一种抗静电的硅胶保护膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种抗静电的硅胶保护膜及其制备方法，涉及保护膜技术领域，包括基材层、粘结剂层及离型层；所述粘结剂层按重量份计由以下成分制成：复合改性有机硅压敏胶50

【技术实现步骤摘要】
一种抗静电的硅胶保护膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于保护膜
，特别是一种抗静电的硅胶保护膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着显示器行业的飞速发展，各种电子产生得到广泛的应用，为了提高对电子显示屏的保护，硅胶保护膜被广泛用于电子产品屏幕的保护；电子产品生产、制造诸多环节都会有静电产生，并且危害极大，容易造成电子元件的损伤，其次，静电容易吸引灰尘，而灰尘对于电子产品同样具有较大的危害。
[0003]现有技术，申请号为：201810687395.5；本专利技术提供了一种硅胶保护膜，包含胶粘剂层，所述胶粘剂层的制备原料包括如下按重量计的各组分：有机硅胶粘剂，质量百分比为60％
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99.7％；交联剂，质量百分比为0.1％
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20％；锚固剂，质量百分比为0.1％
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10％；催化剂，质量百分比为0.1％
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10％，该硅胶保护膜在贴合至被贴物之后，在高温或高湿环境中可显著降低剥离力爬升，从而使硅胶保护膜可轻易剥离，有效减少被贴物表面的残胶、污染等现象，可广泛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗静电的硅胶保护膜，其特征在于：包括基材层、粘结剂层及离型层；所述粘结剂层按重量份计由以下成分制成：复合改性有机硅压敏胶50
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60份、纳米助剂5
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6份、固化剂6
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12份；所述纳米助剂与复合改性有机硅压敏胶混合重量份比为1:10；所述纳米助剂由不低于两种的纳米颗粒混合而成。2.根据权利要求1所述的一种抗静电的硅胶保护膜，其特征在于：所述基材层采用PET膜层；所述离型层采用PET离型膜。3.根据权利要求1所述的一种抗静电的硅胶保护膜，其特征在于：所述固化剂为环氧硅烷类交联剂；所述纳米助剂由纳米二氧化硅与纳米碳化硅混合而成；所述纳米二氧化硅、纳米碳化硅混合质量比为1:3
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4。4.根据权利要求1所述的一种抗静电的硅胶保护膜，其特征在于：复合改性有机硅压敏胶制备方法包括以下步骤：(1)将硫酸、乙醇和水分别添加到反应釜中，搅拌均匀，得到混合液；(2)向混合液中添加松香树脂和N
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丙基乙二胺，调节温度至50
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55℃，保温搅拌40min；(3)向反应釜中添加聚硅酸乙酯和石墨烯，然后在惰性气氛保护下，调节温度至70
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75℃，保温搅拌反应2小时，然后结束反应，静置1小时，进行旋转干燥，再进行水洗，干燥，得到复合改性剂；(4)将上述得到的复合改性剂、甲基乙烯基硅橡胶生胶加入二甲苯中，再依次加入过氧化二异丙苯、铂金催化剂搅拌均匀，即得有机硅压敏胶。5.根据权利要求4所述的一种抗静电的硅胶保护膜，其特征在于：步骤(1)中所述硫酸、乙醇和水混合质量比为1
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2:20
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25:40
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50。6.根据权利要求4所述的一种抗静电的硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔飞，盛富梅，朱筱华，
申请(专利权)人：苏州誉诚新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：