一种掺铪氧化锌薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种掺铪氧化锌薄膜晶体管及其制备方法，属于薄膜晶体管技术领域，掺铪氧化锌薄膜晶体管包括自下至上依次叠放的衬底、栅介质层、中间层、有源层和源漏电极，其中，中间层的材料为氧化铪，中间层的厚度为30～50nm；有源层的材料为掺铪氧化锌。制备方法包括：(T1)在下面设有衬底的栅介质层上，通过原子层沉积生长氧化铪薄膜，作为中间层；(T2)在中间层上，通过原子层沉积生长掺铪氧化锌并图案化，作为有源层；(T3)空气退火处理后，在有源层上通过直流磁控溅射沉积制备导电薄膜并图案化，作为源/漏电极，得到掺铪氧化锌薄膜晶体管。本发明专利技术通过改进薄膜晶体管的结构和/或制备方法，有效提高了薄膜晶体管的偏置稳定性和场效应迁移率。场效应迁移率。场效应迁移率。

【技术实现步骤摘要】
一种掺铪氧化锌薄膜晶体管及其制备方法


[0001]本专利技术属于薄膜晶体管
，更具体地，涉及一种掺铪氧化锌薄膜晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]由于平面显示技术的不断发展，市场对于薄膜晶体管(简称TFT，全称Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)的稳定性和制备方法提出了更高的要求。因此采用后处理手段消除有源层薄膜缺陷，提高界面质量至关重要。现有TFT的有源层多为非晶氧化物，由于缺陷和界面态较多，在长时间工作条件下容易出现开启电压大幅漂移且开启电流较小等问题。
[0003]因此，如何提高薄膜晶体管的偏置稳定性和场效应迁移率，成为本领域的技术难题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本专利技术提供了一种掺杂氧化锌薄膜晶体管及其制备方法，其目的在于，通过改进薄膜晶体管的结构和/或制备方法，提高薄膜晶体管的偏置稳定性和场效应迁移率，由此解决现有薄膜晶体管的偏置稳定性低和场效应迁移率低的技术问题。
[0005]为实现上述目的，按照本专利技术的一个方面，提供了以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺铪氧化锌薄膜晶体管，其特征在于，包括自下至上依次叠放的衬底、栅介质层、中间层、有源层和源漏电极，其中，所述中间层的材料为氧化铪，所述中间层的厚度为30～50nm；所述有源层的材料为掺铪氧化锌。2.如权利要求1所述的一种掺铪氧化锌薄膜晶体管，其特征在于，所述掺铪氧化锌中掺杂铪原子比为3～5at％，所述有源层的厚度为20～30nm。3.如权利要求1所述的一种掺铪氧化锌薄膜晶体管，其特征在于，所述中间层是采用原子层沉积制备的氧化铪薄膜，所述有源层是采用原子层沉积制备的掺铪氧化锌薄膜。4.如权利要求1所述的一种掺铪氧化锌薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底是p型高掺杂硅，所述栅介质层为氧化硅。5.如权利要求4所述的一种掺铪氧化锌薄膜晶体管，其特征在于，所述栅介质层为热氧化生长的氧化硅。6.如权利要求5所述的一种掺铪氧化锌薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底包括：石英玻璃衬底或氧化硅衬底；所述源漏电极的材料包括：钼、金、铂或钛。7.一种掺铪氧化锌薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(T1)在下面设有衬底的栅介质层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：段国韬，唐宇枢，谭彭伟，张征，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：