半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置制造方法及图纸

提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的场效应迁移率及可靠性。本发明专利技术的一个实施方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜包含铟、镓、锡及锌中的至少一个。第二氧化物半导体膜是复合氧化物半导体。复合氧化物半导体包括第一区域和第二区域。第一区域包含In

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置


[0001]本专利技术的一个实施方式涉及一种具有氧化物半导体膜的半导体装置及该半导体装置的制造方法。本专利技术的一个实施方式涉及一种包括该半导体装置的显示装置。
[0002]注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个实施方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个实施方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。本专利技术的一个实施方式尤其涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、其驱动方法或其制造方法。
[0003]在本说明书等中，半导体装置一般是指能够通过利用半导体特性工作的装置。晶体管、半导体电路、运算装置及存储装置等半导体元件都是半导体装置的一个实施方式。摄像装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池、有机薄膜太阳能电池等)及电子设备可以包括半导体装置。
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技术介绍

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括：第一氧化物半导体膜；所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜；以及所述第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜，其中，所述第一氧化物半导体膜包含铟、镓、锡及锌中的至少一个，所述第二氧化物半导体膜是复合氧化物半导体，所述复合氧化物半导体包括第一区域和第二区域，所述第一区域包含In
a
M
b
Zn
c
O
d
，a、b、c和d分别表示任意数，所述第二区域包含In
x
Zn
y
O
z
，并且，x、y和z分别表示任意数。2.一种半导体装置，包括：氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括：第一氧化物半导体膜；以及与所述第一氧化物半导体膜重叠的第二氧化物半导体膜，其中，所述第一氧化物半导体膜包含铟、镓、锡及锌中的至少一个，所述第二氧化物半导体膜是复合氧化物半导体，所述复合氧化物半导体包括第一区域和第二区域，所述第一区域包含In
a
M
b
Zn
c
O
d
，a、b、c和d分别表示任意数，所述第二区域包含In
x
Zn
y
O
z
，并且，x、y和z分别表示任意数。3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：栅电极；所述栅电极上并且所述氧化物半导体膜下的绝缘膜；以及所述氧化物半导体膜上的一对电极。4.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：栅电极；所述栅电极上并且所述氧化物半导体膜下的绝缘膜；以及所述氧化物半导体膜上的一对电极。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第三氧化物半导体膜从一对电极露出的区域比所述第三氧化物半导体膜被所述一对电极覆盖的区域薄，并且，所述第二氧化物半导体膜包括其结晶性比所述第一氧化物半导体膜和所述第三氧化物半导体膜中的一方或双方低的区域。6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述M表示Al、Ga、Y或Sn。7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中，所述第二氧化物半导体膜包括比所述第一氧化物半导体膜厚的区域。8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体膜包括结晶部，并且，所述结晶部具有c轴取向性。9.一种包括权利要求1或2所述的半导体装置的显示装置，其中，所述显示装置包括显示元件。10.一种包括权利要求9所述的显示装置的显示模块，其中，所述显示模块包括触摸传感器。11.一种包括权利要求10所述的显示模块的电子设备，其中，所述电子设备包括操作键和电池中的至少一个。12.一种半导体装置，包括：第一导电膜；所述第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，肥塚纯一，冈崎健一，中泽安孝，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：