程中，不因外界环境条件的改变而变化。通过对磁屏蔽装置进行改进，磁屏蔽装置的重量减少到12kg,结构得到了 强化，稳定性和可靠性均得到了提高，工作环境有了大范围扩展。附图说明图1小型氢原子频标立式磁屏蔽装置结构示意图l.上盖2.侧简3.下盖4.最外层屏蔽上盖5.最外层屏蔽侧简6.最外层屏蔽下盖7.绝缘减震胶垫8.支撑杆9.铝支架具体实施方式小型氢原子频标立式磁屏蔽装置包括屏蔽层、铝支架9，还包括支撑杆8和 绝缘减震胶垫7。其中屏蔽层为四层，由上盖l、侧简2和下盖3构成，上盖l 为圆盘，侧简2为圆筒，上盖1直径与侧筒2直径对应，上盖1与侧简2的顶端 焊接为一体，下盖3为边缘带有突台的圆盘，突台高度为12mm,下盖3突台的 内径与侧筒2的外径相对应，侧简2的底端与下盖3突台扣接。屏蔽层由内向外 依次为屏蔽层a、屏蔽层b、屏蔽层c、屏蔽层d。四层屏蔽层以嵌套式结构组合 在一起，由内向外各层屏蔽层的直径由小变大，高度由低到高。屏蔽层a壁厚为0. 5誦，直径为190mm,高度为240mm;屏蔽层b壁厚为0. 5ram,直径为210mm, 高度为260mm;屏蔽层c壁厚为0. 5mm，直径为230mra,高度为280mm;最外层屏 蔽上盖4即屏蔽层d上盖厚1. Omm，最外层屏蔽侧简5即屏蔽层d侧简壁厚为1. Omm,直径为256mm,高度为300mm,最外层屏蔽下盖6即屏蔽层d下盖的厚度 为10. Omm,外径为276mm。屏蔽层上盖1之间和下盖2之间的间隙均用绝缘减震 胶垫7和铝支架9分隔固定，支撑杆8固定在最外层屏蔽下盖6上，内层屏蔽用 铝支架9通过支撑杆8固定在最外层屏蔽下盖6上。权利要求1.一种小型氢原子频标立式磁屏蔽装置包括屏蔽层、铝支架(9)，其特征在于还包括支撑杆(8)和绝缘减震胶垫(7)；其中屏蔽层由上盖(1)、下盖(3)和侧筒(2)构成，上盖(1)为圆盘，侧筒(2)为圆筒，上盖(1)直径与侧筒(2)直径对应，上盖(1)与侧筒(2)的顶端焊接为一体，下盖(3)为边缘带有突台的圆盘，突台高度为10mm-15mm，下盖(3)突台的内径与侧筒(2)的外径相对应，侧筒(2)的底端与下盖(3)扣接；多层屏蔽层以嵌套式结构组合在一起，由内向外各层屏蔽层的直径由小变大，高度由低到高；最外层屏蔽侧筒(5)壁厚为0.8mm-1.2mm，直径为255mm-265mm，高度为275mm-285mm，下盖(3)的厚度为8.0mm-12.0mm，外径为265mm-285mm，内层壁厚为0.3mm-0.5mm；铝支架(9)置于屏蔽的上盖(1)和下盖(3)之间，绝缘减震胶垫(7)置于铝支架(9)与屏蔽的上盖(1)和铝支架(9)与下盖(3)之间；最外层下盖(10)相应内层下盖(3)中心均分三个螺纹孔；内层屏蔽的上盖(1)、下盖(3)通过支撑杆(8)固定在最外层下盖(10)上；屏蔽层材料为坡莫合金。专利摘要本技术公开一种小型氢原子频标立式磁屏蔽装置包括屏蔽层、铝支架(9)、支撑杆(8)和绝缘减震胶垫(7)；其中屏蔽层由上盖(1)、下盖(3)和侧筒(2)构成，上盖(1)为圆盘，侧筒(2)为圆筒，上盖(1)与侧筒(2)的顶端焊接为一体，下盖(3)为边缘带有突台的圆盘，侧筒(2)的底端与下盖(3)扣接；多层屏蔽层以嵌套式结构组合在一起，由内向外各层屏蔽层的直径由小变大，高度由低到高。通过对磁屏蔽装置进行改进，磁屏蔽装置的重量减少到12kg，结构得到了强化，稳定性和可靠性均得到了提高，工作环境有了大范围扩展。文档编号H05K9/00GK201123218SQ200720305718公开日2008年9月24日 申请日期2007年11月16日 优先权日2007年11月16日专利技术者余传佩, 周铁中, 孙永红, 崔利亚, 张继红, 晶 李, 峰 杨, 沈国辉, 王翰林, 高连山 申请人:中国航天科工集团第二研究院二○三所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种小型氢原子频标立式磁屏蔽装置包括屏蔽层、铝支架（９），其特征在于还包括支撑杆（８）和绝缘减震胶垫（７）；其中屏蔽层由上盖（１）、下盖（３）和侧筒（２）构成，上盖（１）为圆盘，侧筒（２）为圆筒，上盖（１）直径与侧筒（２）直径对应，上盖（１）与侧筒（２）的顶端焊接为一体，下盖（３）为边缘带有突台的圆盘，突台高度为１０ｍｍ－１５ｍｍ，下盖（３）突台的内径与侧筒（２）的外径相对应，侧筒（２）的底端与下盖（３）扣接；多层屏蔽层以嵌套式结构组合在一起，由内向外各层屏蔽层的直径由小变大，高度由低到高；最外层屏蔽侧筒（５）壁厚为０．８ｍｍ－１．２ｍｍ，直径为２５５ｍｍ－２６５ｍｍ，高度为２７５ｍｍ－２８５ｍｍ，下盖（３）的厚度为８．０ｍｍ－１２．０ｍｍ，外径为２６５ｍｍ－２８５ｍｍ，内层壁厚为０．３ｍｍ－０．５ｍｍ；铝支架（９）置于屏蔽的上盖（１）和下盖（３）之间，绝缘减震胶垫（７）置于铝支架（９）与屏蔽的上盖（１）和铝支架（９）与下盖（３）之间；最外层下盖（１０）相应内层下盖（３）中心均分三个螺纹孔；内层屏蔽的上盖（１）、下盖（３）通过支撑杆（８）固定在最外层下盖（１０）上；屏蔽层材料为坡莫合金。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张继红，崔利亚，高连山，孙永红，沈国辉，周铁中，李晶，杨峰，余传佩，王翰林，
申请(专利权)人：中国航天科工集团第二研究院二○三所，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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