一种晶圆单面化学镀的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造领域，公开了一种晶圆单面化学镀的装置和方法，通过将两片晶圆的背面相对设置，然后在两片晶圆的背面之间设置环形保护膜；然后利用晶圆夹持组件夹持两片晶圆，使得所述环形保护膜紧密贴合在两片晶圆的背面，通过晶圆夹持组件的夹持使得晶圆背面被完全遮挡，避免了晶圆背面区域镀上目标金属；最后将夹持好的晶圆夹持组件放入目标金属镀液中对上述两片晶圆的正面同时进行单面化学镀，有利于提高化学镀的效率和节约成本；同时，本发明专利技术可以同时兼顾Taiko晶圆以及普通片厚晶圆，适应性更广；且本发明专利技术无需引进国外垄断的Taiko晶圆背面贴膜设备，也无需对现有的浸泡式化学镀设备进行任何调整和更换，极大地降低了晶圆单面化学镀的成本。了晶圆单面化学镀的成本。了晶圆单面化学镀的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆单面化学镀的装置和方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆单面化学镀的装置和方法。

技术介绍

[0002]化学镀又称为无电解镀(Electroless plating)，也可以称为自催化电镀(Autocatalytic plating)。具体过程是指：在一定条件下，水溶液中的金属离子被还原剂还原，并且沉淀到固态基体表面上的过程。为了区别于电镀而将该工艺起名为化学镀。
[0003]对晶圆进行单面化学镀，即，采用化学镀将目标金属层沉积到晶圆正面。相关技术中公开了：(1)对减薄成Taiko片的晶圆背面进行贴膜保护，然后再使用化学镀对晶圆正面进行目标金属层的沉积。(2)用两个chuck将晶圆吸住，然后使用特殊的化学镀药水输送装置，将药水输送到两个晶圆之间，使两片晶圆同时进行化学镀。
[0004]针对第(1)种技术方案，由于Taiko环的存在，背面保护膜很难跟晶圆背面完全紧密贴合，导致在化学镀工艺过程中化学镀药水进入保护膜下，从而使得背面边缘部分区域镀上金属；且Taiko片背面贴膜设备基本由国外垄断，不具备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆单面化学镀的装置，其特征在于，包括：环形保护膜和晶圆夹持组件；所述环形保护膜用于保护待镀晶圆的背面，以避免所述待镀晶圆的背面镀上目标金属，所述待镀晶圆包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆背面相对设置，所述环形保护膜设置于所述第一晶圆和所述第二晶圆的背面之间；晶圆夹持组件，用于夹持所述第一晶圆和所述第二晶圆，以使所述环形保护膜紧密贴合在所述第一晶圆和所述第二晶圆的背面。2.如权利要求1所述的一种晶圆单面化学镀的装置，其特征在于，所述环形保护膜耐化学腐蚀性以及适应温度范围为20～100℃。3.如权利要求1所述的一种晶圆单面化学镀的装置，其特征在于，所述晶圆夹持组件由硬质材料组成，所述硬质材料耐化学腐蚀性以及适应温度范围为20～100℃，所述硬质材料与晶圆化学镀的镀液不发生化学反应。4.如权利要求3所述的一种晶圆单面化学镀的装置，其特征在于，所述硬质材料包括特氟龙材料。5.如权利要求1所述的一种晶圆单面化学镀的装置，其特征在于，所述第一晶圆和所述第二晶圆为Taiko晶圆或者普通片厚晶圆，所述普通片厚晶圆为非Taiko晶圆。6.如权利要求5所述的一种晶圆单面化学镀的装置，其特征在于，所述第一晶圆和所述第二晶圆为Taiko晶圆时，所述环形保护膜的宽度为2～5mm。7.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕亦乐，张鸿鑫，陈强，谭灿健，谢为芝，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：