配置有穿心式薄膜电容器的干扰信号去除组件制造技术

本发明专利技术干扰信号去除组件的一种构成形态采用绝缘底板，在该底板表面上形成接地用第一导电布线和与该第一导电布线电气连接的接地用第二导电布线，将上述穿心式薄膜电容器和穿心式薄膜电容器阵列两种器件中的至少一种装在该绝缘底板的第一导电布线上，且将该穿心式薄膜电容器与／或穿心式薄膜电容器阵列的第一和第二接地电极层中的至少一层与绝缘底板的第一导电布线电气连接，最后将金属屏蔽罩固定于绝缘底板，使绝缘底板的第二导电布线与金属屏蔽罩的底面端部接触。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请号为94102681.7、申请日为940304、专利技术名称为“电容器及装有该电容器的组件”的分案申请。本专利技术涉及适用于电视机等各种电气设备中去除电路本身产生的干扰信号或由其它电路加入的干扰信号的装置的穿心式薄膜电容器和穿心式薄膜电容器阵列，并涉及装入该穿心式薄膜电容器或穿心式薄膜电容器阵列的干扰信号去除组件。近年来，伴随装载数字电路的电气设备的小型化和高功能化，对其内所使用的干扰信号去除组件也要求小型化和良好的干扰去除性能。作为已有技术已知有如附图说明图1所示，由信号电极1、电介质2和接地电极3所构成的用于去除干扰信号的圆盘状穿心电容器5，及如图2所示，将上述电容器5装到收容电路的金属屏蔽罩4的各个输入输出端子上的干扰信号去除组件。然而，这种以往的结构，穿心电容器5的尺寸决定了信号线(即上述输入输出端子)之间的间隔。因此，作为输入输出端子的信号线增加时，屏蔽罩4必须装许多穿心电容器5，干扰信号去除组件的形状会变得非常大。而且，必需将穿心电容器5逐个焊接在屏蔽壳4上，制造方面操作性不佳。另一方面，作为能小型化的干扰信号去除组件，如图3所示，日本特许公开公报平4-32170公开了把装有印刷电容器的端子板装于金属屏蔽罩的组件以构成干扰信号去除组件。该端子板，依次在设有贯穿孔15的陶瓷底板11上形成作为电容器的接地电极的第一电极层12、在该第一电极层上形成电介质层13、在该电介质层13上和贯穿孔15的周围形成第二电极层14；再将引脚端子16插入贯穿孔15，与第二电极层14焊接而构成。该端子板还利用金属屏蔽罩(未图示)的凸起17固定于该屏蔽罩。然而，该端子板虽能小型化，但其结构不是用接地电极12包围电介质层13，较之安装穿心电容器的上述干扰信号去除组件，去除干扰信号的性能差。本专利技术的目的在于提供干扰信号去除性能佳、能小型化或薄型化的穿心式薄膜电容器和穿心式薄膜电容器阵列，进而提供装有该穿心式薄膜电容器或穿心式薄膜电容器阵列的干扰信号去除组件。本专利技术穿心式薄膜电容器的一种构成形态包括陶瓷底板、该陶瓷底板上所形成的第一接地电极层、该第一接地电极层所形成的第一电介质层、至少从第一电介质层的一端面至另一端面地于第一电介质层一部分上所形成的信号电极、与第一电介质层一起包围信号电极并于第一电介质层上所形成的第二电介质层、与第一接地电极层一起包围第一电介质层和第二电介质层并于第二电介质层上所形成的且与第一接地电极层电气连接的第二接地电极层。本专利技术穿心式薄膜电容器阵列的一种构成形态是将多个上述穿心式薄膜电容器排列在陶瓷底板上，用连接件将一个穿心式薄膜电容器的第一接地电极层和第二接地电极层中的至少一层与另一个穿心式薄膜电容器的第一接地电极层和第二接地电极层中的至少一层进行连接。本专利技术干扰信号去除组件的一种构成形态采用绝缘底板，在该底板表面上形成接地用第一导电布线和与该第一导电布线电气连接的接地用第二导电布线，将上述穿心式薄膜电容器和穿心式薄膜电容器阵列两种器件中的至少一种装在该绝缘底板的第一导电布线上，且将该穿心式薄膜电容器与/或穿心式薄膜电容器阵列的第一和第二接地电极层中的至少一层与绝缘底板的第一导电布线电气连接，最后将金属屏蔽罩固定于绝缘底板，使绝缘底板的第二导电布线与金属屏蔽罩的底面端部接触。由于上述穿心式薄膜电容器和穿心式薄膜电容器阵列具有用接地电极层包围电介质层的层状结构，所以外形薄且去除干扰信号性能佳。尤其是改变第一接地电极层的厚度和第二接地电极层的厚度，能消除基于高频成分的两接地电极层之间的电位差，所以去除干扰信号性能极佳。装有上述穿心式薄膜电容器与/或穿心式薄膜电容器阵列的干扰信号去除组件，去除干扰信号性能佳，同时能使信号线间的间隔变窄，所以又可谋求小型化。特别是穿心式薄膜电容器阵列的上述连接件与绝缘底板的第一导电布线电气连接的干扰信号去除组件，能抑制使信号线间隔变窄时产生的串扰。图1是以往穿心电容器的立体图；图2是装有图1穿心电容器的以往干扰信号去除组件的立体图；图3是以往配有印刷电容器的端子板的分解立体图；图4是表示本专利技术第一实施例穿心式薄膜电容器的立体图；图5是图4A-A向剖面图6是图4-向剖面图；图7是图4的变形例，为本专利技术第二实施例所示穿心式薄膜电容器的剖面图；图8是本专利技术第三实施例所示穿心式薄膜电容器阵列的立体图；图9是图8C-C向剖面图；图10是本专利技术第四实施例所示干扰信号去除组件的分解立体图，是印刷电路底板上装载穿心式薄膜电容器阵列的例子；图11是本专利技术第五实施例所示干扰信号去除组件的分解立体图，是多层印刷电路底板上装载穿心式薄膜电容器阵列的例子。第一实施例图4-图6所示的穿心式薄膜电容器由下述部分构成陶瓷底板21上所形成的第一接地电极层22、该电极层22上所形成的第一电介质层23、在该电介质层23上中央部位所形成的信号电极24，形成于第一电介质层23上并覆盖信号电极24的第二电介质层25，以及做成覆盖第二电介质层25且两端部与第一接地电极层22紧贴导通的第二接地电极层26。信号电极24做成自陶瓷底板21的一侧面开始，于第一电介质层23上通过后，到达陶瓷底板21的另一侧面。上述这些层全都用厚膜印刷技术形成。此穿心式薄膜电容器具有利用互相导通的第一及第二接地电极层22、26包围第一和第二电介质层23、25的结构，因此去除干扰信号性能优于以往的印刷电容器。第二实施例图7所示的穿心式薄膜电容器是第一实施例的变形例。与第一实施例的不同点在于设置了比第一接地电极层22更厚的第二接地电极层27。本实施例特别将位于第二电介质层25上方的部分加厚。利用此结构能获得去除干扰信号性能更佳的穿心式薄膜电容器。其原因是第一实施例的平面状电容器中，高频电流由电介质层23、25流往接地电极层22、26。该高频电流于接地电极层22、26流过时，在第一接地电极层22与外部接地端子连接情况下，离外部接地端子远的第二接地电极层26的阻抗比第一接地电极层22的阻抗略大些。因此，第一接地电极层22和第二接地电极层26之间产生电位差，使穿心式薄膜电容器的性能略有下降。另一方面，在如第二实施例那样设置比第一接地电极层22适当加厚的第二接地电极层27的情况下，第二接地电极层27本身的阻抗减小。于是，高频电流流过时，在第一接地电极层22和第二接地电极层27之间能取得阻抗平衡，可抑制两接地电极层22、27间电位差的发生。因此，将第一接地电极层22与外部接地端子连接情况下，设置加厚的第二接地电极层27较好。第三实施例图8、图9所示的穿心式薄膜电容器阵列由下述部件构成陶瓷底板31上所形成的第一接地电极层32，该电极层32上所形成的2个第一电介质层33，分别在2个第一电介质层33上面的中央部位所形成的信号电极34，分别形成在2个第一电介质层33上并覆盖信号电极34的第二电介质层35，以及做成覆盖2个第二电介质层35且与第一接地电极层32紧贴导通的第二接地电极层36。信号电极34做成自陶瓷底板31的一侧面出发，于第一电介质层33上通过后，到达陶瓷底板31的另一侧面。又在2个信号电极34之间的陶瓷底板31的侧面形成由第二接地电极层36延伸的接地端子部37。上述这些层用厚膜印刷技术形成。在组装干扰信号去除组件的情况下，装入此穿心式薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干扰信号去除组件，其特征是由下述部分构成：表面上形成第一导电布线（４２）和与上述第一导电布线（４２）电气连接的第二导电布线（４６）的绝缘底板（４１）、装于上述第一导电布线（４２）上且与上述第一导电布线（４２）电气连接的穿心式薄膜电容器及穿心式薄膜电容器阵列等两种器件中的至少一种、与上述绝缘底板（４１）固定的并使上述第二导电布线（４６）与底面端部接触的底面开放的金属屏蔽罩（４８），所述穿心式薄膜电容器由下述部分构成：陶瓷底板（２１）、上述陶瓷底板上所形成的第一接地电极层 （２２）、上述第一接地电极层（２２）上所形成的第一电介质层（２３）、至少从上述第一电介质层（２３）的一端面至另一端面地于上述第一电介质层（２３）一部分上所形成的信号电极（２４）、与上述第一电介质层（２３）一起包围上述信号电极（２４）并于上述第一电介质层（２３）上所形成的第二电介质层（２５）、与上述第一接地电极层（２２）一起包围上述第一电介质层（２３）和上述第二电介质层（２５）并于上述第二电介质层（２５）上所形成的且与上述第一接地电极层（２２）电气连接的第二接地电极层（２６），所述穿心式薄膜电容器阵列由陶瓷底板（３１）、上述陶瓷底板（３１）上所形成的多个穿心式薄膜电容器以及于上述穿心式薄膜电容器之间进行电气连接的连接件构成；上述穿心式薄膜电容器由下述部份构成：第一接地电极层（３２）、上述第一接地电极层（３２） 上所形成的第一电介质层（３３）、至少从上述第一电介质层（３３）的一端面至另一端面地于上述第一电介质层（３３）一部分上所形成的信号电极（３４）、与上述第一电介质层（３３）一起包围上述信号电极（３４）并于上述第一电介质层（３３）上所形成的第二电介质层（３５）、与上述第一接地电极层（３２）一起包围上述第一电介质层（３３）和上述第二电介质层（３５）并于上述第二电介质层（３５）上所形成的且与上述第一接地电极层（３２）电气连接的第二接地电极层（３６）；上述连接件是将一个上述穿心式薄膜电容器的上述第一接地电极层（３２）和上述第二接地电极层（３６）中至少一层与另一个穿心式薄膜电容器的上述第一接地电极层（３２）和上述第二接地电极层（３６）中至少一层进行连接的连接件。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山手万典，渡边力，石桥洋一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]