半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种特性的不均匀小的半导体装置。形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成导电体，在导电体上形成第二绝缘体，在第二绝缘体上形成第三绝缘体，在第三绝缘体上形成氧化物，进行第一加热处理，以及在进行第一加热处理之后，接着进行第二加热处理，其中第一加热处理的温度低于第二加热处理的温度。度低于第二加热处理的温度。度低于第二加热处理的温度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种金属氧化物的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种晶体管、半导体装置以及电子设备。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块。
[0002]注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置、电子设备等有时包括半导体装置。
[0003]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。

技术介绍

[0004]近年来，已对半导体装置进行开发，主要将LS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成第一绝缘体；在所述第一绝缘体上形成导电体；在所述导电体上形成第二绝缘体；在所述第二绝缘体上形成第三绝缘体；在所述第三绝缘体上形成氧化物；进行第一加热处理；以及在进行所述第一加热处理之后，接着进行第二加热处理，其中，所述第一加热处理的温度低于所述第二加热处理的温度。2.一种半导体装置的制造方法，包括：形成第一绝缘体；在所述第一绝缘体上形成导电体；在所述导电体上形成第二绝缘体；在所述第二绝缘体上形成第三绝缘体；在所述第三绝缘体上形成氧化物；进行第一加热处理；在进行所述第一加热处理之后，接着进行第二加热处理；通过进行所述第一加热处理，所述氧化物及所述第三绝缘体所包含的氢迁移到所述第二绝缘体并...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，伊藤俊一，小松良宽，川口忍，笹川慎也，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：