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本发明公开了一种掺铪氧化锌薄膜晶体管及其制备方法，属于薄膜晶体管技术领域，掺铪氧化锌薄膜晶体管包括自下至上依次叠放的衬底、栅介质层、中间层、有源层和源漏电极，其中，中间层的材料为氧化铪，中间层的厚度为30～50nm；有源层的材料为掺铪氧化锌...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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